存储器大厂南亚科3日公布2019年8月份营收，金额来到52.22亿元（新台币，下同），较7月份的45.76亿元增加14.12%，但是较2018年同期减少36.57%，创下近9个月来的新高数字。
南亚科指出，8月份营收成长，主要是受惠季节旺季需求增加，销售量较上月增加约高个位数字百分比。因此，累计，2019年前8个月营收来到336.11亿元，较2018年同期的597.85亿元，减少43.78%。
而除了公布财报之外，南亚科还宣布将调升2019年第3季的位元销售量。南亚科指出，2019年第3季因各应用市场区块旺季，DRAM供需逐步平稳。因此，南亚科宣布调升本季较前季的位元销售量增加幅度，由中十位数百分比至逾25%。
事实上，之前南亚科就表示，对于第3季营运展望，预期在需求量增加，跌价趋缓，客户端库存减少，以及美中贸易摩擦相关不确定因素趋缓的情况下，预计2019年第3季整体需求，可望较第2季表现更好。
此外，当时也宣布2019年第3季位元出货量将季增5%，使得营收持续逐季成长。如今，在南亚科宣布调高第3季的位元销售量的情况下，有机会使第3季营收将再写新高，持续拉抬南亚科的营收表现。
美国存储器大厂美光（Micron）对于台湾地区台中厂扩建一案提出正式回应说明。美光表示，如同美光于公布2019会计年度第三季度财报时所言，今年4月美光于台中的无尘室扩建工程正式动土。
美光表示，由于未来开发DRAM节点所需处理步骤可能更繁杂，需要更多无尘室空间以因应。无尘室的扩建将有助于推进台湾美光现有晶圆产能DRAM制程转换，美光并不会因该扩建而增加任何新的晶圆产能。台湾美光将不就任何有关进一步扩建或投资台湾的猜测及谣言发表评论。
综观全球，美光确认将2019会计年度的资本支出从年初105亿美元加减5%，调降至大约90亿美元。相较于2019会计年度，美光也计划有意义地降低2020会计年度资本支出投资水平。
2018年下半年开始的存储器供过于求情况，加上后来的美中与日韩贸易摩擦冲击，使得存储器市场持续走跌的情况，日前似乎有回稳迹象。其中，在现货价之前首先止跌的状态下，厂商一直力图拉抬合约价也同时上涨。
不过，在当前合约价尚未复苏，而且加上市场需求仍不明显的情况下，预计将使得现货价有回复下跌的走势，使得现货价与合约价逐渐缩小价差。至于，整体去库存的情况，则还需要2到3季的时间。
至于，8月份的现货市场，集邦咨询则是指出，几乎每一个交易日都是小幅走跌的态势。但是，由于目前现货商在7月份抢货，造成的库存水位大增，在需求迟迟未见的状况下，降价的压力逐渐增大，后续现货价格的跌势将会加快，收敛与合约价的价差。
事实上，集邦咨询之前就表示，在日韩贸易冲突上，因为日本身为原物料供应大国，对南韩的手段是在于“加强审查”，并非极端的“停止供货”的情况下，相关的南韩进口需求，在日本相关单位审查完成，最快甚至不到先前公布的90天审核效期，就已经陆续通过部分的申请文件。这使得韩系相关厂上手上的原物料库存在预计用完以前，就可以及时供货到位，所以并不会造成DRAM市场供货短缺。
至于，在9月份的合约市场展望上，由于先前市场担忧的原物料供货紧缺因素已经排除。因此，价格走势回到单纯的供需态势。对此，集邦咨询也重申，在原厂目前DRAM库存仍高的情况下，价格易跌难涨，目前最乐观的情境预估是持平开出，而下一次价格跌幅将会在2019年第4季的第1个月份(10月)再现，但不排除在10月以前就会有特殊交易(specialdeals)低于US$25价位。只是，因为这类交易都有特殊的条件(condition)，因此较难列入一般合约价格的采样。
整体来说，产业的库存去化预计还将需要2至3季的时间，届时才会由供应商有效的转移到买方，改变价格跌幅的走势。
随着5G新空中介面（5G NR）时代来临，基于5G高速网络建置的物联网、车联网等边缘运算市场正在快速成长，且各项终端装置需要搭载能支援独立运算的DRAM或NOR/NAND Flash。华邦电看好同质及异质整合存储器的趋势，推出多芯片存储器模组（MCP）强攻5G边缘运算市场，并已打进国际一线系统厂及一线车厂供应链。
受到存储器价格下滑影响，华邦电第二季合并营收季增10.3%达120.11亿元（新台币，下同），归属母公司税后净利季增11.3%达4.62亿元，每股净利0.12元。华邦电上半年合并营收228.98亿元，归属母公司税后净利达8.77亿元，每股净利0.22元。
华邦电第三季开始全产能投片，主要是针对订单的需求，下半年看起来会比上半年好。华邦电公告7月合并营收月增5.7%达43.27亿元，较去年同期减少5.9%，累计前7个月合并营收272.26亿元，较去年同期减少约10.0%。法人预期华邦电第三季营收逐月成长，季度营收将较上季成长约10%幅度。
