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存储器模组厂威刚看好动态随机存取存储器（DRAM）与储存型快闪存储器（NAND Flash）合约价，可望于 7 月落底，并乐观预期第 3 季营收与获利可展现旺季水准。

威刚认为，日韩两国纷争短期可能不易平息，在日本加强管制光阻剂等 3 项电子关键材料出口南韩下，全球存储器供应链将面临无法如期全产能量产运作的压力，DRAM 与 NAND Flash 价格将欲小不易。

因 DRAM 供应端仅存三星（Samsung）、SK 海力士（Hynix）与美光（Micron）三大供应商，新增产出相对有限。需求端方面，大型资料中心库存已降至合理水位，可望于第 3 季底重启备货，智能手机与电脑需求也将回温。

NAND Flash 部分，下游通路库存水位也偏低。威刚表示，DRAM 与 NAND Flash 现货价已同步在 6 月落底，预期合约价可望于 7 月跟进落底。

威刚透露，已抢在存储器价格反弹前备妥适当库存，可确保重要客户不致面临断货危机，业绩也可望逐步发酵，第 3 季营运表现将明显优于上半年，营收与获利将可展现旺季水准。

瞄准全球电竞市场高速成长，威刚积极扩大电竞布局，旗下电竞品牌 XPG 预计 28 日与美国职篮 NBA 台裔球星林书豪领军的职业电竞战队 J.Storm 签约，赞助 J.Storm，期能共创双赢局面。

存储器大厂华邦电于高雄路竹科学园区所新建的12英寸晶圆厂，22日举行上梁典礼。这也象征着华邦电新12英寸晶圆厂的兴建案原定计划实施中，也使得扩产计划逐步实现。

据了解，22日华邦电路竹新12英寸厂在上梁之后，预计自2020年7月份开始安装机器，整个第1期工程也将在2020年底前完工，2021年正式进入投产的阶段。

华邦电的高雄路竹12英寸厂第1期工程完成后，预计初期约产能为9000片，满载月产量可达2.7万片的规模，并以25纳米的技术切入，之后规划以20纳米制程的DRAM产品生产为主。

而目前高雄厂已经有数百名研发人员进驻，预计未来因应新厂的落成，还会再增加更多的员工。焦佑钧之前曾经表示，由于存储器市场长期发展的情况，使得华邦电高雄路竹新新12英寸厂正式量产的时间，刚好跟上自己发展的时间点，因此认为是一个很好的时机。

因为受到日韩贸易战，日本控管出口韩国高科技厂商原料的冲击，可能使得韩国的存储器生产面临危机。因此，市场点名华邦电将会是因此而得到转单效益的公司。事实上，焦佑钧曾经指出，华邦电是一个业界相当特殊的公司，不做大规模量产的产品，而是专注在利基型的市场上，接客人的订单生产。

所以，在DRAM方面，华邦电目前仅占全球出货量的0.7%。因此，贸易战的冲击影响微乎其微。至于今是不是会受到转单的效应所嘉惠，目前则还不清楚。不过，在多样不确定因素的影响下，对于华邦电兴建新12英寸厂来充实自己的产能而言，市场多给予正面的评价。至于，后续是否能带动华邦电营运的持续成长，则有待之后的持续观察。

韩国三星官方在18日宣布，量产全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。该款DRAM针对未来智能手机中的5G和AI功能进行了优化。此外，三星还计划本月底开始大量生产12Gb的LPDDR5模组，每个模组都包含8个12Gb芯片，总计达到96Gb的容量，如此以满足高端智能手机制造商对更高手机性能和容量的需求。

根据三星指出，采用第2代10纳米等级制程的新款12Gb LPDDR5 DRAM，其传输速度可达到5500Mbps，是现有LPDDR4X速率（4266Mbps）的1.3倍。也就是可在1秒内处理44GB的资料，约每部3.7GB大小，合计12部高画质影片的资料量。

