1月18日，深圳航天科创公司与DRAM测试服务企业深圳皇虎、智能制造高新技术企业光彩凯宜在深圳航天大厦举行了共建航天DRAM测试装备研发中心及测试服务中心项目签约仪式。
为把握国内DRAM测试产业发展契机，航天科创发挥国家级航天科技创新服务平台产业资源集聚优势，皇虎测试发挥高端DRAM测试技术储备优势，光彩凯宜发挥智能制造高端技术优势，三方携手共建航天DRAM测试装备研发中心及测试服务中心。该项目合作内容涉及设备研发、测试服务、测试标准、质量标准、股权合作、知识产权、品牌建设等领域。
据介绍，DRAM芯片制造及测试技术在国家信息产业规划具有重要地位，该项目合作及实施，有利于填补国内高端半导体测试装备研发空白，可加快半导体产业的国产化及自主可控进程，对国家半导体产业战略升级具有一定意义。
深圳航天科创公司总经理李宏表示，未来将投入优势产业资源，通过协同创新，力争3–5年内将项目打造成国内最大的高端DRAM测试装备研发中心和测试服务中心。
近期中国半导体业要发展自己的存储器，包括DRAM及3D NAND闪存。不过，对于中国存储器业技术的来源问题，国外一直存在着质疑。在国外的逻辑之中，“技术必须向他人购买”。例如1983年三星电子在京畿道器兴地区建成首个芯片厂时曾向当时遇到资金问题的美光公司购买64K DRAM技术，然后依赖自身的研发与迅速扩大投资，最终超过日本而夺得存储器霸主地位。
但是外国却并不希望中国获得存储器技术，如之前紫光试图花230亿美元兼并美光等，但并未达成，万般无奈之下中国只能依靠自己的力量进行突破，也只是让中国恢复应有的尊严和地位。
中国发展存储器的必要性
首先是必要性，存储芯片是电子系统的粮仓，数据的载体，关乎数据的安全，其市场规模足够大，约占半导体总体市场的三分之一。其次是紧迫性，据统计，中国市场消耗了全球DRAM产值的48%，消耗了全球NAND Flash产值的35%，年进口总额高达880亿美元，对外依赖度超过90%。最后是安全性，存储芯片非常重要，但目前中国存储芯片中DRAM、NAND的自给率几乎为零。
对于国产厂商来说，首先中小容量存储芯片是其中的一个市场机会。据业内预计，中小容量存储芯片市场规模将保持在120亿-200亿美元，其中低容量NAND有60亿-100亿美元，NOR约30亿美元，低容量DRAM约70亿美元。
随着物联网和智能终端的快速发展，将不断扩大对中小容量存储芯片的需求，行业格局的演变，因此中国存储器业的首要目标可以从中小容量的存储芯片开始，待站稳脚跟之后再向高容量存储芯片迈进。
为什么外国不能理解中国
外国站在完全市场化角度来观察中国半导体业发展，可能是无法理解的，加上其中确有极少数人并不希望中国半导体业有任何的进步。
1)，DRAM及3D NAND闪存是中国市场需求量最大类芯片，而外国釆用封锁，打压等手段欺压中国，如将晋华、华为等列入实体清单之中，阻止中国发展及获得芯片，所以是被逼无奈的必然结果。
2)，现阶段产业发展必须依靠国家资金等投入为主，所以重点在于要加强研发，积累IP，首先做出产品，然后逐渐国产替代。
3)，存储器业的特点，它的设计并不难，如NAND闪存基本上有两种结构类型，一种是Floating Gate浮栅式结构，美光，英特尔采用，另一种是Charge Trap电荷捕获型结构，在3D NAND闪存中成为主流的选择，包括三星、东芝、SK Hynix在内的闪存厂商普遍选择了Charge Trap结构。
DRAM量产关键在于生产线的质量控制以及持续的投资，扩大产能，最终以数量与价格取胜。而中国在巨大市场以及国家资金为主的支持下发展，相信一定有能力自主做出产品，但是困难的是产能爬坡速度，及在存储器的下降周期中能坚持下去。中国做存储器在很大程度上试图满足部分国内的需求。
韩国独霸存储器业
以2019 Q2计，在DRAM方面，三星市占45%，Hynix市占29%，及在NAND闪存中，三星的市占35%及Hynix的18%，可见韩国垄断全球存储器业。这种局面长久下去并不利于产业进步。
