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在存储器市场因供过于求的情况，造成价格下跌，使得整体产业遭遇逆风，再加上开工日子减少，冲击 2 月份台系存储器厂商营收普遍衰退。在来到 3 月份之后，因为开工日子恢复正常，也让存储器厂商营收普遍有所回升，包括华邦电、旺宏等公司 3 月份营收都较 2 月份有所回温。只是，在整体大环境市场仍未改变的情况下，相较 2018 年同期营收仍有所衰退。

华邦电公布 2019 年 3 月份合并营收，金额来到37.34 亿元（新台币，下同），较 2 月份的 32.76 亿元，增加 13.99%，较 2018 年同期的 38.29 亿元，仍旧减少 10.77%。累计，2019 年第 1 季合并营收为 108.87 亿元，较 2018 年同期减少 10.44%。

华邦电总经理詹东义日前在法说会中指出，2019 年上半年市场处于库存消化的状态，之后，在库存降到某合理水位的情况下，真正的需求就会产生。而且，目前的供应商都相对理性，供给会以市场的第一需求为考量，不会过度囤积库存的情况下，供给问题也可以获得解决。

因此，华邦电在 NOR Flash 部分，因为具备第一大供应商的地位，跌价压力较小的情况下，持续追求高阶应用。另外，在 DRAM 部分，华邦电也已经推出了 2GB / 4GB DDR3 与 2GB LP DDR4 产品。至于，在 Flash 的产品上，已经推出 256MB 与 512MB Serial NOR Flash 等新产品，抢攻各项领域的使用。

另一家 Nor Flash 大厂旺宏，3 月份合并营收则是来到 19.64 亿元，较 2 月份的 18.05 亿元，增加 8.8%，较 2018 年同期的 32.53 亿元，则是减少 39.6%，累计，2019 年第 1 季合并营收为 60.29 亿元，较 2018 年同期减少了 33.5%。

对于未来的市场预期，旺宏董事长吴敏求日前指出，在美中贸易摩擦情况下，客户转趋观望，纷纷降低库存因应时，2019 年上半年产业表现都不会太好；不过随着美中贸易谈判将在 6 月达成协议，市场不确定性因素也将因此消失，使产业再度回复正常的情况下，需求有机会能在 6 月份落底，使得 2019 年下半年市场需求动能回温，因而带动整体市场需求的向上发展。

存储器封测厂力成自结3月合并营收49.18亿元(新台币，下同)，来到历年同期次高。第1季营收144.32亿元，为同期次高，预期第2季业绩可逐步回温。

力成自结3月合并营收49.18亿元，较2月43.4亿元增加13.31%，比去年同期56.49亿元减少12.94%。法人指出，力成3月营收来到历年同期次高。

累计今年前3月力成自结合并营收144.32亿元，比去年第4季166.39亿元减少13.2%，较去年同期159.09亿元减少9.29%。法人指出，力成第1季营收来到历年同期次高。

力成先前指出，第1季业绩相对偏弱，预估第2季业绩可望逐步回温。其中标准型DRAM封测产能持稳，绘图芯片存储器库存调整，消费产品利基型DRAM和行动存储器封测趋缓。

在资本支出方面，力成今年支出规模较去年明显减少，投资规模可能减半，以改善制程、增加先进产能、研发新技术等为主，不会影响建置扇出型封装新厂进度，新厂预估2020年下半年完成，预估最快2021年上半年进入量产。

在半导体景气不佳的情况下，台系存储器大厂南亚科 3 日公布 3 月份及 2019 年第 1 季营收状况。根据资料显示，3 月份营收为新台币 37.19 亿元，较 2 月份提升达 9.54%，但是较 2018 年同期则是大跌了 44.68%。累计，2019 年第 1 季营收来到 113.72 亿元，较 2018 年第 4 季下滑 33%，也较 2018 年同期减少 39.5%，创下 10 季以来新低纪录。

而在存储器市场价格持续下跌的情况之下，除了南韩三星针对 2019 年第 1 季的获利发出警讯，表示第 1 季因为存储器价格的下跌冲击营运，使得获利将不如预期之外。美系存储器厂美光也在日前宣布，因应存储器价格下跌的冲击，2019 年将减少投片量 5%，以降低供过于求的影响。

面对此番产业逆风的环境，南亚科总经理李培瑛日前指出，受到全球经济放缓、美中贸易纷争、关税提供所造成的影响，造成供应链调整及处理器短缺的问题，因此预期 DRAM 市场在 2019 年的市况保守。而整体市场在 CPU 缺货问题逐渐缓和，以及大厂建产效应浮现的情况下，预计 2019 年下半年将较上半年来得乐观。