华邦电是中国台湾唯一拥有DRAM、NOR Flash、NAND Flash完整产品线的存储器厂，由于产能规模以及先进制程无法与国际一线大厂竞争，华邦电改走小而美精品市场区隔，近几年来在车用电子、物联网、5G基地台、智能穿戴设备等市场拥有不错的出货量及市占率。且因为华邦电产品线完整，MCP成为华邦电强攻物联网及车联网等5G边缘运算市场的最佳利器。
华邦电推出SpiStack Flash系列MCP，是业界第一家能将同质与异质存储器合封在同一封装的存储器厂，透过将两个或两个以上芯片组合，且维持原本简单8脚封装，客户能用原本的控制码及透过原先通用的SPI接口来驱动不同容量MCP。
此系列MCP能提供多样化且定制化的组合，近期推出整合16Mb NOR及1Gb NAND的MCP，并获恩智浦开发板采用并搭配其Layerscape通信处理器合攻物联网市场。
华邦电也推出整合同为1.8V低功耗DRAM及NAND Flash的MCP，能够节省电路板的面积，进而降低整个系统的成本。华邦电表示，在很多非常在意系统空间的应用中，例如手机及智慧表等可携式装置，这种能让电路板面积缩小的MCP具有优势。
对标世界顶尖水平，扎实推动智能产业高质量发展。今年智博会传来好消息。在重庆市委市政府的大力推动下，8月27日，重庆市人民政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。与此同时，重庆市经济和信息化委员会、重庆两江新区管委会与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目投资合作协议，以进一步推动芯片产业基地项目在两江新区的落地建设。
根据协议，紫光集团将在重庆两江新区发起设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金，建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂、紫光科技园等。据了解，DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。
补齐中国集成电路短板
存储器是中国集成电路产业的短板，也是国家大力推进的重点领域。数据显示，2018年中国大陆进口集成电路金额高达3120.6亿美元，已远超石油进口额，成为中国进口金额最大的商品，其中存储器占集成电路进口金额的39%，达到1230.6亿美元。
目前市场上主要有两类存储器产品，一类是DRAM（动态随机存储器），承担计算时的数据缓存功能；另一类是NAND Flash（闪存），承担数据的存储功能。存储器广泛应用于手机、个人电脑、企业服务器、数据中心等领域。
此次签署的紫光存储芯片产业基地项目，将极大的带动重庆市乃至中国集成电路产业的发展，对重庆深入发挥“三个作用”，布局国际国内市场，推动智能产业“补链成群”，推动经济社会高质量发展具有十分重要的战略意义。
打造研发、生产、上下游企业一体化基地
按照此次签署的协议，紫光国芯集成电路股份有限公司将作为紫光集团已经和未来在各地设立的存储芯片制造工厂的投资主体，打造世界级存储芯片领域核心产业集团。
紫光重庆存储芯片工厂则依靠紫光集团在存储器领域积累的从设计、生产、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产业化经验，主要专注12英寸DRAM存储芯片的制造。该工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。
值得一提的是，紫光集团DRAM总部研发中心同样落户两江新区。紫光集团DRAM事业群已于今年6月底组建成立。在芯片工厂建成前，紫光集团先期在现有芯片工厂内设立产品中试生产线，进行产品生产工艺技术研发，待工艺成熟后在紫光重庆芯片工厂量产。
紫光科技园则以存储芯片研发设计为龙头，整合紫光集团产业资源，引入产业链上下游企业机构，打造具备国际竞争力的科技园区。
紫光完善存储器布局
打造“从芯到云”产业链条
存储器是紫光集团芯片业务的战略重点之一。经过多年的发展，紫光集团在存储器的设计制造领域已形成一定基础，积累了从设计、生产、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产业化经验。
紫光集团布局DRAM由来已久，旗下西安紫光国芯一直专注于存储器尤其是DRAM的产品技术研发，拥有从产品立项、指标定义、电路设计、版图设计到硅片、颗粒、内存条测试及售前售后技术支持等全方位技术积累。