因此站在美光、东芝等立场它们具有两重性，一方面害怕中国存储器业的崛起，动了它们的“奶酪”，然而在另一方面，它们也愿意希望利用中国的崛起能削弱韩国垄断的局面。所以中国存储器业发展中要充分认识目前的格局，找到适合生存与发展的支点。
千万不要低估中国半导体业的决心与韧性
中国是全球仅次于美国的GDP大国，但绝不是全球第二大半导体强国，与世界先进水平尚有很大差距。据统计，2018年国产半导体自给率为15.3%，2019年将可望提升至17%左右，但预计到2023年才可望拉升至20%自给率。
在贸易摩擦的格局下，美国把中兴，华为，晋华等列入“实体清单”之中，竭力阻碍中国半导体业的发展，而存储器是中国半导体进口金额最大类之一。如与发展CPU相比较，现阶段存储器作为中国半导体业的突破口是合乎理性的。中国不会谋求存储器的霸权地位，也不可能，仅是希望能部分替代进口之用，而且这样的过程用时不会太短。
另外，中国发展半导体业现阶段以国家资金投入为主，它不是补贴，而是以股权加入，这也是唯一可能的选择，相比全球其它半导体业者在初始时的路径是相似的，仅是中国半导体业已经落后了近20年。
中国要发展自已的半导体业是正确的选择，也是生存的需要，所以决心是不会动摇的，加上它是集中国家的力量。观察上世纪80年代，韩国半导体能在存储器业中的成功，后来居上，一条非常成功的经验，就是持续投资，用亏损和时间最终打败了竞争对手。因此在国家资金等支持下，怀疑中国半导体业发展的决心与信心是注定要失败。
显然中国半导体业发展中一定会尊重与保护知识产权，并准备好迎接有关专利纠纷的诉讼，它也是中国半导体业发展的必修课之一。
中国半导体业发展一定能取得成功，不是空穴来风，而是有充分理由的，一个是中国拥有全球最大的终端电子市场，而且在不断增长之中，而另一个理由是现阶段以国家资金等投入为主，有足够能力与实力迎接来自各方面的挑战。
中国半导体业发展的韧性可以体现在：1)，外国一直在压制与打击中国半导体业进步的同时，与在中国市场中继续谋求利益之间调节平衡，不太可能让中国半导体业“彻底停摆”；2)，打击华为时，与打击中兴，晋华等大不相同，华为任正非，它是嘴不硬，事扎实，让美过感觉有些进退两难。所以对于此次贸易摩擦的复杂性与长期性一定要有充分的认识；3)，中国半导体业发展不但可能打乱既有的“平衡格局”，同时对于全球半导体的增长有实质性的推动作用，如中国可能成为全球半导体最大的投资地区之一。
结语
中国半导体业发展有自身的特点，有优势方面，也有不足之处。在贸易摩擦下需要付出更多的努力与代价。在存储器业中，对手已经积累20年以上的经验，因此要进行突破是不易的，可能最关键是信心不可动摇及要坚持到底。
美国可以继续阻挡与压制我们，但是在全球化的浪潮下是不可能成功的，因为中国始终坚持改革开放，走全球化合作道路，任何面对中国的大市场而不顾，只可能是暂时的。同时在贸易摩擦下一定会加速国产化的推进步伐，这样的好时机是千载难逢。尽管中国半导体业发展不可能一帆风顺，未来还可能会经历一些曲折，要尊重“学习曲线”的规律，但是相信中国半导体业最终一定能够取得成功。
图：会议现场
本次峰会的议题分别从存储器的市场供需、技术方向、应用领域等方面，对半导体及存储产业未来发展趋势进行了全方位解读与剖析，助力存储产业链上下游企业把握商机，为行业人士献上了一场精彩纷呈的产业交流盛宴。
供需关系上，集邦咨询DRAMeXchange研究副总经理郭祚荣、研究协理陈玠玮等分析认为，2020年全球存储市场传统存储芯片制造商将继续维持寡头垄断格局，并稳定资本支出试图使明年市场从现在的供过于求往供需平衡迈进。虽有长江存储、长鑫存储等中国新的存储力量开始量产3D NAND和DRAM相关存储芯片参与市场竞争，但还不足以打破目前全球竞争格局。晋华集成副总经理徐征则认为，三大供应商正在加速利基型DRAM的规格迭代，而随着5G、AI的发展消费型电子领域有望产生杀手级应用，中国DRAM业者若能适时补足需求缺口，将是中国DRAM业者成长的好机会。需求上，集邦咨询DRAMeXchange资深分析刘家豪和分析师叶茂盛表示，计算机和智能手机将继续成为存储器的主要应用市场。此外，AI、IoT和大数据等技术的快速发展使更多应用带至云端，进一步催生服务器对存储芯片的需求。
