DRAM厂南亚科昨日举行股东会，总经理李培瑛会后受访表示，第2季DRAM市况已看到会比第1季好，第3季又会比第2季稍好，合约价跌幅会比现货价小；整体而言，随着旺季到来，下半年DRAM还是会比上半年好。
就DRAM各领域需求，李培瑛说，去年底需求下滑的服务器已开始看到有起色；英特尔CPU预计第3季满足高端CPU供货、第4季满足中低端CPU供货；手机则视每家不同，但预期手机搭载的存储器会增加。
李培瑛认为，短期内DRAM会出现景气起伏、季节性因素、客户或产品线状况等有变化，但长期来言，DRAM已是各项智能产品的关键零组件，加上供应端相当有秩序生产，产业仍趋健康，南亚科会持续优化产品组合，将DDR4推展到消费型与服务器市场，长期看好DRAM多元化应用。
不过，因应短期价格跌势，南亚科评估3大国际DRAM制造商放缓扩产脚步，该公司今年DRAM位元产出成长率也放缓，位元产出成长率从15%下修到个位数百分比。
作为全球知名的存储器厂商，近日，美光召开了2019年投资者大会，在大会中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技术的发展以及规划。
据悉，美光的技术研发和Fab制造工厂遍布全球，其中核心技术研发主要集中在美国的爱达荷州（Idaho）基地。Fab工厂分布上，日本主要负责生产DRAM，新加坡主要生产NAND Flash，3D Xpoint工厂则设在美国的犹他州（Utah），中国台湾则负责封装。
此外，为了满足汽车市场需求，美光还在美国弗吉尼亚州（Virginia）设立了工厂。
最值得关注的是，美光在此次投资者大会上公布了DRAM和NAND Flash的最新技术线路图。
DRAM方面，美光将持续推进1Znm DRAM技术，并且还将基于该先进技术推出16Gb LPDDR4。而在1Znm DRAM技术之后，美光还将发展1α、1β、1γ。
未来美光DRAM产品研发计划采用EUV技术。美光表示，其拥有从1Znm至1ynm的成熟的技术和成本效益，而多重曝光微影技术是它的战略性优势。目前，DRAM的EUV光刻技术正在进行评估中，准备在合适的时候实现对EUV技术的应用。
NAND Flash方面，继96层3D NAND之后，美光计划下一代研发128层3D NAND，采用64+64层的结构。
另外，为了在芯片尺寸、连续写入性能、写入功耗方面领先，美光研发128层3D NAND时，将实现从Floating Gate技术向Replacement Gate技术过渡的重大进展，以及对CuA（CMOS under Array）技术的持续利用。
近日，威刚董事长陈立白指出，长期来说，因为存储器已经跌到个低点，预计将陆续出现反弹的情况下，2019年下半年在DRAM方面有机会出现止跌的情况。但是，NAND Flash目前供需比较复杂的情况下，要出现止跌还必须等上一段时间。
陈立白指出，就全球存储器产业来说，在DRAM方面，2018年底至今也已经跌了将近3成的跌幅。在目前三大领域，包括资料中心与个人电脑方面库存水位都已经回到正常水准，只剩下手机的库存仍有比较高的库存，加上DRAM目前市场有3大厂与1小厂供应，其中龙头三星已经宣布不再跌价，预计2019年下半年将会有止跌的情况。只是，第3季一开始有可能在继续下探底价，之后就会出现相对回稳的情况。
至于，在NAND Flash的方面，因为现在的供应商多，呈现“战国七雄半”的情况，大家产能的控制比较没有DRAM来得立即显现。加上，目前市场上对NAND Flash的库存有一定量尚未消化的情况下，2019年下半年还会呈现每季下跌10%以上的情况，一直到年底为止。因此，NAND Flash的真正止跌回稳，至少还要一段时间。不过，陈立白强调，因为有5G的商机，在加上车载电子与AIoT的应用成熟，到2021年到202 2年之间半导体产业将会赢来一个前所未有的大周期商机，这大周期商机的需求将是目前所也存储器厂现有产能所无法填满的。
