日韩贸易战推现货存储器反弹,合约市场仍未撼动

日韩贸易战推现货存储器反弹,合约市场仍未撼动

6月东芝停电事件,加上7月开始日韩贸易战延烧,推动了已跌到亏损流血的NAND Flash现货价率先反弹,结束了2年多来的空头走势,此波存储器价格由NAND Flash先起涨,接下来日韩贸易战加入下,DRAM在7月份现货价也开始反弹。

整体来看,对市场价格较敏感的通路商开始拉货,推动部分比较受惠于现货市场的存储器模组厂商营运也明显反弹;但在合约市场部分,由于合约市场走向仍是取决于整体供需状况,又因日韩贸易战管控的半导体材料并非完全禁止出口,再加上需求面没有太大改善,所以合约市场是否可以开始开启一波多头走势则仍待观察,日韩贸易战若双方关系更趋于紧张导致实质影响供给,才较有机会助整体市况改善。

现货市场DRAM/NAND Flash价格反弹

由于东芝停电事件影响所及,造成此波NAND价格正式于6月落底反弹,再加上供给端一直有受到控制,近期又加上SK Hynix宣布减产,推动现货市场率先反弹,此波反弹以拥有较多现货的存储器模组厂商威刚率先发难,甚至宣布管控出货,采用优先出货大客户的方式来控管,威刚董事长陈立白认为,这一波存储器的反弹不会是暂时性短暂的,下游的库存在这一波空头后都已压到很低,现在则回头再来备安全库存。事实上,DRAM现货价在8月份仍是向上走势。

DRAM现货价自底部到最高峰价约反弹5成水准,陈立白表示,短期内日韩贸易战纷扰不易解决,恐影响韩国存储器厂全产能量产,加上上游原厂也纷纷宣布减产或延后资本支出和设备投资,这一波反弹格局可达11月。

而在NAND的部分,均价于2017年11月起迄今已历经相当长时间的跌势,价格已贴近厂商现金成本,且已长期压在不合理的流血价,相对在东芝跳电影响下,估约影响全球10%的NAND产能,推动NAND Flash主要厂商都在第一时间同步调涨价格,8月现货价格持续反弹。

研调单位仍保守看合约市场

宇瞻总经理张家騉则认为,合约市场占整个DRAM 9成的量,以目前即便日本把韩国踢出贸易白名单,也只是延后出货日本的半导体关键材料,不代表会断链,但以合约价在往下走的状况来看,目前堆库存都是不智之举。

中科院微电子所副总工程师: 嵌入式MRAM大规模量产成定局

中科院微电子所副总工程师: 嵌入式MRAM大规模量产成定局

AI未来发展需打破冯诺依曼瓶颈

人工智能(AI)持续火热。但是,对AI内涵其实有不同的理解。实际上,20年以前,语音识别、图像识别都是很热的AI究领域。现在,显然不再有人关注了。

AI是计算机科学的一个分支。中科院微电子所副总工程师赵超对《中国电子报》记者表示,AI发展,首先要了解智能的实质,再模拟人类智能,制造智能机器。

现在,大家理解的AI,包括像AlphaGo这样的深度学习机器,采用的是传统冯诺依曼构架,数据处理和存储是分离的,需要大量的数据传输,造成冯诺依曼瓶颈的存储墙和功耗墙。

赵超对《中国电子报》记者表示:“AlphaGo本身的机器学习,不存在实用的可能。临时的解决方案,采用三维封装,把存储器和处理器集成在一起。或者,像寒武纪深度学习处理器那样,把存储器跟处理器做在同一个芯片内,实现所谓的近存储器计算,减少数据传输的影响。”

赵超认为,AI未来的希望在于真正打破冯诺依曼瓶颈,直接用存储器计算,即算即存。更长远的未来,直接用神经元网络完全模拟大脑。这个任务,最终能不能完成、什么时候完成还不确定。赵超认为,AI对芯片产业的直接贡献度,在短期内不会太大。

嵌入式MRAM应用成为近期亮点

新型存储器,特别是嵌入式MRAM在逻辑芯片的应用,是近期的亮点。MRAM,即Magnetic Random Access Memory,是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。

“嵌入式MRAM的大规模量产已成定局。除了替代嵌入式闪存、DRAM,还会取代一部分SRAM。这种替代,不仅在‘先进技术代’,而且在‘大尺寸技术代’也会发生。国内的逻辑代工企业再不跟上步伐,可能要犯历史性错误。”赵超说。