动态随机存取存储器(DRAM)价格自去年第四季反转，今年第一季跌势扩大。目前市场供过于求，第二季仍难止跌。展望下半年，随着旺季到来，预期需求增加有助于价格跌势趋缓并进而止跌。

由于供需失衡，产业能见度仍低、美国存储器大厂美光(Micron)先前表示，该公司DRAM投片量将减5%，使美光在2019年的位元供应增加贴近需求。美光已削减2019会计年度资本支出预算、目前正对2020年度资本支出进行评估，将采取审慎行动因应当前的市况。

产业龙头三星电子也预警，第一季获利可能低于市场预期，主因存储器价格跌不停、面板需求疲弱。目前DRAM市场供过于求，供应链持续去化库存，随着库存调整告一段落，业者预期第三季可望止跌，研调机构虽预期跌势恐延续至第三季，但也预估跌幅将收敛为一成以内。

针对美光决定减产5%，台湾DRAM大厂南亚科总经理李培瑛表示，这对产业具正面意义，预期产品价格跌幅可望逐步缩小。

展望后市，李培瑛表示，第二季DRAM价格跌幅可望逐步缩小，第三季将步入市场传统旺季，包括行动存储器及消费型存储器需求可望升温，以及服务器市况将好转，预计下半年优于上半年，仍需观察中美贸易摩擦的协调结果，以及客户的库存调整状况。

针对存储器走势，下游模块厂十铨总经理陈庆文表示，去年上游厂的量跟价都高，因而抑制需求。今年上半年市场在去化库存，第一季DRAM价格下跌，预计第二季续跌；待第三季库存去化完成，预估DRAM、NAND Flash同步于第三季价格回稳。

威刚表示，NAND Flash及DRAM供不应求的景气循环分别自2018年第一季及第四季开始反转向下，短期内存储器价格仍偏弱，但今年下半年整体市况可望回温好转，且公司已做好多项新兴事业的布局准备。

另一家存储器模块厂宇瞻看DRAM市场买卖方仍在拔河，目前在供过于求的情况下，价格续看跌造成下游不愿备货。宇瞻总经理张家騉表示，第二季价格续跌已是市场共识，在3月DRAM落刀式下跌后，预估4月、5月DRAM可能逐月下跌15%，6月有机会落底。

存储器制造厂旺宏董事长吴敏求预期，美中贸易谈判可望于6月达成协议，待不确定因素消除后，下半年市场需求应可好转。

就供需的预测来看，上半年供过于求的状况远高过下半年，预期价格跌幅在今年第三季与第四季可望逐渐收敛。DRAMeXchange预估，第三季DRAM均价跌幅约在10%。

DRAMeXchange预估DRAM均价在第二季将持续下跌近两成，至于今年下半年跌幅是否有效收敛，取决于需求端的回温以及第二季底库存去化的成效。

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，受库存过高影响，DRAM第1季合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%。但在价格加速下跌的状态下，并未刺激需求回温，交易仍显清淡，预期DRAM均价在库存尚未去化完成影响下，跌势恐将持续至第3季。

根据DRAMeXchange调查，累积在DRAM供应商的库存水位在第1季底普遍已经超过6周 (含wafer bank)，买方的库存水位虽受到不同产品别的影响略有增减，但平均至少达5周，在服务器以及PC客户端甚至超过7周的水位。

进入第2季，受惠于1Ynm制程贡献，供给位元仍持续成长，在极力消化库存的考量下，DRAM供应商普遍采取持续大幅降价的策略以刺激销售；与第1季相似，跌幅最大的产品别为PC与服务器存储器，跌幅约两成，行动式存储器受惠于新机潮的拉货动能得以跌幅较小，约10~15%，预估DRAM均价在第2季将持续下跌近两成水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收敛，则取决于需求端的回温以及第2季底库存去化的成效。DRAMeXchange分析，今年各产品的DRAM平均搭载容量成长表现将不若去年，因此，终端需求的回温扮演着DRAM景气是否落底的关键因素。单纯就供需的预测来看，上半年供过于求的状况远高过下半年，预期价格跌幅在今年第3季与第4季可望逐渐收敛。

观察DRAM各应用别今年的价格走势，由于库存水位较高的关系，自去年第4季以来，以标准型存储器与服务器存储器的跌幅最为明显。以PC需求面来说，今年缺乏刺激出货量成长的因素，再加上intel CPU缺货状况在中低阶机种仍未缓解，出货不振的状况在上半年特别显著。

