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时光如梭，魔幻的2020年已经过去了一半。这半年，疫情肆掠、蔓延全球，各国多项经济数据出现断崖式下跌；美股10天内四次熔断，IMF更是定义今年为自1930年代经济大萧条以来最严重的一次危机……这样的“活久见”系列在各行各业都普遍经历了，存储芯片市场更甚。

2019年存储芯片市场整体低迷，直到最后三个月，情况才开始有所好转。如今，在疫情的不明朗和全球经济前景暗淡的背景下，NAND FLASH价格整体大幅度下调，DRAM芯片现货市场价格在4月达到峰值后，目前也处于下跌趋势。

然而，危机即转机，NAND FLASH、DRAM价格下跌对于上游原厂而言，或许不是一件好事，但对于国产存储品牌来说，正是加速“回血”和抢占市场份额的好时机。今年开春以来，“国产替代”就成为社会高度关注的话题，直播带货、线上教育、宅经济等网络线上交易活动，更是促进了国内存储市场的爆发式增长。

在行业环境愈趋明朗的当下，国产存储品牌也开始纷纷发声。宏旺半导体ICMAX作为专注存储芯片行业十六年的优质国产品牌，无论是在加大研发投入，还是深耕市场布局上都马力十足，获得了不斐的成绩。如今，宏旺半导体已形成嵌入式存储、移动存储、SSD、内存条四大产品矩阵，并广泛应用于移动终端、安防监控、车载电子、航天航空、北斗导航、网通设备、工业控制等各个领域。

嵌入式存储：简而不减，小有乾坤

宏旺半导体推出的eMMC、eMCP、DDR、LPDDR等芯片，具备高性能、轻薄灵活、低功耗、高兼容等特点，并有专业团队提供7*24h灵活存储方案定制服务。

· 能应对5G时代更高的速度、更大的容量，可用于智能手机、AR/VR 设备、车载电子、扫地机器人、可穿戴设备等多场景的 ，能为移动设备提供快速可靠的连接；

· 能适用于数字电视、机顶盒、OTT、平板等多种需求的DDR3、DDR4，极致性能可以满足各式各样地工作环境；

· 将高传输速与低耗节能相结合的LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4X，广泛应用于智能手机、平板等移动设备，LPDDR4X更是当前主流的低功耗移动内存解决方案；

固态硬盘：智能用“芯”，抬手可及

宏旺半导体推出了2.5寸、mSATA、M.2 NGFF 、M.2 NVME等不同的SSD，覆盖SATA、PCIe两种主流接口，最高容量可达512GB，具有高速低耗、抗震稳定、FW更新、PCIe BGA等优点。

· 2.5”SSD

宏旺半导体推出的2.5”SSD,涵盖32GB~1TB等多种容量，身形较为轻薄，提供6Gb/s的带宽，连续读取速度高达550MB/s，连续写入速度高达500MB/s。目前广泛用与电脑、车载监控、工控机、视频监控等各个领域。在软件上这款SSD可支持微软系统、苹果系统、Linux系统、安卓系统等现有的操作系统，硬件上可应用于Intel、AMD、国产CPU 兆芯等不同的平台。

· mSATA SSD

mSATA SSD 具备体积小、静音、读写速度快、功耗低、启动速度快、抗振耐冲击等特点，其连续读取速度高达550MB/s，连续写入速度高达500MB/s，并且重量小于10克，其小体积特别适用于一体机和工控机等空间受限的平台，可以在狭小的空间发挥着重要的存储性能。 

· M.2 NGFF SSD

M.2 NGFF接口比mSATA接口更小巧，是移动和便携设备的首选。M.2 NGFF SSD采用SATAIII 6Gb/s传输接口，连续读取速度最高达 550MB/s，连续写入速度最高达500MB/s，能适用于Windows、Mac、Linux等系统。

· M.2 NVME SSD

M.2 NVME SSD是新一代的高性能存储产品，拥有更小巧的身形、更强悍的读写速度、更大的容量、更高效的数据处理能力，是高端主本、游戏本、超低本等设备性能的提升利器。

内存条：内“芯”强大，永不休假

以宏旺半导体推出的8GB DDR4 SODIMM商用系列为例，由专业研发团队自主开发设计，工作电压为1.2V，工作温度0℃至70℃，260 – pin SODIMM封装，2666 Mbps速率，拥有高容量、高性能等优势，以及可靠性保障，满足了当前PC、电脑、电视等主流市场的需求。