多因素造成存储器价格波动

存储器市场波动的现象已经存在几十年了。存储器价格不断起伏,幅度非常大。全球存储市场从2017年开始走向高峰,至2019年逐渐下滑。赵超认为,存储器价格的这种起伏,是由很多因素造成,包括为了打压竞争对手的企业策略等等。

“这一波存储器的繁荣,已经有两年时间,存储器价格上升主要是大数据、云计算等领域驱动因素推动的。目前,DRAM普遍降价,可能因为期货市场的无规律波动。比如,前期库存过多,需要减仓。如果说有技术方面的影响,可能跟Intel的新型处理器推迟上市有点关联。”赵超说。

在微软的VISTA刚面市之时,奇梦达预测DRAM需求会有大的增加,但此操作系统很不受客户待见,造成了预测错误,成为奇梦达倒闭的直接原因之一。

“其实,这种价格波动对期货市场的影响要大于制造厂商,特别是对于制造业内,一些还不能向市场提供DRAM产能的厂商,近期来看,制造业市场上的这些厂商不会受到价格波动的影响。”赵超说。

“长期来看,跟友商之间的价格战在所难免。然而,不管价格怎么走,芯片制造业是一个周期非常长的产业,短期价格波动不应该成为影响企业决策的主要因素。”赵超说。

培养人才需全社会共同努力

对于我国市场发展未来需要面对的挑战,赵超表示,目前人才的供需矛盾十分突出。“高校人才培养数量完全不能满足业界需求。人才培养不像资金流动一样具有周期性,怎么解决这个问题,需要教育部门和全社会一起努力解决,包括企业、地方政府联合高校一起组织高水平职业培训。可以建立对硕士、博士的研究生培养班。我们最近有一些尝试,见到一些效果。”赵超说。

前7个月威刚DRAM产品营收比重48.97%

前7个月威刚DRAM产品营收比重48.97%

存储器模组厂威刚6日公布2019年第2季财报,2019年上半年税后净利为2.62亿元(新台币,下同),较2018年同期增加78.63%,每股EPS 1.25元。

威刚指出,随着DRAM及NAND Flash现货价格双双落底反弹、国际贸易纷争未解,以及供应端产出收敛,下游客户回补安全库存需求持续强劲,再加上第3季传统旺季及新机上市效应,预期在价格、需求同步回升之下,下半年营运绩效可期,整体表现将明显优于上半年。

威刚指出,2019年第2季受DRAM价格跌幅超乎预期影响,第2季累计营收为55.74亿元,毛利率略为下滑至8.49%。不过,在业外获利挹注下,单季税前净利为1.99亿元,较第1季增加12.71%,税后净利1.1亿元。归属母公司业主利益为1.15亿元。累计,2019年上半年合并营收为119.8亿元,税后净利2.62亿元。归属母公司业主利益为2.73亿元,以加权平均股本21.82亿元计算。

7月合并营收部分,金额来到20.62亿元,较6月增加6.5%。NAND Flash相关产品营收较6月成长18.67%,固态硬盘(SSD)产品出货更持续升高,占整体营收比重也正式突破三成,达32.46%。

董事长陈立白表示,2019年NAND Flash与DRAM现货价已在6月落底,合约价亦在7月底和8月底分别落底,由于短期内日韩贸易战不易解决,恐影响韩国存储器厂全产能量产,加上上游原厂也纷纷宣布减产或延后资本支出和设备投资,看好此波存储器价格走势可望延续至11月。

另外,威刚还指出,在未来几个月价格走势确立之下,威刚预计第3季业绩将因需求呈现逐月成长态势,并持续优先出货予老客户,为下半年整体获利争取最佳效益。累计,威刚2019年前7个月合并营收为140.41亿元,DRAM产品营收比重48.97%,非DRAM产品营收比重51.03%。

南亚科7月营收月成长12% DRAM将回温

南亚科7月营收月成长12% DRAM将回温

存储器大厂南亚科5日公布7月份营收,受惠存储器跌价收敛,市场需求增温,以及日韩贸易战效应,拉抬存储器价格进一步回温的情况下,营收金额达到45.76亿元(新台币,下同),较6月份的48.86亿元成长12%,较2018年同期的81.62亿元减少43.94%,创2019年以来单月的营收新高纪录。累计,2019年前7个月的合并营来到283.89亿元,较2018年同期减少44.93%。