技术方向上，郭祚荣认为明年1X/1Y纳米依然是内存市场的主要工艺，1Z纳米工艺呈现缓步成长。芝奇国际技术行销总监余大年则表示，即将问世的DDR5，势必大幅提升内存速度及容量。闪存方面，陈玠玮表示，明年三星、SK海力士等厂商将会量产128层3D NAND Flash，不过制程转换过程中良率提升速度将比之前来得缓慢。在嵌入式产品界面方面，叶茂盛则认为，eMMC 5.1已难以负荷5G时代的基本传输要求，加上价格的诱因，UFS 2.1/3.0有望在2020年加速渗透。
应用领域上，除了传统的计算机、服务器等应用之外，明年随着5G商用的快速推进，5G智能手机将逐渐成为市场主流。紫光展锐消费电子产品规划部部长钟宝星表示，5G大带宽、海量连接、超低时延的丰富应用场景对存储提出了更大容量、更加稳定、更快响应的新要求，而中国作为全球最大的智能手机市场，将成为存储的先锋市场。另外，电子竞技以及AI+安防等应用领域也将对存储器产生极大需求。余大年就认为，近年来电竞产业在世界各地快速成长，加上现代电竞电脑需要更强大的多任务同步处理能力及执行高画质游戏的性能，带动了高速度、高容量存储产品的需求。宇视科技云存储开发部部长梁红伟则表示，AI+安防是人工智能技术商业落地发展最快、市场容量最大的主赛道之一。
最后，慧荣科技SSD产品协理黄士德、群联电子营销暨项目企划室项目经理吕国鼎以及集邦拓墣产业研究院分析师徐韶甫分别对闪存主控芯片行业以及2020年全球晶圆代工产业发表了看法。在演讲嘉宾的精彩分享及参会人士的积极支持下，本次峰会圆满落幕！集邦咨询未来仍将提供最新的产业数据与动态，继续为推动半导体及存储产业健康发展作贡献！
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DRAM价格经过长达一年的下跌后，已经带动个人电脑、服务器、智能手机的单机搭载容量大幅提升，与去年同期相较增加超过五成。美光执行长Sanjay Mehrotra已释出对明年第一季后DRAM市况趋于健康的乐观看法。法人则看好DRAM明年上半年合约价格止跌回升，有利于南亚科及华邦电获利明显好转。
虽然英特尔中央处理器（CPU）供不应求影响第四季桌机及笔电出货动能，所幸超微（AMD）第三代Ryzen处理器推出填充了部份市场缺口。英特尔下半年将主要14纳米产能调拨全力支援资料中心服务器CPU供货，超微亦推出第二代EPYC处理器抢攻市占。整体而言，第四季个人电脑及服务器市场需求强劲，明年上半年微软Windows 7停止支援后，将再带动新一波商用电脑换机潮。
在智能手机市场部份，苹果iPhone 11系列销售畅旺，非苹阵营则全力冲刺明年第一季5G新机量产出货。由于5G通讯速度快且支援多频段切换，需要搭载更大的行动式DRAM来协助运算。随着智能手机第四季开始进入5G新机世代交替阶段，加上5G通讯将刺激物联网及人工智能等用户终端装置（CPE）应用遍地开花，等于增加许多需要搭载高容量DRAM的终端需求。
然而对DRAM市场来说，价格经历长达一年的跌势，10月底DRAM颗粒合约价只有去年同期的30～40%左右，但也因为价格大幅下跌，对个人电脑或智能手机的成本占比已降至一成以下，所以ODM/OEM厂及手机厂反而大幅提升单机搭载容量。
例如笔电去年DRAM模组搭载容量为4GB，今年普遍来看已增加一倍至8GB；服务器DRAM模组搭载容量亦年增一倍达64GB以上；非苹阵营中高端智能手机的行动式DRAM搭载容量则提升五成至6～8GB，部份高端机种搭载容量上看12GB。至于液晶电视及机上盒等消费性电子产品搭载容量亦上看2～4GB。
Sanjay Mehrotra表示，目前DRAM需求增加的速度，比供给增加的速度还快，供需间已开始更加平衡。虽然 DRAM 市场仍有一些超额库存，但库存去化速度很快，明年第一季后市场对 DRAM 需求将趋于健康，乐观看待2020年DRAM市况。