在DRAM领域，西安紫光国芯自主创新出全球首系列内嵌自检测修复DRAM存储器产品（ECC DRAM）；它开发的存储器芯片产品覆盖标准SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4，其中二十余款产品实现全球量产和销售；其存储器模组产品包括服务器内存模组（RDIMM，NVDIMM）、笔记本内存模组（SODIMM）和台式机内存模组（UDIMM），四十余款模组产品也实现了全球量产和销售。
而在存储芯片制造领域，紫光也已积累了成功经验。紫光旗下长江存储，是一家领先的集成器件制造商(IDM)，建立了存储器芯片设计到制造的完整产业链。
长江存储研发设计并成功量产了中国第一款3D NAND存储器，填补了国内技术和市场空白。
长江存储创新的Xtacking?模块化架构带来了存储器生产制造效率的显著提升(生产制造周期缩短约20%)，标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。搭载Xtacking?架构的长江存储64层3D NAND拥有全球同代产品中最高的存储密度，已研发成功，并将于2019年内实现量产。
通过此次存储芯片产业基地项目在渝落地，紫光集团将进一步完善以移动芯片设计为突破口，以存储芯片制造为纵深，贯穿 “从芯到云”的产业链条。
未来，紫光的存储器产品将通过全球合作，包括与紫光内生产业链的新华三、紫光存储、紫光展锐等公司配合，实现芯片与系统应用的匹配、检验、调优，快速实现技术创新落地，赢得市场。
两江新区智能产业加快补链成群
迈向高端
研究数据表明，芯片产业1美元的产值，可以带动电子信息产业10美元的产值和100美元的国内生产总值。可以预见该项目的落户，有利于吸引集成电路上下游企业布局核心基础零部件与关键基础材料等重大项目，在重庆及两江新区形成一个数千亿级战略产业集群。
从DRAM存储芯片制造工厂，到DRAM事业群总部，再到紫光云（南方）总部，紫光在重庆的重大布局，都在两江新区。这与两江新区乃至全市作为全球重要的电子信息产业基地良好的产业生态圈有关。
目前，全市共有集成电路设计企业12家，其中4家在两江新区。除IC设计企业外，两江新区拥有集成电路类制造企业3家，包括万国半导体、超硅、奥特斯等行业巨头。
以奥特斯为例，该公司是欧洲最大、全球顶尖的高端半导体封装载板和高密度互连印刷电路板制造商，其重庆工厂位于两江新区鱼复工业开发区，于2016年4月正式投产，主要生产应用于电脑微处理器的半导体封装载板和应用于高端移动设备和可穿戴设备的类载板。今年7月，奥特斯加码投资，计划在未来5年投资近10亿欧元，在奥特斯重庆工厂现有厂区内新建一座工厂，生产应用于高性能计算模组的高端半导体封装载板。此番扩能，从一个侧面佐证了奥特斯对重庆及两江新区电子产业的积极态度。
而就在数天前，重庆两江新区半导体产业园（重庆芯中心）项目在两江新区水土园区开工。该项目将建成为以半导体产业为核心、IC设计为重点，辐射汽车电子、人工智能、物联网、智能终端等产业，承载公共服务平台、产业创新孵化、研发设计总部、产业应用延伸等功能的特色园区。
据悉，该项目全面建成后预计将引进企业200余家，提供5000个就业机会，到2025年预计园区总产值将达到30亿元。
不仅是集成电路产业集群，两江新区围绕纬创、旭硕、仁宝打造6000万台笔电制造基地；围绕京东方、莱宝、康宁等企业打造1000亿元的显示光电产业集群；围绕海尔、格力等整机及配套企业打造500亿元的信息家电集群……
近年来，两江新区大力发展智能产业，围绕“芯屏器核网”发展方向，狠抓龙头企业引进、补链强链壮链，已形成了以集成电路、显示面板、智能终端三大产业集群为主的电子信息制造业。
未来，两江新区将继续大力推进产业生态圈构建，进一步梳理产业体系，立足“芯屏器核网”智能产业、生物医药等优势产业，打通上下游产业链，打造更具竞争力的产业集群。此次紫光集团多个项目布局重庆两江新区，可谓相得益彰，强强联合，进一步夯实重庆角逐全球智能产业基地的战略规划。
背景资料：
紫光集团在重庆的七大项目正快速推进
紫光集团是中国大型综合性集成电路领军企业和领先的全产业链云网设备和服务企业，致力于成为世界级“从芯到云”的高科技产业集团。目前，紫光旗下紫光展锐是全球第三大面向公开市场的手机芯片设计企业，紫光旗下新华三在企业级IT服务细分领域排名中国第一、世界第二。