日前,南亚科总经理李培瑛在法说会上曾经指出,2019年第2季因各应用市场区块需求增加,使得位元销售量较上季成长。统计,2019年第2季销售量较第1季增加逾3成,DRAM平均售价为季跌中十位数百分比。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,DRAM虽然现货市场价格自7月初以来大涨24%,但毕竟现货市场规模小,无法有效去化原厂高库存水位,加上整体终端需求进入旺季前未见明显起色,导致合约价格再度呈现下跌走势。

这样的情况正好印证了李培瑛之前所说的,现货价有机会抢先反弹,短期合约价可能持续走跌。但是,跌幅可望缩小,使得南亚科毛利率震荡情况趋缓。

展望未来,李培瑛则指出,2019年第3季算是旺季,新产品及服务器需求可望提升,预计表现比第2季好,而且下半年DRAM价格跌幅也应会收歛。

目前,南亚科的合约价跌幅小于现货,且市况已经开始好转。而针对日本对韩国执行经济制裁,李培英之前也指出,目前的确有客户探询供货状况,不过还未正式确认。

因此,整体来说,在需求量增加、跌价趋缓、客户端库存减少,预计2019年第3季整体需求可望较第2季佳的情况下,有机会拉抬南亚科的营收表现。

日韩问题真相!移出“白名单”对韩半导体甚至内存产业影响如何

日韩问题真相!移出“白名单”对韩半导体甚至内存产业影响如何

日本限制3项半导体原物料的起因,在于这些有转为军事用途的可能性,并非针对韩国半导体产业

日本身为国际组织一员,根据瓦圣纳协议(Wassenaar Arrangement)对常规武器与军商两用物品都有严格规范,目前参与签署的国家有42国,目的就是确保武器不扩散,避免部分国家有能力制造毁灭性武器,并维护世界的稳定。

这次导火线起因是韩国可能因审核人员不足,导致受管制的日本原物料出口到禁止国家,而日本先在7月1日宣布其中3项可能会成为军事用途的半导体原物料,需要逐笔审核,所以并非针对韩国半导体产业而来,但至今对管理双方仍无共识之下,日本将在8月2日决定是否将韩国移出“白名单国家”之列。

而移出“白名单国家”后,需要审查的产品将增至千项,半导体原物料只是其中之一,日本经济产业省应对韩国未来可能不在“白名单国家”内,已增加百名人员因应未来大增的业务量,也是为了不延迟对韩国出口,毕竟日本是全球最大半导体原物料出口国,而韩国是全球半导体数一数二的采购方,双方唇齿相依,即使游戏规则改变,商业往来也必须继续合作。

“白名单国家”为日本制订的最惠国待遇,移出只是审查时间变长,并非禁止出货

日本监于受管制的原物料审查需要较长时间,日本另外订定对与日本友好和信任的国家,提出“白名单国家”的最惠国待遇,只要在名单内,受管制的物品都可以享受简化出口流程的优惠,目前在“白名单国家”有27国,韩国是亚洲之前唯一在白名单的国家,其余皆为欧美先进国,禁止的国家共有10国。

韩国如果真被移出“白名单国家”,只是审查时间变长,只要妥善做好计划与原物料预估,未来并不会产生生产方面的严重问题。

从另外角度来看,中国大陆是目前半导体发展最快速的地区,而中国台湾是全球半导体重镇,甚至全球半导体代工龙头台积电也在台湾,上述两个地区都不在白名单内,至今也都发展得不错,未听闻有断料情况出现,绝非外界所传的禁止出货,是加强管理而已。

目前韩国企业第一时间提交文件审查,无退件下最快第三季可恢复正常交易

以目前加强管理的3项半导体原物料来看,光阻剂部分仅适用于EUV机台有冲击,目前DRAM/NAND产品尚未需要使用到EUV机台,故影响甚微;而氟化氢部分,这是半导体厂运作时必须使用原料,也是唯一与DRAM/NAND生产有关的原物料,所幸日本全球市占约在60%~70%,仍可从其他区域或国家取得,短期冲击影响不大;最后是氟化聚醯亚胺,主要应用在面板CPI,但属于过渡产品,明年可能就不需要。