以主流标准型存储器模块8GB解决方案来看，第1季度的价格已经下滑近3成，最低价已落在近40美元，展望第2季，均价持续下探35美元，年底恐怕要挑战30美元关卡。

服务器经历连续两年的需求高峰后，第1季由于库存偏高，加上进入传统OEM的淡季，备货动能见到显著衰退，虽然3月开始，部分北美资料中心业者开始陆续洽单，但整体采购力道仍未明显复甦。

现阶段供需双方普遍库存偏高，在既有库存去化与需求动能恢复前，预估服务器存储器价格将持续走跌，DRAMeXchange预估，第2季仍将有两成左右的跌幅，第3与第4季也会维持接近1成左右的降价空间。

在行动存储器方面，第1季受到智能型手机市场需求不旺，生产总量较去年同期衰退逾10%的影响，行动存储器供应商库存无法有效去化，导致价格持续下探，discrete及eMCP产品平均跌幅接近2成，市场报价混乱。

展望第2季以及第3季，除受惠Android / iPhone双阵营旗舰新机备料带动单机搭载容量提升外，也同时受惠传统市场旺季，整体需求将转趋热络，预估合约价跌幅将较第1季收敛，不过考量今年智能型手机总生产数量将呈现负成长，中、低阶手机平均搭载容量成长有限，第2、3季的合约价格依旧难以止跌。

就利基型存储器价格走势来看，农历假期过后，中国有部分机上盒、网通标案订单出现带动小量拉货需求，但一次性标案结束后，整体需求仍然疲软。DDR3供给仍高于需求的情况下，预期今年第2季与3季利基型存储器价格仍将分别走跌15%与10%。

集邦咨询：DRAM均价受库存尚未去化完成影响，跌势恐将持续至下半年

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，受库存过高影响，DRAM第一季合约价跌幅持续扩大，整体均价已下跌逾20%。然而价格加速下跌并未刺激需求回温，预计在库存尚未去化完成的影响下，DRAM均价跌势恐将持续至第三季。

根据DRAMeXchange调查，DRAM供应商累积的库存水位在第一季底已经普遍超过六周 (含wafer bank)，而买方的库存水位虽受到不同产品别的影响略有增减，但平均至少达五周，在服务器以及PC客户端甚至超过七周。

进入第二季，受惠于1Ynm制程贡献，供给位元仍持续成长。在极力消化库存的考量下，DRAM供应商普遍采取持续大幅降价的策略以刺激销售。与第一季相似，跌幅最大的产品别为PC与服务器内存，跌幅约两成。而行动式内存受惠于新机潮的拉货动能跌幅较小，约10~15%，预估DRAM均价在第二季将持续下跌近两成水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收敛，则取决于需求端的回温以及第二季底库存去化的成效。DRAMeXchange分析，2019年各产品的DRAM平均搭载容量成长表现将不若去年，因此，终端需求的回温是DRAM景气是否落底的关键因素。单纯就供需预测来看，上半年供过于求的状况远高过下半年，预期价格跌幅在今年第三季与第四季可望逐渐收敛。

PC、服务器用DRAM 2Q跌价幅度未见收敛，行动内存跌幅趋缓

观察DRAM各应用别今年的价格走势，由于库存水位较高的关系，自去年第四季以来，以标准型内存与服务器内存的跌幅最为明显。以PC需求面来说，今年缺乏刺激出货量成长的因素，再加上Intel CPU缺货状况在中低阶机种仍未缓解，使得出货不振的状况在上半年特别显著。以主流标准型内存模组8GB解决方案来看，第一季度的价格已经下滑近三成，最低价已落在近40美元。展望第二季，均价持续下探35美元，年底恐怕要挑战30美元关卡。

服务器在经历连续两年的需求高峰后，第一季由于库存偏高，加上进入传统OEM的淡季，备货动能显著衰退。虽然三月开始，部分北美资料中心业者开始陆续洽单，但整体采购力道仍未明显复苏。再者，现阶段供需双方普遍库存偏高，在既有库存去化与需求动能恢复前，预估服务器内存价格将持续走跌。DRAMeXchange预估，第二季仍将有两成左右的跌幅，第三与第四季也会维持接近一成左右的降价空间。

在行动内存方面，第一季受到智能手机市场需求不旺，生产总量较去年同期衰退逾10%的影响，行动内存供应商库存无法有效去化，导致价格持续下探，discrete以及eMCP产品平均跌幅接近2成，市场报价混乱。