法人表示，今年DRAM价格大跌导致南亚科及华邦电营收表现不如预期，其中南亚科前10月合并营收431.34亿元，较去年同期减少42.1%，华邦电前10月合并营收406.40亿元，较去年同期减少6.5%。随着DRAM价格在明年上半年止跌回升，看好南亚科及华邦电获利表现会明显优于今年。
11月27日，由集邦咨询旗下DRAMeXchange主办的“2020存储产业趋势峰会（MTS2020）”即将在深圳金茂万豪酒店隆重召开。截止11月21日，本届峰会参与报名已超千人。
以下为本届峰会最新参会企业名单节选（排名不分先后）：
【MTS2020温馨提示】
为保证峰会质量和各合作伙伴的参会体验，集邦咨询不得不抱歉地通知您，本届峰会报名通道已经关闭，感谢您的关注与支持！
不过本届会议的相关信息及演讲嘉宾的演讲内容将会在TrendFoce集邦、全球半导体观察等官方微信号上发布，请您及时关注我们的微信公众号，非常感谢您的理解，期待您下届峰会的莅临！
近年来，DRAM、NAND Flash、Nor Flash已发展成为全球主流存储器，但随着这些传统存储器微缩制程已逼近极限，加上存储技术发展进步以及终端需求的变化，新型存储器亦越来越受到市场关注，有的新型存储器正在迅速发展壮大，市场成长速度喜人。
今年5月，集邦咨询旗下半导体研究中心（DRAMeXchange）报告指出，不论是DRAM或NAND Flash，现有的存储器解决方案都面临着制程持续微缩的物理极限，这意味着要持续提升性能与降低成本都将更加困难。
DRAMeXchange认为，次世代存储器（新型存储器）与现有解决方案各有优劣，最关键的机会点仍是在于价格。展望未来，需求陆续回温与价格弹性所带动的库存回补动能，可望带动2020年的现有存储器价格止跌反弹，让次世代存储器解决方案有机会打入市场。
目前英特尔、三星电子、美光等厂商皆已投入发展新型存储器。那么，目前市场上有哪些常见的新型存储器呢？下面将来盘点一下——
PRAM
PRAM（相变存储器），也有人称PCM（Phase Change Memory），据悉该存储器技术是一种三明治结构，中间是相变层（和光盘材料一样，GST），这种材料的一个特性是会在晶化（低阻态）和非晶化（高阻态）之间转变，即利用这个高低阻态的变化来实现存储。与传统存储技术相比，PRAM拥有读写速度快、耐用性强、非挥发性等，读取速度和写入次数均优于领先于NAND Flash。
据了解，英特尔和三星电子于2006年生产了第一款商用PRAM芯片。2015年，英特尔与美光联合推出3D XPoint技术，业界认为该技术基于PRAM并将其归类于PRAM，该技术同时具备DRAM和NAND的特性，承诺提供类似RAM的动态速度，价格点在DRAM和NAND之间。
英特尔官方介绍称，3D XPoint的读写速度是NAND Flash的1000倍，且使用寿命更长。
MRAM
MRAM（磁性存储器）是一种非易失性存储器。据悉，MRAM技术速度接近静态随机存储的高速读取写入能力，具有闪存的非易失性，容量密度及使用寿命不输DRAM，但平均能耗远低于DRAM，且基本上可无限次地重复写入。
MRAM曾获得多家产业巨头的青睐，摩托罗拉的半导体部门、IBM、英飞凌、赛普拉斯、瑞萨、三星电子、SK海力士、美光等均曾陆续投入研发MRAM的行列。
目前，国际上有多个国家和地区的政府及公司巨资投入开发MRAM产品，包括IBM、WD、东芝、三星电子、TDK、Seagate、Headway等。其中，IBM、Eversipin、三星电子为主要代表企业，从飞思卡尔独立出来的Everspin据称为全球第一家大批量提供商用MRAM产品的企业，GlobalFoundries、台积电、联电等晶圆代工厂商亦逐步投入嵌入式MRAM生产。
目前，MRAM技术已在向第二代发展，主流研究在于TAS-MRAM和STT-MRAM，STT-MRAM被视为是可以挑战DRAM和SRAM的高性能存储器，Everspin、三星电子、IBM、Grandis等企业均已涉足。
FRAM
FRAM（铁电存储器）学术名为FeRAM，业界一般称其为FRAM，是一种非易失性存储器。采用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。