三星还指出，在本次12Gb LPDDR5 DRAM的大量生产之后，2020年将量产16Gb的LPDDR5 DRAM颗粒。因此，未来很有可能会出现16Gb LPDDR5规格的模组。

三星进一步指出，凭藉在产业中领先的速度和能效，三星的新型行动式DRAM可使下一代高端智能手机充分发挥5G和AI的功能，包括高画质影像的录制和机器学习功能，同时极大化电池的续航力。

此外，结合新电路设计、增强时脉速度，并且搭配低功耗特性，新一代DRAM可实现较前一代产品低30%的耗能。而且，在极快的传输速率下，也能够确保性能的长期稳定。

虽然DRAM一直是三星电子重要的获利来源，不过之前因为DRAM市场价格不断下跌等因素，使得三星预估在2019年第2季的获利将较2018年同期下滑高达56%，如今在有日韩贸易战的冲击下，使得三星的存储器事业未来出现更多的不确定性。

而为了维持在存储器市场的竞争优势，除了在日韩贸易战中被限制的高科技原料积极寻找替代方案之外，也透过本身的技术实力，继续发展新一代的DRAM，以拉大与竞争者之间的差距。

日韩贸易战，引发存储器喊涨效应，存储器景气是否提早翻多，还待观察。

日本对南韩实施限制三项电子关键材料出口，引起后续材料恐短缺疑虑，激励DRAM与NAND Flash现货价应声上涨，带动南亚科、旺宏、华邦电等存储器族群昨股价带量上涨，这是存储器史上第一次因贸易战引发价格看涨，但存储器景气是否提早翻多还有待观察。

存储器模组大厂威刚董事长陈立白表示，日韩贸易战牵动存储器价格上涨，这种情况为史上第一次。1993年间，日本住友化学曾爆发环氧树脂厂爆炸、造成封装材料短缺，意外事件牵动南韩、日本、美国与台湾大厂DRAM价格大涨。

至于此次日本对南韩实施限制三项电子关键材料出口，业界传出，龙头大厂三星评估对上游材料料源还无法明确掌握，已对现货市场停止出货；美光近两天也已停止报价。陈立白原预估今年第三季DRAM可望因旺季出现现货价小涨，明年才可能大涨，但受到日韩贸易战冲击，他昨改口说，「7月提早起涨，8、9月也都看涨」。

业界看法分歧

但业界有的持保守看法。因存储器市况供过于求，加上三星电子副会长李在镕亲自赴日协商材料供货也传出有解，影响DRAM现货价昨仅出现小涨，存储器后续涨价效应还有待观察。

南亚科总经理李培瑛日前也指出，DRAM三大供应商库存仍偏高，预估第三季逢旺季到来，整体需求会增加，但因消化库存，合约价格将续跌，不过跌势会缩小。对于日韩贸易战，李培瑛说，到底会是短期或可能长期纷争还需观察，未来几周是关键。一位供应链业者表示，上半年因美中贸易大战，存储器价格大跌，最近只能说止跌，回升还要看后续发展而定。

旺宏预计7月25日举行法说会，公布第二季财报与第三季展望。

美商应材公司(Applied Materials)因应物联网(IoT)和云端运算所需的新存储器技术，日前宣布推出创新、用于大量制造的解决方案，有利于加快产业采纳新存储器技术的速度。

现今的大容量存储器技术包括DRAM、SRAM和快闪存储器，这些技术是在数十年前发明，已广为数字设备与系统所采用。新型存储器中，包括MRAM、ReRAM与PCRAM等将提供独特的优点。但是，这些存储器所采用的新材料，为大量生产带来了相当程度的挑战。

因此，应材公司日前率先推出新的制造系统，能够以原子级的精准度，进行新式材料的沉积，而这些新材料将会是生产前述新型存储器的关键。这是应材公司推出了该公司迄今为止所开发过最先进的系统，让这些新型存储器能够以工业级的规模稳定生产。

