上季DRAM价反转向下 今年Q1持续下探20%

上季DRAM价反转向下 今年Q1持续下探20%

去年第4季DRAM供应商总营收较前一季下滑18.3%,其中三星的位元出货在3大原厂中下滑最多。(彭博资料照)

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,DRAM报价于2018年第4季开始反转向下,造成DRAM整体产业营收下滑。DRAM供应商的位元出货(sales bit)大幅季减,去年第4季DRAM总营收较前一季下滑18.3%。

厂商报价策略更积极

DRAMeXchange指出,2019年1月份合约价格持续走跌,就一线PC-OEM大厂订价来看,主流8GB模块1月均价已滑落至50美元,且2、3月在月合约(monthly deal)议定下,价格持续下探,预估整体第1季跌幅约在20~25%。此外,DRAM供应商于2018年第4季的生产位元(production bit)远高于位元出货,导致库存压力加剧,因此为加速去化库存,厂商在报价策略上将更为积极。

从营收角度来观察,产业龙头三星在服务器存储器出货大减的冲击下,第4季位元出货在3大原厂中下滑最多,营收较上季下滑25.7%,来到94.5亿美元,市占则跌至41.3%。而SK海力士的位元出货仅下滑约2%,营收季减12.3%,至71.4亿美元,市占突破3成,来到31.2%。

美光仍旧维持第3,虽较上季下滑9.2%,但在3大原厂中表现最佳,市占率上升到23.5%,营收来到53.7亿美元。

台系厂商部分,南亚科第4季受到标准型存储器市况不佳影响,位元出货下跌超过20%,营收较前一季大幅衰退30.8%。

力晶科技本身DRAM营收较上季成长10.3%,但若涵盖DRAM代工业务,营收则下滑近双位数。华邦DRAM营收下滑16.8%,产品价格跌幅不到5%,但位元出货仍因整体拉货动能疲弱,季减逾10%。

集邦咨询:2018年第四季DRAM产值正式反转向下,原厂获利能力衰退

集邦咨询:2018年第四季DRAM产值正式反转向下,原厂获利能力衰退

集邦咨询:2018年第四季DRAM产值正式反转向下,原厂获利能力衰退

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,DRAM报价于2018年第四季开始反转向下,造成DRAM整体产业营收下滑。由于需求端的库存水位普遍偏高,导致采购力道薄弱,连带使得DRAM供应商的位元出货(sales bit)多呈现大幅季衰退。在量价齐跌的压力下,2018年第四季DRAM总营收较上季下滑18.3%。

DRAMeXchange指出,2019年一月份合约价格持续走跌。就一线PC-OEM大厂定价来看,主流8GB模组一月均价已滑落至50美元,且二、三月在月合约(monthly deal)议定的情况下,价格持续下探,预估整体第一季跌幅约在20-25%。此外,DRAM供应商于2018年第四季的生产位元(production bit)远高于位元出货,导致库存压力加剧。因此为加速去化库存,厂商在报价策略上将更为积极。

从营收角度观察,厂商普遍难逃季衰退的命运。产业龙头三星在服务器内存出货大减的冲击下,第四季位元出货在三大原厂中下滑最多,营收较上季下滑25.7%,来到94.5亿美元,市占则跌至41.3%。而SK海力士的位元出货仅下滑约2%,因此营收下跌幅度较三星轻微,季减12.3%至71.4亿美元,市占突破3成来到31.2%。

美光仍旧维持第三,在出货策略较为弹性的帮助下,营收来到53.7亿美元,虽较上季下滑9.2%,但在三大原厂中表现最佳,市占率上升到23.5%。

DRAMeXchange预估,三星面对市占明显遭侵蚀且库存水位相对偏高的双重压力下,未来在报价策略上将更积极,避免市占持续遭压缩。

观察原厂获利能力,2018年第四季受到整体价格下跌影响,供应商的获利高点正式告终,营业利益率皆呈现衰退。龙头厂三星因降价求售的力道最小,且1Ynm比重逐渐提升,营业利益率仅由前一季的70%下滑至66%。然而,第四季即使报价反转,生产DRAM的毛利率仍有8成左右水平,显示三星仍有本钱做较为积极的价格策略。

SK海力士第四季出货量高,代价即为获利能力的侵蚀,本季度的营业利益率从第三季的66%下跌至58%。美光则因公司财报月份为9-11月,价格下跌幅度不如韩厂所结算的10-12月,因此营业利益率仅从上季的62%下跌至58%。