自2018年重庆市政府与紫光集团签署战略合作协议及入驻两江新区落地协议以来， “智能安防+AI”、紫光云(南方)总部、金融科技、数字电视核心芯片全球总部及设计研发中心、移动智能终端芯片设计研发中心等多个项目正在快速推进。
2018年2月12日，重庆市政府与紫光集团签署战略合作协议及入驻两江新区落地协议，共涉及7项合作内容：集成电路总部基地和高端芯片制造基地、“智能安防+AI”、 紫光云南方总部、金融科技、工业4.0智能工厂、数字电视芯片、移动智能终端先进芯片。
2019年4月18日，紫光集团重庆大楼在两江新区正式投入使用，大楼涵盖近23000平米的办公区域和近千平的创新体验中心，紫光集团旗下的重庆紫光华山智安科技有限公司、紫光南方云技术有限公司、紫光重庆数字科技有限公司、紫光金融信息服务有限公司等4家子公司及新华三集团重庆代表处均已正式入驻。
在众多项目中，进展尤其快的是“智能安防+AI”项目。紫光集团专门在两江新区投资设立了重庆紫光华山智安科技有限公司（简称“紫光华智”），专注于“智能安防+AI”产品的研发、制造、销售和服务，致力于创新和践行以人工智能和大数据为核心的新一代安防整体解决方案。
今年4月，紫光华智与两江新区签署投资合作协议，紫光华智数字工厂落户两江新区鱼复园区，占地面积256亩。该工厂主要生产软件定义摄像机、智能视频分析服务器、海量图片云存储、智能硬盘录像机等安防相关的高科技产品，将全力打造全面信息化的智能制造样板工厂。
紫光南方云技术有限公司是紫光集团在重庆投资的7大项目之一，也是紫光云的南方总部，作为“芯云战略”的重要组成部分，该项目的进展同样备受关注。
紫光南方云以云平台为支撑，以运营服务为引擎，以生态发展为龙头，深度构建IaaS领域，重点突破行业场景化PaaS能力，全面形成SaaS生态，打造一朵“芯云一体 授信安全 场景驱动 混合交付”的云，持续推动产业转型与升级。
自去年9月落户重庆以来，紫光南方云已服务于重庆市税务、重庆环保等多个部门和企业，并在重庆落地智慧园区与工业互联网平台经济区域总部。
此外，紫光南方云与两江新区合资成立紫光重庆数字科技有限公司，专注于智慧城市的投资、建设和运营，通过对数据、能力、运营的高度融合，达到强政、兴业和惠民的目标，带动城市数字化升级，促进产城融合。
日前美光公司宣布量产了1Znm工艺的16Gb DDR4内存，这是第第三代10nm级内存工艺，这次量产也让美光成为业界第一个量产1Znm工艺的公司，这一次进度比以往的标杆三星公司还要快。
在内存工艺进入20nm之后，由于制造难度越来越高，内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了1X、1Y、1Z，大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。
根据美光之前公布的路线图，实际上1Znm之后还会有1αnm、1βnm、1γnm，这样一来10nm级别就有六种制造工艺了，现在正好演进到到了第三代。
美光表示，与上一代1Ynm制程相比，1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本，不过美光并没有给出具体的数据，性能提升多少、成本降低多少尚无确切数据，唯一比较确切的就是说1Znm 16Gb DDR4内存相比前几代8Gb DDR4降低了大约40%的功耗，但这个比较也太过宽泛。
此外，美光还宣布批量出货基于UFS多芯片封装uMCP的、业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存，满足了业界对低功耗及更小封装的的要求。
市场传出存储器大厂美光(Micron)将在中国台湾兴建A3和A5两座晶圆厂，不过，台湾美光昨(26)日表示，目前在台投资计划仅有在中科厂旁扩建A3无尘室，而没有A5厂的规划；且现阶段美光的全球产能布局原则为提升制程技术与增加产品容量，而非增加晶圆投片量。
台湾美光表示，正在台中后里厂区动工扩建A3厂，主要是为了扩大增加无尘室设备空间和技术升级，预计明(2020)年第四季完工，但目前没有A5厂的规划。而扩建无尘室空间是为了因应先进制程之新设备需求，且目前美光的全球产能布局原则是提升制程技术、与增加存储器储存容量，而并非增加晶圆投片量或月产能。
分析师则指出，美光在台大举投资，可望发挥一定程度拉抬台湾经济，以及带动就业的效果；不过，由于整体产能规划未变，推测对后段封测厂，例如力成、南茂、日月光等助益也有限，而后续更值得留意的是，台湾美光将跨足先进封测领域，是否会影响相关台厂在高端封测的订单。