应材公司表示，当前的电脑产业正在建构物联网架构，其中，将会有数百亿个装置内建传感器、运算与通讯功能，用来监控环境、做决策和传送重要资讯到云端资料中心。在储存物联网装置的软件与AI演算法方面，新世代的MRAM(磁性随机存取存储器)是储存用存储器的首选之一。

MRAM采用硬盘机中常见的精致磁性材料，藉由MRAM本身快速且非挥发性的性能，就算在失去电力的情况下，也能保存软件和资料。而因为MRAM速度快，加上元件容忍度高，MRAM最终可能做为第3级快取存储器中SRAM的替代产品。MRAM可以整合于物联网芯片设计的后端互连层中，进而达成更小的晶粒尺寸，并降低成本。

而对于MRAM的发展，应材公司的新Endura Clover MRAM物理气相沉积(PVD)平台，是由9个独特的晶圆处理反应室组成，全都是在纯净、高真空的情况下完成整合。这是业界第一个大量生产用的300 mm MRAM系统，每个反应室可个别沉积最多5种不同的材料。

应材公司也强调，因为MRAM存储器需经过至少30种不同材料层的精密沉积制程。其中，某些材料层可能比人类的头发还细微50万倍。因此，在制程中即使是厚薄度只有原子直径一丁点的差异，就会对装置的效能与可靠性造成极大的影响。而Clover MRAM PVD平台包括内建量测功能，可以用次埃级(sub-angstrom)的灵敏度，在MRAM层产生时测量和监控其厚度，以确保原子层级的均匀性，同时免除了暴露于外部环境的风险。

另外，随着资料量产生呈现遽增的情况，云端资料中心也需要针对连结服务器和储存系统的资料路径，达成这些路径在速度与耗电量方面的效能提升。对此，因为新一代的ReRAM(电阻式随机存取存储器)与PCRAM(相变随机存取存储器)具备快速、非挥发性、低功率的高密度存储器的特性。可以成为“储存级存储器”，以填补服务器DRAM与储存存储器之间，不断扩大的价格与性能落差。

而对于未来ReRAM及PCRAM的需求，应材公司采用新材料制程。应材公司解释，其材料的作用类似于保险丝，可在数十亿个储存单元内选择性地形成灯丝，以表示资料。对照之下，PCRAM则式采用DVD光碟片中可找到的相变材料，并藉由将材料的状态从非晶态变成晶态的做法，进行位元的编程，类似于3D NAND Flash快闪存储器的架构。

而ReRAM和PCRAM是以3D结构排列，存储器制造商可以在每一代的产品中加入更多层，以稳健地降低储存成本。ReRAM与PCRAM也提供编程与电阻率中间阶段的可能性，让每个储存单元可以储存多个位元的资料。相较于DRAM，ReRAM及PCRAM皆承诺未来可大幅降低成本，而且读取效能也比3D NAND Flash快闪存储器和硬碟机快上许多。ReRAM能将运算元件整合于存储器阵列中，以协助克服AI运算相关的资料移动瓶颈情况下，也是未来存储器内运算架构的首要候选技术。

对此，应用材料的Endura Impulse物理气相沉积(PVD)平台适用于PCRAM与ReRAM，包含最多9个在真空下进行整合的处理反应室及内建量测功能，能够以精密的方式进行沉积，以及控制这些新型存储器中所使用的多成分材料。

针对2019年下半年存储器的市况，南亚科总经理李培瑛指出，虽然在需求量成长、跌价情况减缓，以及旺季效应下有助于市场的正面发展，但是，三大厂库存变化以及市场需求等因素，仍会影响未来整体的市场变化，且市况能有多少比例正向发展，目前还看不准。