至于，对于威刚未来的展望，陈立白则是指出，由于在2018年底已经库存与跌价亏损一次摊提完毕，使得2019年首季的营运表现良好，营收金额达到新台币64.06亿元，完全不受市场存储器跌价的影响。而到了第2季，预期在大环境仍没完全好转，营收将比第1季减少5%到10%的比例，但是毛利率却会较第1季来得好。而且，在预期DRAM第3季有机会开始价格回稳的情况下，目前手中现金仍不少的威刚，将会适时寻找买点，为目前仅剩3到4周的库存补货。
至于，在产品领域上，陈立白表示，包括电竞产品、电动车马达、以及与安控产品的部分，预计2020年的出货量将可超过20%的占比，2021年则向占比25%迈进。陈立白强调，新产品的发展威刚方面非常看重，其中电竞产品的毛利几乎是一般同等级非电竞产品的两倍，而与三阳、宏加腾、PGO、中华汽车等4家厂商合作的电动车马达也将在2019年底出货，2020年放量，加上安控产品也开始增加出货数量，而且是所有新产品毛利最高品项的情况下，未来都将有助于威刚进一步的营收发展。
消息指出，力晶集团将进行现金增资，并转让资产给子公司，以启动再上市计划。
据《自由时报》报导，自 5 月 1 日起，力晶科技将把 3 座 12 寸晶圆厂及相关营业资产让与子公司力积电，加上原有两座 8 寸厂，使其成为台湾地区第三大晶圆代工厂，总员工人数将近 7,000 多人，且预计在 2021 年以力积电为名再度上市，并于 31 日股东会时进行讨论。
此事在去年其实已经有所揭露，力晶在 9 月将 100% 持股子公司巨晶电子改名为力晶积成电子，简称力积电后，就开始有类似的消息传出。营运大起大落的力晶，在去年企业改组时，就向股东承诺将会重返上市。原本的台湾 DRAM 产业龙头，将要重新定位自己为晶圆代工厂，成为台湾地区晶圆三雄。而这也是改以子公司为主体，并且更换公司名的主要原因。
当时也因为力积电这个名字与台积电相像，被认为这是力晶在向台积电致敬，而董事长黄崇仁也多次表示，未来力晶要当小台积电。力晶表示，后续将会继续增资，并争取金融界的支持。而此次消息主要就是力晶将现金增资 4.5 亿（新台币，下同），其中 13.5% 保留给力积电员工认购，8 成由力晶认购，而力晶原股东每一张可认购 159.58 股，目前认购价传闻为每股 10.5 元。
虽然力晶曾一度净值为负转而下市，但近年来营运已有所好转，所以不少股东期盼着力晶能重新上市，且据说目前已经完全清偿千亿债务。当时大部分的舆论都认为力晶会就此倒闭，但没想到仅数年就有再起的希望。黄崇仁一直坚信公司的营运方向是正确的，一定不会倒，而如今已连年获利近百亿。
力晶与合肥政府合资的 12 寸晶圆代工厂晶合集成电路，去年底月产能已拉升到一万片规模。且近期市场传出力晶将与大陆投资方拆伙的传闻，也已遭到力晶官方否认。目前力晶在台湾地区的 3 座 12 寸厂仍会以 DRAM 代工为主，未来将会着重在边缘运算应用存储器研发，预计今年下半年就可开始投片生产。
存储器循环暴起暴落，价格重挫和需求降温，让 SK 海力士（SK Hynix）第一季营益惨摔近 70%，为 2016 年第三季以来最糟表现。
SK 海力士 25 日新闻稿称，今年第一季营收为 6.77 兆韩圆，季减 32%、年减 22%。营益为 1.37 兆韩圆（约 12 亿美元），季减和年减幅度均为 69%。净利为 1.10 兆韩圆，季减 68%、年减 65%。
Source：SK 海力士
Pulse 报导，市场原本估计营益为 1.6 兆韩圆。
DRAM 部分，受到季节趋势和服务器采购保守影响，DRAM 位元出货量季 减8%、平均售价下滑 27%。NAND Flash 部分，由于库存水位仍高，供应商竞争加剧，位元出货量季减 6%，平均售价减少 32%。
SK海力士将加强研发，因应颓靡市况。今年下半，该公司会逐步提高 1Xnm 比重，并开始出售 1Ynm 产品。据悉，1Xnm 是指 16~19 纳米产品，1Ynm 是 14~16 纳米；另外，1Znm 是 12~14 纳米。
SK 海力士将专注提高 NAND Flash 获利，已停产成本相对较高的 36 层和 48 层 3DNAND，并将提高 72 层 NAND 的生产比重。下半年要以 96 层 4D NAND，强化在 SSD（固态硬盘）和行动市场地位。