移动存储：极智“芯”能，高速存储

宏旺半导体推出TF/ SD卡，具备大容量、耐高低温、高速读写性能以及稳定的读写性能，其高耐久度可以延长产品的使用寿命，为客户减少更换频率，节约总拥有成本。

2020年是一个危机之年，但危机同时意味着机遇。因为无论是物联网、车联网、数据中心、5G、人工智能等技术，都离不开存储。基于此，宏旺半导体ICMAX将打造“全球存储芯片产业基地”，建立芯片设计、芯片封装测试、成品制造的完整存储芯片产业链，自主研发并量产纯国产血统的存储芯片，满足车载电子、安全手机、智能穿戴、智能硬件等细分市场，提供更优质的存储产品和服务。

近日，安徽省经信厅引发《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》（以下简称“方案”）。

根据《方案》，安徽省将聚焦新一代电子信息、智能装备、新材料等重点领域，组织具备较强创新能力的企业揭榜攻关，通过2-3年时间，重点突破一批制约产业发展的关键技术，培育一批优势产品，做强一批优势企业，不断提高制造业自主可控水平，促进制造业高质量发展。

目前，安徽省已经以制造业重大发展需求为目标，以突破产业关键技术短板为导向，着眼有基础可产业化、突出产业带动性，在10个重点领域、50个重点方向中确定了104项揭榜任务，其中包括多项集成电路产业的揭榜任务。

以下为部分集成电路产业揭榜任务：

射频氮化镓单晶衬底的主要任务为面向高端射频领域，如军用相控雷达、5G通信基站、卫星通讯等，开展基于自支撑技术的高质量、大尺寸、半绝缘型的氮化镓衬底生长及物性调控的研发与量产。

低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发的主要任务为面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化，依托DRAM 17nm及以下工艺，攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源（电压）技术、片内纠错编码（On-Die ECC）技术，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。

15/14nm DRAM存储芯片先进工艺开发及产品研发的主要任务为围绕未来云计算、人工智能等对DRAM存储芯片小尺寸、大容量、高速度的需求，进行15/14nm DRAM存储芯片制造工艺开发，并实现产业化。

DRAM存储芯片专用封装工艺铝重新布线层(Al RDL)工艺开发的主要任务为围绕先进DRAM产品工艺开发需求，开展铝重新布线层工艺开发并实现产业化应用，采用气相沉积氧化硅厚膜作为保护层降低材料应力，攻关溅镀厚铝技术替代电镀铜(镍钯金)技术，通过铝替代铜作为重新布线层，解决先进DRAM产品封装良率低、成本高、周期长等问题。

5nm计算光刻国产化，该任务的研究内容包括：计算光刻EDA软件，提供高度智能化、自动化的EDA仿真软件，含OPC和SMO两大核心技术，同时将版图到掩膜版数据转换的全流程囊括其中，增加工艺探索、建模、图形验证、图形校正、数据准备5大模块，各个模块可以独立操作又能有效串连，对光刻工艺步骤构建适合的软件模型，以纯软件模型取代工程实验，达到降低研发成本的效果。通过内建人工智能算法引擎，从而提高收敛准确性，支持5nm光刻工艺和多重图形化（Multiple-Patterning）技术，实现Patterning图形全流程自动化，最大程度减少对人的依赖，还起到了提高开发效率、减少人力成本、缩短开发时间的作用。

定位下一代EDA的5nm工艺研发DTCO平台，主要内容包括：将光刻工艺研发和器件工艺研发流程整合的工艺研发流程。包括七大模块：1.性能评价模块 2.功耗评价模块 3.面积评估模块 4.制程成本评估模块 5.制程可行性评估模块 6.智能设计规则管理系统 7.DTCO协作请求与控制系统。通过此DTCO平台， 工艺研发人员将从研发早期确定技术路线，对性能功耗面积的持续优化，评估工艺条件的可行性与成本，决定设计规则窗口，引入研发组织协作流程，将庞大的工艺研发信息纳入统一管理，降低工艺研发成本，提高效率。 

5G高抑制n77频带带通滤波器的主要内容为实现高抑制Hybrid 5G n77滤波器产品研发并产业化，解决射频前端芯片“卡脖子”难题。

基于5G通讯的LTCC射频器件研发与产业化的主要内容为突破LTCC三维布局、传输零点的引入方法、LTCC滤波器的计算机辅助诊断与调试等关键技术。

国产化智能语音芯片研发的主要任务为：1.完全自研、自定义的DSP和AI加速器的指令和IP的研究设计；2.专用IP设计以及验证：完成AI加速器微架构设计，指令集设计，用RTL实现并验证，主要包括：1）AI加速器微架构设计，它可以较好的平衡各种算力需求和设计复杂度；2）针对人工智能算子，设计出AI加速指令。