据了解，FRAM技术早于1921年被提出，1993年美国Ramtron公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品，FRAM存储器逐渐开始商业化，主要供应商包括Ramtrom、TI、富士通等。富士通曾为Ramtrom进行单体存储器的量产晶圆代工，2020年双方终止合作，富士通开始独自开发FRAM并竭力推广。
ReRAM
ReRAM（阻变存储器）是一种非易失性存储器，通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压，产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。?其结构非常简单，两侧电极将金属氧化物包夹于中间，简化了制造工艺，同时可实现低功耗和高速重写等性能，比较适合可穿戴设备和小型医疗设备市场。
目前富士通、松下、Crossbar、东芝、Elpida、索尼、美光、SK海力士等厂商均在开展ReRAM的研究和生产工作。
NRAM
NRAM（碳纳米管存储器）是基于碳纳米管的非易失性存储器，该技术由美国公司Nantero开发，并授权于富士通为NRAM的首个商业合作伙伴，富士通从Nantero购买了IP，取得了NRAM的设计、生产和销售许可。
据介绍，NRAM规格类似或接近于FRAM，存储密度远高于FRAM，读写速度接近于DRAM，比NAND Flash快100倍，拥有多于Flash 1000倍以上的读写次数，存储信息能保持更长久，待机模式的功耗接近于零，未来生产工艺技术将低于5nm。
小结：
目前，从市场份额上看，传统存储器仍占据着绝大部分市场，但随着5G时代到来，带动物联网、人工智能、智慧城市等应用市场发展并向存储器提出多样化需求，加上传统存储器市场价格变化等因素，新型存储器将在市场发挥越来越重要的作用。
11月27日，由集邦咨询旗下DRAMeXchange主办的“2020存储产业趋势峰会”即将在深圳举办。提前了解2020年存储市场产能、价格以及趋势变化，欢迎识别下图二维码或点击左下角“阅读原文”报名参会。
2019年11月15日，紫光集团宣布：任命坂本幸雄（Yukio Sakamoto）为紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO。紫光集团目前是中国大型集成电路领军企业，坂本幸雄将借助紫光集团的整体优势，负责拓展紫光在日本市场的业务。
紫光集团董事长兼CEO赵伟国表示：“对于以创新驱动快速发展的紫光集团来说，人才建设尤为重要。坂本幸雄这样世界级人才的加入无疑将增强紫光集团的创新实力。希望有更多优秀的人才能够参与到紫光的发展大业中来。”赵伟国同时强调，“坂本幸雄的到来也是紫光全球发展本地化战略的体现，我们希望紫光在全球各地的分公司，充分利用本地的人才，更好地服务本地的客户，并为本地市场的发展做出贡献。”
坂本幸雄表示：“我非常荣幸加入紫光集团，紫光集团近年来的迅猛发展，以及形成的产业优势是可以一展身手的大舞台。我将利用自己过往在专业领域的经验，结合紫光的发展战略，全力拓展日本市场，并助力紫光的全球化发展。”
坂本幸雄先生在DRAM领域具有30余年的从业经验，在技术以及战略发展上拥有优秀的领导力。坂本幸雄先生曾任日本德州仪器副社长、神户制钢电子信息科半导体部门总监理、联日半导体社长兼代表董事，及尔必达存储社长、代表董事兼CEO。
北京君正作价72亿元收购北京矽成100%股权交易案日前有了新进展。
10月31日，北京君正发布关于《中国证监会行政许可项目审查一次反馈意见通知书》回复的公告。公告显示，北京君正对中国证监会的反馈意见提出的共23个问题一一作出了回复，其中包括本次重组的审批事宜。
北京君正回复称，美国CFIUS及中国台湾投审会审查不属于本次交易的生效条件，但为降低本次交易的不确定性，经交易各方协商，北京君正和北京矽成已就本次交易向CFIUS、台湾投审会提交自愿性申报及审查。