根据调查,韩系DRAM厂已第一时间将相关文件送至日本政府审查,大多听到并无退件等事宜发生,如有退件也多是补齐资料再送审,算是成功闯入第一关,这也是日本政府一直强调的对目前3项半导体原物料仅是加强管理,并非限制出货。

审查时间最长90天,最终结果将在第三季明朗化,如果第一批管制物品可出口至韩国,那日韩间管制原物料问题将可暂告一段落,即使移出“白名单国家”后,日韩间也都会照此流程进行。

最新消息是,今(2)日上午,日本内阁批准通过《出口贸易管理令》修订案,决定把韩国排除出获得贸易便利的“白名单”,预计于8月底实施。

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集邦咨询:现货、合约价格两样情,七月内存合约价大跌逾10%

集邦咨询:现货、合约价格两样情,七月内存合约价大跌逾10%

集邦咨询:现货、合约价格两样情,七月内存合约价大跌逾10%

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,虽然现货市场价格自7月初以来大涨24%,但毕竟现货市场规模小,无法有效去化原厂高库存水位,加上整体终端需求进入旺季前未见明显起色,导致合约价格再度呈现下跌走势。市场主流产品DDR4 8GB成交均价来到25.5美元,较上月28.5美元下跌10.5%。

集邦咨询表示,合约价格的议价基础来自于供给与需求,并非依据市场散布的消息。从需求端来看,今年PC市场(含NB)衰退4.8%、全球智能手机衰退达5%,服务器市场也从原先预估最高3.9%下修至零成长;供给端方面,部分DRAM(内存)厂宣称启动减产计划,但实际规模都不大,多是以旧制程减产或是制程转换产生的晶圆减少居多,而原厂库存水位至今仍达3-5个月以上。由于合约市场规模占整体DRAM交易市场九成以上,在供过于求仍未改善的情况下,7月合约价格依然走跌。

放眼第三季的DRAM价格走势,日本能否在90天允许原物料出货将是观察重点,但从原厂仍愿意在七月降价求售的角度来看,显示后续生产供货暂无太大问题。即使日本随后宣布将韩国移出白名单,也仅是取消最惠国待遇,未来韩国将和台湾地区一样,敏感原物料皆须逐笔审查,而非制裁与限制。不过,原厂仍希望透过此议题让价格有所支撑,使得第三季合约价格走势难以预测。

消息面带动现货上涨,是否成真正价格反弹仍由供需决定

集邦咨询指出,近期现货价格翻扬,起因于日本管制出口三种半导体原料的消息面,尤其近二年的价格下跌导致渠道库存普遍不高,加上市场恐慌与对未来供货的担忧,让现货价格短期大幅翻扬。但实际上现货市场的状况却是有行无市,若没有实际的买单,高点过后下滑的机率极高。根据过往经验,现货市场往往是DRAM产业涨跌幅的先行指标,但价格涨跌幅大波段的基础,在于实际的库存增加或减少。然而,此次DRAM现货价格的上涨仅以消息面为主,加上原厂库存水位高,除非日韩问题持续恶化,短期尚不构成价格趋势正式反转的条件。

日本强化出口管理,实质冲击程度第三季将明朗

日本自7月1日宣布对韩国强化出口管理,其中三项可能会成为军事用途的原物料,需要逐笔审核,但经过集邦咨询调查,三项管制物品光阻剂、氟化氢、氟化聚酰亚胺中,仅有氟化氢与DRAM/NAND生产有关连。日本此项产品虽在全球市占约为60-70%,半导体厂仍可从其他区域或国家取得,加上三星与SK海力士都有2.5月左右的库存,短期冲击影响不大。据了解,韩系DRAM厂已在第一时间将相关文件送至日本政府审查,大多并无退件等相关事宜发生,如有退件也多是将资料补齐送审,审查时间最长90天,而此事件最终结果将在第三季度明朗化。若第一批管制物品可以出口至韩国,预料日韩间管制原物料问题将可暂时告一段落。

现货涨!合约跌!内存价格上演相反走势

现货涨!合约跌!内存价格上演相反走势

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,虽然现货市场价格自7月初以来大涨24%,但毕竟现货市场规模小,无法有效去化原厂高库存水位,加上整体终端需求进入旺季前未见明显起色,导致合约价格再度呈现下跌走势。市场主流产品DDR4 8GB成交均价来到25.5美元,较6月28.5美元下跌10.5%。