存储器芯片生产自动测试设备研发的主要任务包括1.ATE行业最高集成度的核心仪表板；2.行业最高的系统配置能力；3.行业内最高生产并行测试能力。

近日，美光科技发布了该公司的2020财年第三财季财报。报告显示，美光科技第三财季营收为54.38亿美元，相比之下去年同期的营收为47.88亿美元；净利润为8.03亿美元，与去年同期的8.40亿美元相比下降4%。美光科技第三财季营收和调整后每股收益均超出华尔街分析师预期，第四财季业绩展望也超出预期，从而推动其盘后股价大幅上涨逾6%。

主要业绩：

在截至5月28日的这一财季，美光科技的净利润为8.03亿美元，每股摊薄收益为0.71美元，这一业绩不及去年同期。2019财年第三财季，美光科技的净利润为8.40亿美元，每股摊薄收益为0.74美元。

不计入某些一次性项目（不按照美国通用会计准则），美光科技第三季度调整后净利润为9.41亿美元，调整后每股收益为0.82美元，这一业绩超出分析师预期，相比之下去年同期的调整后净利润为11.98亿美元，调整后每股收益为1.05美元。据雅虎财经频道提供的数据显示，23名分析师此前平均预期美光科技第三财季每股收益将达0.77美元。

美光科技第三财季营收为54.38亿美元，相比之下去年同期的营收为47.88亿美元，也超出分析师预期。据雅虎财经频道提供的数据显示，24名分析师此前平均预期美光科技第三财季营收将达53.1亿美元。

美光科技第三财季毛利润为17.63亿美元，在营收中所占比例为32.4%，相比之下去年同期的毛利润为18.28亿美元，在营收中所占比例为38.2%。不按照美国通用会计准则，美光科技第三财季毛利润为18.04亿美元，在营收中所占比例为33.2%，相比之下去年同期的毛利润为18.84亿美元，在营收中所占比例为39.3%。

美光科技第三财季运营利润为8.88亿美元，在营收中所占比例为16.3%，相比之下去年同期的运营利润为10.10亿美元，在营收中所占比例为21.1%。不按照美国通用会计准则，美光科技第三财季运营利润为9.81亿美元，在营收中所占比例为18.0%，相比之下去年同期的运营利润为11.10亿美元，在营收中所占比例为23.2%。

美光科技第三财季用于资本支出的投资（其中不包含由合作伙伴提供融资的金额）为19.2亿美元，调整后自由现金流为1.01亿美元。根据已经获批的股票回购计划，美光科技在2020财年第三季度中总共回购了约92.9万股普通股，回购总对价为4000万美元。截至第三财季末，美光科技持有的现金、有价证券投资和限制性现金总额为92.9亿美元，现金净额为26亿美元。

业绩展望：

美光科技预计，2020财年第四财季的营收将达57.5亿美元到62.5亿美元，超出分析师预期。据雅虎财经频道提供的数据显示，29名分析师此前平均预期美光科技第四财季营收将达54.7亿美元。

美光科技还预计，第四财季毛利率将达34.5%，上下浮动1.5%；不按照美国通用会计准则，毛利率将达35.5%，上下浮动1.5%；运营支出将达9亿美元，上下浮动2500万美元；不按照美国通用会计准则，运营支出将达8.5亿美元，上下浮动2500万美元；净利息支出将达3300万美元；不按照美国通用会计准则，净利息支出将达3000万美元；每股摊薄收益将达0.88美元，上下浮动0.10美元；不按照美国通用会计准则的每股摊薄收益将达1.05美元，上下浮动0.10美元，超出分析师预期。据雅虎财经频道提供的数据显示，28名分析师此前平均预期美光科技第四财季每股收益将达0.81美元。

6月6日，在长三角一体化发展重大合作事项签约仪式上，长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目业务合作协议签约。

Source：视频截图

据新民晚报报道，长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目业务合作协议由长鑫存储技术有限公司、苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约。

据官网介绍，长鑫存储于2016年5月在安徽合肥成立，是一家一体化存储器制造商，专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。DRAM产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、人工智能、虚拟现实和物联网等领域，市场需求巨大并持续增长。