根据CFIUS出具的案件审结函、台湾投审会出具的收文印章以及境外律师出具的备忘录，CFIUS已于10月23日完成对本次交易的安全审查，确认不存在尚未解决的国家安全担忧；台湾投审会已于10月18日正式受理ISSI及ISSI Cayman提交的有关ICSI TW及ISSI Cayman台湾分公司上层陆资股东架构变动申请，截至本回复出具日，台湾投审会审查正在进展过程中；台湾投审会陆资案件审查视个案复杂度通常需时3至6个月。
北京君正表示，本次交易的生效除需取得中国证监会的核准外，不涉及其他境内外有权机构的审批、许可或同意。截至本回复出具日，CFIUS审查已经完成，台湾投审会审查正在进展过程中，结合境外律师出具的备忘录，该等审查应不存在可合理预见的实质性障碍；北京君正及北京矽成已承诺尽最大努力配合，尽力促使本次交易通过台湾投审会审查。
根据最新重组报告草案，北京君正及其全资子公司合肥君正拟以发行股份及支付现金的方式购买屹唐投资、华创芯原、上海瑾矽、民和志威、闪胜创芯、WM、AM、厦门芯华持有的北京矽成59.99%股权，以及武岳峰集电、上海集岑、北京青禾、万丰投资、承裕投资持有的上海承裕100%财产份额，合计交易作价72亿元。
本次收购完成后，北京君正将直接持有北京矽成59.99%股权，并通过上海承裕间接持有北京矽成40.01%股权，即直接及间接合计持有北京矽成100%股权。
北京矽成于2015年以7.8亿美元（按照2018年12月31日人民币汇率中间价6.8632折算约53.7亿元人民币）对美国纳斯达克上市公司ISSI实施私有化收购。ISSI主营各类型高性能 DRAM、SRAM、FLASH存储芯片及ANALOG模拟芯片的研发和销售。
据介绍，ISSI存储芯片产品在DRAM、SRAM领域保持全球领先地位。第三方机构统计显示，2014年ISSI的SRAM产品收入在全球SRAM市场中位居第二位，仅次于赛普拉斯；DRAM产品收入在全球DRAM市场中位居第九位。
北京君正指出，ISSI被北京矽成私有化后，基本维持原模式正常运营，中国资本股东基本维持原ISSI的核心经营管理团队，在行业排名、产品领域、业绩水平方面均有所提升。
2019年上半年，北京矽成（ISSI）的DRAM 产品收入在全球市场中升至第七位，SRAM产品收入保持在全球SRAM市场中位居第二位；截至2018年12月31日，北京矽成收入增长48.64%，净利润增长314.68%，较私有化收购时大幅提高。
在产品领域方面，除了原有的主要产品DRAM、SRAM，ISSI同时也在加强FLASH和ANALOG产品的研发和推广，近年来上述新产品份额持续增加。此外，北京矽成还在加强LED、Connectivity、 LIN、CAN、MCU及光纤通讯业务领域的拓展。
北京君正表示，本次交易系对集成电路产业同行业公司的产业并购，公司将把自身在处理器芯片领域的优势与北京矽成在存储器芯片领域的强大竞争力相结合，形成“处理器+存储器”的技术和产品格局，积极布局及拓展公司产品在车载电子、工业控制和物联网领域的应用，使公司在综合实力、行业地位和核心竞争力等方面得到有效强化，进一步提升公司持续盈利能力。
10月21日，SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb（Gigabits）DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
这款实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。于第二代1Y产品相比，该产品的生产效率提高了27%，并且可以在不适用超高价的EUV（极紫外光刻）曝光工艺的情况下进行生产，结果具有成本竞争力。
该款1Z纳米 DRAM还稳定支持最高3200Mbps的数据传输速率，这是DDR4规格内最高速度。 功耗也显着提高，与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比，将功耗降低了约40％。