全球第三大DRAM厂美商美光（Micron）加码投资中国台湾地区，要在现有中科厂区旁兴建两座晶圆厂，总投资额达新台币4,000亿元（约合人民币903亿元），以生产下世代最新制程生产DRAM。时值DRAM仍供过于求，美光大手笔投资，震撼业界。
这是美光继在台中投资先进存储器后段封测厂后，又一次大手笔投资台湾。中科管理局透露，美光此次投资案，名列台湾第二大半导体投资案（仅次于台积电中科与南科扩建案），若以外商来看，则是最大投资案。
据了解，美光此次903亿元扩建案，规划在目前中科厂旁，兴建A3及A5两座晶圆厂。其中，A3厂预定明年8月完工，并陆续装机，明年第4季导入最新的1z制程试产，藉此缩小与龙头三星的差距；第二期A5厂将视市场需求，逐步扩增产能，规划设计月产能6万片。
美光台湾分公司证实在台中扩建A3厂，且已进入兴建工程。美光台湾强调，A3厂房是以扩建无尘室为主，将加入既有的桃园前段晶圆厂，以及台中后里前段晶圆厂的前段晶圆制造生产线， 进一步扩充美光在台设立的DRAM卓越中心的设备更新、技术升级。至于A3厂投资金额和A5厂相关产能规划等细节，则不便透露。
因应这项扩建案，美光近期整并位于台中的原瑞晶厂与并购华亚科的桃园厂组织架构，分别列为美光的A1厂及A2厂，两座晶圆厂全数划归美光台湾董事长兼台中厂营运长徐国晋管辖，数十位中间主管因组织重叠而优退，桃园厂营运长叶仁杰也订9月1日离职。
美光是全球第三大DRAM厂，名列韩国三星、SK海力士之后。目前DRAM市场仍供过于求，价格跌势延续，三星、SK海力士为均暂缓扩产，避免打乱市场，加上先前日韩贸易战一度使得南韩DRAM生产恐受影响，市场原看好DRAM市况可望反转向上，如今美光大手笔投资，引发高度关注。
据了解，美光此次大手笔投资，主要看好进入第五代移动通讯（5G）时代之后，快速驱动人工智能（AI）、物联网和智慧车等应用发展，带动DRAM需求强劲，提早卡位相关商机，并优先扩建需导入更先进设备的无尘室，以利让台湾厂区制程正式推进到最先进的1z世代。
业界分析，以一座晶圆运作人数约需1,000人计算，美光此次大投资，势必要大举招募相关制程和技术人才，美光同步在新加坡和台湾进行3D NAND Flash和DRAM制程推进和产能扩张，扩大全球市占的企图心显著。
根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出，日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布，将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。对此，市场预估，美光的该项新产品还会在2019年底前，在美光位于中国台湾台中的厂区内建立量产产线。
报导指出，美光指出，与第2代10纳米级（1ynm）制程相比，美光的第3代10纳米级制程(1Znm)DRAM制造技术将使该公司能够提高其DRAM的位元密度，从而增强性能，并且降低功耗。此外，以第3代10纳米级制程所生产新一代DRAM，与同样为16GB DDR4的产品来比较，功耗较第2代10纳米级制程产品低40%。
另外，在16GB LPDDR4X DRAM方面，1Znm制程技术将较1Ynm制程技术的产品节省高达10%的功率。而且，由于1Znm制程技术提供的位元密度更高，这使得美光可以降低生产成本，未来使得存储器更加便宜。
报导进一步指出，美光本次并没有透露其16Gb DDR4 DRAM的传输速度为何，但根据市场预计，美光的新一代1Znm制程DRAM存储器将会符合JEDEC制定的官方标准规格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存储器的设备将会是以桌上型电脑、笔记型电脑、工作站的高容量存储器模组为主。
至于，在行动存储器方面，根据美光公布的资料显示，1Znm制程的16GB LPDDR4X存储器的传输速率最高可达4266 MT/s。此外，除了为高端智能手机提供高达16GB（8×16Gb）LPDDR4X的DRAM模组外，美光还将提供基于UFS规格的多存储器模组（uMCP4），其中内含NAND Flash和DRAM。而美光针对主流手机的uMCP4系列产品将包括64GB＋3GB至256GB＋8GB（NAND＋DRAM）等规格。
虽然美光没有透露其采用1Znm技术的16GB DDR4和LPDDR4X存储器将会在哪里生产，不过市场分析师推测，美光其在日本广岛的工厂将会采用最新的制造技术开始批量生产，而在此同时，也期待2019年底前在台湾台中附近的美光台湾晶圆厂将开始营运1Znm制程技术的生产线。