集邦咨询表示,合约价格的议价基础来自于供给与需求,并非依据市场散布的消息。

从需求端来看,今年PC市场(含NB)衰退4.8%、全球智能手机衰退达5%,服务器市场也从原先预估最高3.9%下修至零成长;

供给端方面,部分DRAM(内存)厂宣称启动减产计划,但实际规模都不大,多是以旧制程减产或是制程转换产生的晶圆减少居多,而原厂库存水位至今仍达3-5个月以上。

由于合约市场规模占整体DRAM交易市场九成以上,在供过于求仍未改善的情况下,7月合约价格依然走跌。

放眼第三季的DRAM价格走势,日本能否在90天允许原物料出货将是观察重点,但从原厂仍愿意在7月降价求售的角度来看,显示后续生产供货暂无太大问题。

即使日本随后宣布将韩国移出白名单,也仅是取消最惠国待遇,未来韩国将和台湾地区一样,敏感原物料皆须逐笔审查,而非制裁与限制。不过,原厂仍希望透过此议题让价格有所支撑,使得第三季合约价格走势难以预测。

消息面带动现货上涨,价格是否真正反弹仍由供需决定

集邦咨询指出,近期现货价格翻扬,起因于日本管制出口三种半导体原料的消息面,尤其近两年的价格下跌导致渠道库存普遍不高,加上市场恐慌与对未来供货的担忧,让现货价格短期大幅翻扬。

但实际上现货市场的状况却是有行无市,若没有实际的买单,高点过后下滑的机率极高。根据过往经验,现货市场往往是DRAM产业涨跌幅的先行指标,但价格涨跌幅大波段的基础,在于实际的库存增加或减少。

然而,此次DRAM现货价格的上涨仅以消息面为主,加上原厂库存水位高,除非日韩问题持续恶化,短期尚不构成价格趋势正式反转的条件。

日本强化出口管理,实质冲击程度第三季将明朗

日本自7月1日宣布对韩国强化出口管理,其中三项可能会成为军事用途的原物料,需要逐笔审核,但经过集邦咨询调查,三项管制物品光阻剂、氟化氢、氟化聚酰亚胺中,仅有氟化氢与DRAM/NAND生产有关联。

日本此项产品虽在全球市占约为60-70%,半导体厂仍可从其他区域或国家取得,加上三星与SK海力士都有2.5月左右的库存,短期冲击影响不大。

据了解,韩系DRAM厂已在第一时间将相关文件送至日本政府审查,大多并无退件等相关事宜发生,如有退件也多是将资料补齐送审,审查时间最长90天,而此事件最终结果将在第三季度明朗化。若第一批管制物品可以出口至韩国,预料日韩间管制原物料问题将可暂时告一段落。

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三星财报出炉 存储器业务表现如何?

三星财报出炉 存储器业务表现如何?

今日,三星电子公布了最新财报,数据显示,三星电子第二季度营收为56.13万亿韩元(约合475亿美元),同比下滑4%;运营利润为6.6万亿韩元(约合56亿美元),同比下滑55.6%,净利润5.18万亿韩元(约合44亿美元),同比下滑53.1%。

Source:三星财报

三星表示,第二季度净利润的同比下滑,主要受内存芯片价格疲软,以及手机业务下滑的影响。

Source:三星财报

事实上,三星第二季度不论是DRAM,还是NAND的出货量,都优于原先公司预期,不过报价下跌幅度较高(DRAM相比上季下跌20%出头,NAND下跌约15%),且获利能力相比上个季度有大幅压缩。

三星表示,第二季度末,DRAM库存水位仍维持在高档(不过因为销售量成长,销售周转天数有较上季下滑),至于NAND的库存水位已在第二季显著下滑,预估第三季就会回归正常水位。

具体而言,DRAM产业方面,下半年配合智能手机旺季、datacenter(数据中心)业者库存水位已逐渐去化,加上高容量产品(无论在mobile or server)的渗透率提升,下半年的需求会逐渐好转。

NAND产业方面,随着价格已跌至底部,价格弹性逐渐发酵,因此第二季需求成长不少,下半年有强劲的旺季需求。

针对日韩事件,三星表示会尽可能缩小生产端的潜在冲击。事实上,近期市场上现货价确有上涨趋势,但对于长期的合约价会不会有影响仍有待观察。

投片方面,三星DRAM投片规划并未改变(晶圆投入也没有减少),不过三星会配合需求端保持弹性。此外,三星Line 13还未转换DRAM投片至CIS,不过会保持关注做动态调配。Line 12的NAND投片下滑主要是2D NAND转换至3D NAND做RD研发。