特别是，第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料，将DRAM操作的关键要素静电容量（Capacitance）最大化。此外，还引进了新的设计技术，提高了动作稳定性。
DRAM 1Z 开发事业TF长 李廷燻表示：“第三代10纳米级DDR4 DRAM拥有业界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最适合于购买高性能/高容量DRAM的客户需求变化。计划年内完成批量生产，从明年开始正式供应， 积极应对市场需求。”
另一方面，SK海力士计划对于下一代移动DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多种应用领域扩大适用第三代10纳米级微细工程技术。
全球市场研究机构集邦咨询今日（18日）于台大医院国际会议中心，举办「2020年集邦拓墣科技产业大预测」。本次研讨会精彩内容节录如下：
2020年半导体产业发展契机与挑战
2019年半导体产业出现10年来最大衰退，产值估计年减约13%。从IC设计、晶圆代工与OSAT三大面向观察，晶圆代工受惠于7纳米制程技术发展与相关产品加速导入市场，较能抵抗产业逆风带来的负面冲击。
展望2020年，在5G、AI、车用等需求持续增加与新兴终端应用的帮助下，半导体产业将逐渐走出谷底。
而中国台湾地区晶圆代工与OSAT产业之全球占比超过5成，IC设计产业则位居全球第二，预期在产业复苏与终端应用日渐多元的趋势下，台湾地区厂商有望掌握先机，进一步巩固在全球半导体产业的地位。
以AI而言，各大手机芯片供货商皆聚焦AI算力表现，因此2020年的决胜关键，取决于各大芯片厂的AI加速单元，如联发科的APU、高通的DSP与华为的达芬奇等在AI算力的表现以及执行效率高低等。
5G手机应用则是因为全球手机市场已经进入成熟期，导致芯片业者的竞争加剧，所以收购、投资成为提升芯片方案竞争力的必要手段。
车用方面，由于2019年未有大厂发布新一代产品线，加上7纳米的良率逐渐提升，2020年7纳米是否有机会进入车用芯片市场，将是极为重要的观察指标。
整体来看，为了延续摩尔定律，相关业者正努力加快先进制程的开发速度，时程规划也逐渐清晰，预期将持续带动产业发展并刺激需求。
IT基础架构转型驱动内存市场新纪元
近年因AI技术逐渐成熟与智能终端装置普及，多数应用服务皆藉由服务器来统合，尤其是需仰赖庞大数据进行运算与训练的应用服务，再加上虚拟化平台及云储存技术发展，服务器需求与日俱增。
此外，在产业结构改变与服务器运算单元大幅进步之下，亦将带动与传统应用服务截然不同的服务器架构发展，进一步推升服务器的需求。
在云端架构提供服务的基础上，终端被赋予的运算能力相对薄弱，多是藉由云端来获取运算与存储资源，预期5G商转后数据中心的应用将更多元，带动微型服务器(Micro Server Node)与边际运算(Edge Computing)成长，并将成为2020年后的发展主轴，以实现物联网与车联网等应用场景。
受到数据中心的落实驱动，2019年服务器DRAM全年使用量占整体DRAM的三成以上，预估2025年在5G相关部署驱动下，更将上升至接近四成。
内存市场趋势及智能手机发展解析
2019年全球内存市场呈现供过于求，供应端在高库存的压力下，季度价格不断探底，全年平均跌幅将近50%，展望2020年，内存市场是否延续此跌势，备受市场关注。
在整机方面，2020年智能手机的设计主轴除了极致全屏幕外，屏下指纹辨识及屏下镜头的搭载比例提高、内存容量加大，以及后摄多镜头与提高像素等优化照相表现等，同列明年智能手机功能配置的重点。
不过，最受市场期盼的仍属5G手机的应用，随着品牌厂的积极研发，以及中国大陆政府积极推动5G商转，预计明年5G手机的渗透率有望从今年的1%，大幅跃升至15%。
终局之战，谈2020年显示产业竞争态势与曙光
受到需求不振以及面板产能过剩的冲击，大尺寸面板市场正在经历一波不小的低潮。