展望第二季以及第三季，除了受惠Android / iPhone双阵营旗舰新机备料带动单机搭载容量提升外，也同时受惠传统市场旺季，整体需求将转趋热络，预估合约价跌幅将较第一季收敛，不过考虑到今年智能手机总生产数量将呈现负成长，中、低阶手机平均搭载容量成长有限，第二、三季的合约价格依旧难以止跌。

而就利基型存储器价格走势来看，农历假期过后，中国有部分机上盒、网通标案订单出现带动小量拉货需求，然一次性标案结束后，整体需求仍然疲软。DDR3供给仍高于需求的情况下，预期今年第二季与三季利基型存储器价格仍将分别走跌15%与10%。

在动态随机存取存储器（DRAM）制程陆续进入 1X 及 1Y 制程领域之后，全球 DRAM 龙头南韩三星 21 日宣布，首次业界开发第 3 代 10 纳米等级（1Z 纳米制程）8GB 高性能 DRAM。这也是三星发展 1Y 纳米制程 DRAM 之后，经历 16 个月，再开发出更先进制程的 DRAM 产品。

据了解，新一代 1Z 纳米制程 DRAM，三星在不使用极紫外线光刻机（EUV）的情况下打造，这显示三星进一步提高了 DRAM 的生产极限，并拉高竞争对手的生产门槛。随着 1Z 纳米制程产品问世，并成为业界最小的存储器生产节点，目前三星已准备好用新的 1Z 纳米制程 DDR4 DRAM 满足日益成长的市场需求，生产效率比以前 1Y 纳米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

三星表示，1Z 纳米制程 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生产时间将落在 2019 下半年，以因应下一代企业服务器需求，并有望能在 2020 年支援新高阶个人计算机。除了提供市场需求，三星还指出，跨入 1Z 纳米制程的 DRAM 生产，将为全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 界面，包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等预做准备。这些具更高容量和性能的 1Z 纳米制程产品将增强三星在市场的业务竞争力，巩固其高阶 DRAM 市场应用的领导地位，包括服务器、图形和行动装置等领域。

另市场消息指出，与一家 CPU 制造商就 8GB DDR4 模块全面验证后，三星将积极与全球客户合作，提供一系列即将面世的存储器解决方案。为了满足目前的行业需求，三星计划增加主要存储器生产比重。

南韩三星电子今天举行股东大会，三星电子联席CEO金奇南（CEO Kim Ki-nam）在股东大会中报告时指出，今年三星集团将面临诸多困难，受到全球贸易关系紧张、经济成长速度放缓影响，加上数据中心企业对存储器芯片需求疲软，三星零组件业务将面临困难的一年，不过，面对强烈竞争，三星将持续大胆投资半导体制造。

三星在股东大会上发表「面临困难一年」的看法后，三星今日盘中股价重挫1.6%，接近午盘时，跌幅略为收敛至1.25%。

智能型手机市场趋近于饱和，整体供应链都明显受到影响，三星智能型手机销量已于去年出现下滑，三星也寻求在网络设备制造领域找到新机会。

三星在股东大会中表示，整体而言，高阶手机、高密度产品会带动DRAM需求成长，对于并购计划，金奇南表示，三星在各个领域都采取开放态度。

三星先前就预期智能型手机市场过于饱和，今年市场恐将维持冷风飕飕状态，然而，今年是三星推出智能型手机满十周年的日子，也因此，三星今年在智能型手机领域下了非常多功夫，希望藉由新产品、新规格来带动销售，折叠式手机就是其中一例，另外，S10系列机款也推出了诸多新功能，让消费者对于换机跃跃欲试。

只是，三星虽然积极挽救自家的智能型手机颓势，却无法挽救全球智能型手机发展态势，现在，包含新兴市场也都逐渐浮现饱和态势。

去年，中国智能型手机品牌厂虽然在新兴市场攻城掠地，但随着市场饱和，手机销量逐渐下滑也是必然趋势，自然而然，智能型手机品牌厂也会减少对零组件的拉货，影响零组件今年营运表现。

法人指出，全球智能型手机品牌厂都面临市场饱和问题，销量下滑、自然也使得获利不如以往，零组件厂是率先受到影响的族群，部分品牌厂因为早已发展软件内容或者周边商机，能藉由软件内容研发维持毛利表现，但是，零组件厂因为主攻制造，如果全球硬件需求下降，也会影响零组件厂营运表现。