考量到需求，SK 海力士的南韩清州 M15 厂，增产速度将低于预期，估计今年 NAND 晶圆投片量将年减 10% 以上。
台湾花莲地区于昨(18) 日下午 1 时 1 分，发生芮氏规模 6.1 地震，对此，DRAM 大厂南亚科林口厂区部分黄光机台启动保护装置，造成短暂当机，但已陆续复机，对公司整体营运影响有限。另一家存储器大厂华邦电则均未受到影响。
南亚科林口厂区在地震发生时，厂内感测震度达 4 级，部分黄光机台因启动保护装置而当机，目前陆续复机，对公司整体营运影响有限，也立即针对原物料供应及外包商进行确认，确认后回报皆未受到影响。
台系存储器大厂南亚科 16 日召开 2019 年首季法说会，并公布营运状况。南亚科 2019 年第 1 季，截至 3 月 31 日自行结算合并财务数字，营收为113.72 亿元（新台币，下同），较 2018 年第 4 季减少 32.9%。DRAM 平均售价季减略高于二十百分比，销售量季减低十位数百分比。
南亚科指出，2019 年第 1 季营业毛利则为 46.33 亿元，毛利率 40.7%，较 2018 年第 4 季减少 12.2个百分点。营业利益 30.2 亿元，营业利益率 26.6%，较 2018 年第 4 季季减 15.2 个百分点。营业外收支 5.6 7亿元，主要来自于利息收入约 3.94 亿元及台币贬值的汇兑利益贡献。
南亚科宣布，因应DRAM市况，将缩减2019年资本支出计划，由原先订的106亿元降低至约70亿元，减幅达34%。
南亚科表示，第2季市场库存压力可望缓解，产品价格跌幅应可缩小；第3季为传统旺季，预期消费型及手机需求增加，个人计算机与服务器市况回稳，DRAM供需应可逐步趋于平稳。
因应当前DRAM低迷市况，南亚科决定缩减今年资本支出，金额将自原先的106亿元，降至70亿元，降幅约34%。
南亚科去年已因应市场需求急冻，下修全年资本支出15%至204亿元后，今年更保守，原本估降至约百亿元，今日宣布再缩减至70亿元。
不过，南亚科将持续积极投入研发，提升竞争力，预计增加5%至10%产能做为制程及产品研发使用。另外，南亚科预估，第2季位元销售量将成长个位数百分点，今年位元销售量将比去年成长1%至3%。
今年以来，DRAM市况不佳，因供过于求、价格走跌，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂已陆续宣布降低今年资本支出。美国存储器厂美光日前已宣布将减产5%，南亚科也决定进一步缩减今年资本支出。随着DRAM厂纷纷降低资本支出，限制产能增加，有利于DRAM供需情况逐步改善。
今年第一季DRAM价格大跌逾30%，加上市场需求疲弱，DRAM厂南亚科第一季获利大衰退。
法人根据南亚塑胶自结获利中第一季以权益法仅认列南亚科10.7亿元（新台币，下同）来推估，南亚科第一季获利降至约36亿元左右，与去年第四季及去年同期相较均出现衰退5成以上的腰斩情况，以南亚科305.34亿元实收资本额计算，第一季每股净利仅1.18元。
由于美中贸易纷争冲击智能型手机及消费性电子等终端需求，加上英特尔中央处理器（CPU）缺货导致个人计算机及服务器无法顺利出货，导致今年以来DRAM市场严重供过于求，现货价及合约价同步大跌。根据集邦科技报价，今年以来8GB DDR4模块合约价由年初的60美元重跌至3月的38.5美元，第一季跌幅高达36%；8Gb DDR4颗粒现货价由年初的6.35美元重跌至3月底的4.35美元，跌幅超过30%。
受到DRAM价格下跌及位元出货量减少的双重因素影响，南亚科公告3月合并营收月增9.5%达37.19亿元，与去年同期相较大幅下滑44.7%。第一季合并营收113.72亿元，较去年第四季下滑32.9%，与去年同期相较下滑39.5%，同时为2016年第四季以来的10季度新低。
南亚科预计在4月16日召开法人说明会，由总经理李培瑛说明第一季营运成果及第二季展望。由于南亚科大股东南亚塑胶已公告第一季自结数字，自结获利中以权益法仅认列南亚科10.7亿元，较去年第四季减少12.7亿元，较去年同期减少10.9亿元，法人以此推算，南亚科第一季获利恐怕仅剩下36亿元，为2017年第二季以来的8季度获利新低。