韩系面板厂陆续弃守TFT-LCD TV面板市场，转往更高端的OLED TV与QD-OLED TV发展；台系面板厂则持续往更高端的产品市场移动，两个区域的厂商都试图减缓中国面板厂在规模与价格上的竞争压力。
而中国大陆面板厂在持续扩大产能下，预期将会逐渐取得TFT-LCD市场的主导权。小尺寸市场中，AMOLED机种透过屏下指纹辨识方案的搭载提升产品价值，确立在高端旗舰市场的地位，挤压了部分的LTPS机种往中端市场移动。
预期LCD机种未来只能透过价格策略与成本控制，尽可能确立自身的竞争力。展望2020年，在5G、电竞等议题的带动下，预计高刷新率面板将会是手机市场规格的一大新亮点。
Mini LED将成为显示产业升级的推手
由于Mini LED具备高亮度，加上LED排列间距的微缩，应用在背光显示器与自发光显示器上，将可大幅提升显示器的细致度与高对比度效果。
而Mini LED显示器与传统LED的技术落差并不大，差别仅在于使用更多颗Mini LED芯片，因此对于供应链中的LED封装厂与模组厂来说，只需要重新投资部分设备，如LED打件转移及检测设备等，以及重新设计驱动IC和挑选基板即可快速与Mini LED接轨，可谓是无痛升级。
Mini LED的导入，将可改善现有背光显示器（如电视、笔电、monitor、平板、车用、VR等），以及自发光的室内商业显示器等应用的显示性能，并提升既有显示产品的价值。预计2020年将会是Mini LED应用爆发的年代，预估电视及monitor等中大型的背光显示器将率先量产，其余仍须视品牌厂产品策略而定。
展望2020-5G实现商用
随着2020年上半年R16标准完成，各国电信营运商规划5G网络除在人口密集的大城市布建之外，亦会扩大服务范围商用，并有更多5G终端或无线基站等产品问世。
全球通讯产业发展重点仍为5G，不论芯片大厂高通、海思、三星与联发科等，亦或设备商华为、Ericsson与Nokia等都将推出各种5G解决方案抢攻市场。
另一方面，随着5G SoC制程走向成熟，加上5G终端技术与运营商网络投资，将带动芯片和终端成本下降。初期5G SoC定位在高端手机使用与测试，以期能快速提升5G手机渗透率。
在企业专网发展上，各国由于制度及产业特性不同，因而有不同考虑。但若是以市场利益而言，在各方瞄准5G垂直应用商机之际，垂直产业若能拥有频谱又能自建专网，将更能符合其产业领域的需求，但亦可能影响电信运营商的既有布局。电信运营商能否满足企业需求，为应解决的议题。
汽车市场衰退幅度有望缩小，电动化与自动化加速发展
2020年全球汽车市场总量仍将下滑，但衰退幅度有机会缩小至1.5%，原因在于虽然目前尚未见到主要市场有强大成长驱动力，但持续两年的中美贸易战在企业逐渐适应并拟出对策后，冲击力道逐步减轻。即便车市短期内仍处逆风，但电动化和自动化的脚步却不会停止。
多国在2020年后将加严汽车的二氧化碳排放标准，促使车厂更积极推出电动车款，预期各类电动车皆呈现成长。
然而，能纯电行驶的各类电动车发展仍受到价格高昂等因素限制，因此，同样能降低碳排放的Mild HEV（轻混合动力车）受到各界注目，预计2020年将有大幅成长。
而自动化的发展上，将有更多的ADAS次系统成为新车标配并带动传感器市场成长。此外，虽预期Level3的量产车款有限，但2020年有机会看到更多Level4等级的商用车市场化案例。
终端产品发展更多元，带动2020年市场扩展
当许多消费电子市场步入停滞或衰退之际，厂商开始加强新产品的开发，以更细分的市场和功能来推动产品的成长动能。例如游戏机经历数年终于将迎来次代产品的推出，但云端服务厂商也会趁机推出云端串流游戏以及相对应的硬件来抢食这块市场，至于Oculus、Valve等VR厂商将透过游戏和内容服务来竞争。
智能手表受惠于入门款产品售价降低，以及更多品牌和产品加入，市场将加速成长，预计2020年出货量将达到8,055万支。而语音功能成为蓝牙无线耳机、智能音箱等产品的成长关键，在低价与机海策略下市场将快速扩张。
此外，增加智能音箱的搭载功能也成为厂商吸引消费者的手段，包含显示屏幕、相机模组等，预估2020年智能音箱的出货量将窜升到1.7亿台。