此次与长鑫存储签约的公司，各自在集成电路领域均有着举足轻重的地位。

其中，苏州瑞红是国内知名的电子化学品公司，成立于1993年，是国内著名的专业生产微电子化学品的工厂，公司主要生产光刻胶、配套试剂、高纯化学试剂等黄光区湿化学品，应用于FPD(LCD、TP、OLED、CF)、LED、IC等相关电子行业，与国内大部分相关厂商保持业务联系。

苏州瑞红先后承担过国家“85公关”项目、科技部创新基金项目、“863”重大专项，国家级重大专项02项目等，拥有数项国家发明专利和高新技术产品，是江苏省高新技术企业。

宁波江丰电子是国内知名的电子靶材公司，成立于2008年，主营业务为高纯溅射靶材的研发、生产和销售，主要产品为各种高纯溅射靶材，包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等，公司产品主要应用于半导体(主要为超大规模集成电路领域)、平板显示器及太阳能电池等领域。

据悉，该公司产品已经成功地在中芯国际、台积电、英特尔、格芯、京东方、华星光电等世界主流的半导体、平板显示等电子信息产业中批量销售，并在国际领先的半导体FinFET（FF+）7nm技术得到量产应用，打破了国外企业对靶材产业的长期垄断，结束了我国依赖进口的历史。

而上海新昇半导体则是重要的硅片供应商，成立于2014年，注册资本7.8亿元，新昇半导体的成立翻开了中国大陆300mm半导体硅片产业化的新篇章，将彻底打破我国大尺寸硅材料基本依赖进口的局面，使我国基本形成完整的半导体产业链。带动全行业整体提升产品能级，同时也将带动国内硅材料配套产业的发展。

根据官方介绍，新昇半导体第一期目标致力于在我国研究、开发适用于40-28nm节点的300mm硅单晶生长、硅片加工、外延片制备、硅片分析检测等硅片产业化成套量产工艺；建设300毫米半导体硅片的生产基地，实现300毫米半导体硅片的国产化，充分满足我国极大规模集成电路产业对硅衬底基础材料的迫切要求。

此次集成电路产业4家企业签约，支持长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目建设，可谓是强强联手，无疑将进一步提升长三角地区集成电路产业竞争力。

6月4日，北京兆易创新科技股份有限公司（以下简称“兆易创新”）披露非公开发行股票发行结果显示，公司本次发行的新增股份已于2020年6月3日在中国证券登记结算有限责任公司上海分公司办理完毕登记托管及限售手续。

公告称，兆易创新本次向新加坡政府投资有限公司 （GIC Private Limited）、葛卫东、毕永生、博时基金管理有限公司、以及青岛城投科技发展有限公司5家发行对象共发行实际发行数量为21,219,077股，发行价格为203.78元/股，募集资金总额为4,324,023,511.06元，扣除与发行有关的费用人民币41,586,055.74元（不含增值税），实际募集资金净额为人民币4,282,437,455.32元。

实际发行数量为21,219,077股，发行价格为203.78元/股，募集资金总额为4,324,023,511.06元，扣除与发行有关的费用人民币41,586,055.74元（不含增值税），实际募集资金净额为人民币4,282,437,455.32元。

本次非公开发行完成股份登记后，兆易创新前十名股东持股情况如下：

本次发行完成后，兆易创新前十名股东情况将发生改变，其中葛卫东本次获配736.09万股，获配金额15亿元，持股比例将从3.06%提升至4.48%，成为兆易创新第五大股东，新加坡政府投资有限公司获配978.52万股，获配金额19.94亿元，登记完成后将成为兆易创新第九大股东，持股比例2.17%。

根据2020年3月3日兆易创新发布的《兆易创新非公开发行A股股票预案（修订稿）》等公告，兆易创新此次募集资金净额42.82亿元，将用于DRAM芯片研发及产业化项目，以及补充流动资金。

其中DRAM芯片研发及产业化项目方面，兆易创新通过本项目，研发 1Xnm 级（19nm、17nm）工艺制程下的 DRAM 技术，设计和开发 DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 芯片。本项目的成功实施，有助于公司丰富自身产品线，有效整合产业资源，巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。

兆易创新表示，本次非公开发行完成及募集资金投资项目实施完毕后，公司将新增对DRAM产品的销售，扩大存储器产品的种类与规模，存储器业务板块的收入占比将提升，收入构成将更加丰富，并能大幅提高公司的可持续发展能力及后续发展空间，为公司经营业绩的进一步提升提供保证。