至于日韩的贸易争议，因为日本对韩国管制的原料在半导体制程中极其关键，而且也几乎没有取代方案，因此未来几周的发展将会是事件发展的关键。

李培瑛指出，针对2019年下半年存储器的市况上，因为总体经济仍存在不确定性，而且在客户端库存虽已降低，但供应商库存仍偏高的情况下，会是怎么样的状况，还有待观察。

不过李培英预期，2019年第3季因各应用市场区块旺季来临，DRAM供需逐步平稳，价格跌幅缩小，再加上下半年云端服务器需求增加，手机推出新机种，CPU供给增加，使得标准型DRAM供给提升，以及消费型DRAM旺季备料的情况下，预计第3季的状况将优于第2季。

李培瑛强调，目前在供给面方面，因为主要供应商持续缩减资本支出以及调节库存，而在需求面方面，各手机厂商下半年起推出新机，加上DRAM平均搭载量持续增加。5G手机自高端机种导入，搭载量以8GB为主，持续带动DRAM需求。而服务器产品则是云端业者库存逐季去化，预期第3季起需求回温，使得长线仍将稳定成长，并且主要为企业用云端服务，加上AI及网络产业的发展可持续带动服务器的需求。

另外，PC部分则是2019年第3季CPU恢复正常供货，各大厂牌推出新机种。消费性电子终端产品在机上盒、智慧音箱、SSD、IPCAM等全年各应用DRAM搭载量成长，将使得DRAM的需求仍持续稳定的增加中。因此，就这样的发展来观察，预估2019年第3季整体需求会增加，而且在库存将逐步消化，合约价格将会续跌，但跌势会缩小，而现货价则有机会率先进行反弹。

至于，针对日本管制出口南韩高科技原料，可能造成两国间的贸易战争一事，李培瑛也指出，因为日本管制出口韩国的3种高科技原料，都是相关制程中相当关键的原料，目前几乎没有替代品可取代，就算找到替代品，也必须要进行长时间的测试，才能够进一步上线使用；而且，以日本管制的光阻剂来说，视保存的状况而定，保存期限约6到12周的时间，短时间内两国之间磋商就变得相当重要。未来会如何发展，就必须视磋商的结果而定。南亚科方面，的确已经有客户来询问DRAM备案，不过目前还没有正式进行拉货的动作。

DRAM大厂南亚科将于周三(10日)召开法说会，公布第2季财报，并释出对下半年的营运与市况展望，预料包括DRAM库存水位及价格走势、对产业后市看法，及在美中贸易战趋缓之下，第3季旺季拉货力道是否如预期等，都将成为市场关注焦点。

南亚科第2季合并营收新台币124.41亿元，季增9.41%，年减49.41%，营收表现优于外资预期。外资并预估，南亚科第2季位元出货可望季增3成，较公司原先预估的个位数增幅大幅成长，但由于供应链消息指出，南亚科以7至8折价格，大量出货标准型存储器给模组厂金士顿(Kingston)，恐使第2季毛利率表现有压，估将跌破40%大关。

展望第3季，南亚科总经理李培瑛先前指出，将迎来电子产品应用传统旺季，英特尔CPU供应量也会增加，加上服务器需求提升，预估市况将逐步平稳并优于第2季；至于DRAM价格能否止跌，仍得观察市场需求增加幅度、DRAM大厂库存去化程度而定。

不过，由于近期传出继三星、美光等DRAM大厂后，SK海力士也暂缓扩产，3家公司市占率超过95%，相继扩产将对产业供过于求情况有所改善；另一方面，日本政府也宣布从7月1日起，限制半导体及面板关键化学原材料出口至韩国，恐冲击三星与SK海力士供给产能。

但上述两大因素，将有助DRAM价格止跌回升，也使南亚科此次法说会上对价格走势的看法，格外受到外界关注。

此外，中国紫光集团日前发文公告，将筹组DRAM事业群，并由南亚科前总经理高启全担任执行长。虽然外资预期，紫光集团要对全球DRAM市场带来威胁，还要很长一段时间，但预期市场也将关注南亚科如何看待中国DRAM产业发展脚步。