制程方面,三星表示,2019年年底10nm级(含1X/1Y/1Znm)的比重会拉到7成,而1Znm仍持续按照计划研发,并同时有导入EUV与不导入EUV的版本。

2020年的capex(资本支出)还未定,不过由于现在的市况变动太快,三星会增加评估资本支出的频率以维持弹性。

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三星电子12Gb LPDDR5 DRAM量产

三星电子12Gb LPDDR5 DRAM量产

近日,三星官方宣布,公司将量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。据了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要针对未来智能手机,优化其5G和AI功能。

此外,三星还表示,在7月底即将大量生产12Gb的LPDDR5模组,每个模组都包含8个12Gb芯片,总计达到96Gb的容量,以满足高端智能手机制造商对更高手机性能和容量的需求。

三星指出,采用第2代10纳米等级制程的新款12Gb LPDDR5 DRAM,传输速度可达到5500Mbps,是现有LPDDR 4X速率(4266Mbps)的1.3倍。

三星指出,在本次12Gb LPDDR5 DRAM大量生产之后,2020年将量产16Gb的LPDDR5 DRAM颗粒。因此,未来很有可能会出现16Gb LPDDR5规格的模组。

三星进一步指出,凭藉在产业中领先的速度和能效,三星的新型行动式DRAM可使下一代高端智能手机充分发挥5G和AI的功能,包括高画质影像的录制和机器学习功能,同时极大化电池的续航力。

厂商乐看下半年 存储器市况正向发展态势确立

厂商乐看下半年 存储器市况正向发展态势确立

存储器市场近来受日韩贸易战影响,加上大厂相继表明欲扩大减产幅度,且第3季将步入电子产业需求旺季,产业供需结构可望明显改善。虽然近期市场对于日韩贸易战因素带动的市况转佳,忧心仅短期反弹的杂音不断,但随着上周华邦电、旺宏、威刚等存储器厂,纷纷释出看好下半年营运优于上半年的展望,市况正向发展的态势已确立。

日本政府从7月起,对半导体及面板关键化学材料出口至韩国祭出限令,包括三星半导体、SK海力士等存储器大厂,营运都受影响,市场认为,在韩厂缺乏关键化学材料,市场产能减少下,有助存储器供需情况获改善,价格也可望因此止跌回温,但市场仍忧心,可能仅是短期供给缩减预期心理,所带动的价格反弹。

不过,韩厂SK海力士上周宣布将从今年第4季起,扩大缩减DRAM产能,并减少NAND Flash投片量由原定的10%扩大至15%,且三星继先前传出减缓平泽P2新厂投资脚步后,又传可能接续在SK海力士之后,宣布减产NAND Flash。在大厂相继减产下,有助进一步改善供需情况,再为供过于求的存储器市场增添利多消息。

华邦电去年第4季以来,产能跟着订单需求开动,使第1季平均稼动率低于80%,但6月中旬已回升至约85%。总经理詹东义表示,目前包括DRAM、Flash市场需求均相当强劲,相信营运谷底已过,第3季起将全能生产,下半年营运将优于上半年。

旺宏第2季产能利用率约94%,总经理卢志远指出,近来NAND Flash、NOR Flash需求均有所成长,且NAND价格已反弹回稳,NOR则持稳。看好第3季适逢传统营运旺季,出货量将优于第2季,下半年营运将较上半年乐观,且各产品线动能均相当强劲。

而威刚则预期,先前抢在NAND Flash及DRAM价格反弹前,抢先布局的货源,可望逐步反映在第3季业绩上,且将逐月发酵,旺季效应可期,带动下半年营运明显优于上半年。威刚并看好,今年DRAM及NAND Flash现货价已在6月落底,合约价可望于7月跟进落底。

市场先前预期,存储器价格短期虽止跌反弹,但长期价格要有所支撑,仍得视大厂库存去化程度,及第3季旺季需求力道。不过,在订单增温下,业者对第3季旺季需求均乐观看待,并看好下半年会比上半年好,而大厂库存去化的速度,也优于外界先前预期,存储器市况可望走出近1年的景气修正期,逐步迈向上升循环。