虽然三星及美光希望放慢量产脚步来降低DRAM价格跌势，但SK海力士的无锡厂第二期却依原订计划在4月开始量产1y纳米DRAM，该厂将以2年时间把总月产能拉升至18万片规模。也因此，业界对今年DRAM市况看法保守，价格恐看跌到年底。
集邦科技指出，第二季国际DRAM大厂因1y纳米量产，位元供给量持续增加，在极力消化库存的考量下，普遍采取大幅降价策略刺激销售。业界预估第二季PC与服务器DRAM价格将较上季续跌约2成幅度，行动式DRAM虽受惠于新机拉货动能但价格仍将续跌10∼15%。法人表示，第二季DRAM均价将续跌2成左右，南亚科第二季合并营收恐降至100亿元以下，获利将持续下滑。
根据南韩媒体 《etnews》 的报导，目前全球最大的 DRAM 存储器供应商三星电子，除了面临因存储器价格下跌，使得营运业绩严重下跌的危机之外，日前还爆发出该公司提供给美国亚马逊（Amazon）使用的1x（18nm）纳米制程产品出现瑕疵，让亚马逊紧急更换由另一家南韩存储器大厂SK海力士（SK Hynix）来供应，并且对三星进行索赔的情况，严重冲击了三星 DRAM 的市场商誉。
根据报导指出，南韩知情的市场人员透漏，亚马逊是全世界最大的电商公司，而旗下的 AWS 则是全世界最大的云端运算服务公司，因此每年对于采购存储器供自家的服务器或储存设备使用都是非常大手笔，也是三星电子重要的客户之一。
而本次发生瑕疵的三星 DRAM 是由 1x 纳米的制程打造。只是，三星 1x 纳米制程的 DRAM 之前就已经发生过类似的瑕疵事件，这次供应给亚马逊的 DRAM 出问题，更凸显了这样的现象。
而对于这次供货出现瑕疵的事件，亚马逊方面除了紧急寻找南韩的另一家 DRAM 供应商 SK 海力士来供应之外，也进一步准备对三星进行求偿的动作。报导表示，市场人士虽然没有说明这次的供货数量，仅表示数量不是很大，不会影响到三星的正常营运。不过，可能将因为这次的事件，再次重创三星的商誉。对此，三星不愿意表达任何的意见。
报导进一步表示，随着半导体制程技术的推进，在 DRAM 上出现质量问题的情况越越来越普遍。以这次出现瑕疵情况的三星 1x 纳米制程 DRAM 来说，2018 年下半年也发生过同样的事件。因此，亚马逊可能会因此调整向三星与 SK 海力士采购的比例，使得 SK 海力士将会因此而受惠。而三星方面也可能会以降低售价的方式，来巩固这一大客户的订单。
另外，也有外媒报导，为了直接根除 1x 纳米制程的缺陷问题，并且提高单位生产数量，三星将在 2020 年将制程全面推进到 1y （16nm） 纳米制程。目前三星是在 2018 年开始量产 1x 纳米制程容量 8Gb (1GB) 的服务器 DRAM，预计 2020 年开始将会以 1y 纳米容量 16Gb (2GB) 的服务器 DRAM 来逐步取代。
存储器模组厂威刚 (3260-TW) 今 (9) 日公告 3 月合并营收 22.69 亿元（新台币，下同），受惠 NAND Flash 产品出货增温，带动营收月增 10.96%，年减 30.26%；第 1 季合并营收 64.08 亿元，受到 DRAM 价格转弱、市况保守影响，季减 5.9%，年减 19.45%，为近 10 季低点。
威刚表示，3 月 DRAM 产品营收占比达 50.85%、非 DRAM 产品营收占比 49.15%。其中，固态硬盘 (SSD) 自去年第 4 季起，出货量与产品平均容量均稳步向上，3 月单月营收比重已达到近 25%，为 2017 年 2 月以来单月高点。
从第 1 季整体表现来看，威刚指出，第 1 季受到英特尔处理器缺货、及 DRAM 价格转弱影响，DRAM 整体市况保守，惟 NAND Flash 历经 1 年多价格回档，有效刺激 SSD 需求回笼。第 1 季 DRAM 产品营收贡献由去年第 4 季的 54.75%、略为下滑至 53.3%，非 DRAM 产品营收占比达 46.7%。