展望2019年第一季,在产业价格跌幅更剧烈的情况下,原厂获利空间将被进一步压缩。

由技术面观察,随着Line 17增加投片以及平泽厂二楼的DRAM产能陆续开出,三星于去年底已达到1X+1Ynm产出比重合计70%的目标。今年平泽厂虽计划不再增加投片量,但Line 17与平泽厂二楼仍将持续转换1Ynm,为顺应目前市况,转换速度并不快。

至于SK海力士,1Xnm良率已上轨道,中国无锡新建的第二座12英寸厂也已于今年上半年开始贡献产出。不过由于全球经济不确定性的影响,无锡厂扩增投片的进度不会太积极。

而美光方面,台湾美光内存(原瑞晶)已全数以1Xnm生产,下一步将直接转进1Znm,但实际贡献将落在2020年;台湾美光晶圆科技(原华亚科)已于去年第二季进行20nm往1Xnm的转换,今年上半年将开始转往1Ynm,并缓步提升比重。

台系厂商部分,南亚科第四季受到标准型内存市况不佳影响,位元出货下跌超过20%,营收表现较前一季大幅衰退30.8%。毛利较佳的DDR4产品出货比重低,加上整体产业报价向下,营业利益率由上一季的51.0%下跌至41.8%。在厂房设备折旧摊提费用提升,以及20nm所带来的成本效益越来越小的情况下,获利能力恐将持续萎缩。

力晶科技方面,本身DRAM营收较上季成长10.3%,若涵盖DRAM代工业务,营收则下滑近双位数。至于华邦DRAM营收下滑16.8%,产品价格跌幅不到5%,但位元出货仍因整体拉货动能疲弱而季减逾10%。

集邦短评| 斥资千亿美元,SK海力士将在韩国兴建4座晶圆厂

集邦短评| 斥资千亿美元,SK海力士将在韩国兴建4座晶圆厂

据《路透社》报导,SK海力士近日表示,计划在韩国建设一个半导体工业区,2022年之后将投资120万亿韩元(约1,070亿美元),在首尔以南40公里的龙仁市建设4座晶圆厂。

集邦咨询认为,SK海力士在韩国龙仁市宣布打造半导体园区,可能基于以下考量:

 1) 龙仁和现有的大型半导体厂如利川 (SK海力士DRAM厂)、清州 (SK海力士NAND厂)、平泽 (三星DRAM/NAND厂)等有地利之便,有助于吸引人才,且半导体园区有助于水电资源的集中布建,对产业带来群聚效应;

2) SK海力士中国无锡厂扩厂计划暂缓,增加韩国当地的投资,可减少受到全球经济大环境不确定因素的影响;

3) 即使该投资计划对近2-3年的DRAM市况不会产生影响,不过对SK海力士长期的发展属正面,亦有利韩国当地的设备/材料商,韩国政府应会给予补助支持。

为维持竞争优势   SK海力士砸120兆韩圆扩产

为维持竞争优势 SK海力士砸120兆韩圆扩产

根据《路透社》的报导,韩国存储器大厂 SK 海力士 21 日表示,将斥资 120 兆韩圆(约1,070亿美元)以兴建 4 家晶圆厂。而 SK 海力士的该项计划,主要目的是要在中国力图成为芯片制造领先国家的前提之下,继续保持在存储器产业上的竞争优势。

报导指出,SK 海力士新的存储器制造工厂选的位置,将是在韩国首尔以南一块 450 万平方公尺的土地上,预计 2022 年开始兴建。而 SK 海力士的这些新工厂,将与现有南韩境内的 2 座工厂相辅相成。而 SK 海力士针对两座既已的工厂,也将在未来 10 年内继续投资超过 55 兆韩圆(约 490 亿美元)来持续发展。

报导还进一步引用韩国券商 Mirae Asset Daewoo 分析师 Kim Young-gun 的说法,表示因为未来在 5G 网络正式商转之后,预计将有更多存储器的市场需求,也将为 SK 海力士创造更多的存储器商机,因此 SK 海力士决定砸大钱投资。

报导还指出,DRAM 以及下一代存储器工厂的兴建计划,将会为 SK 海力士因应 5G 和人工智能等新技术需求的大幅提升做好准备。同时,这个计划还加剧了全球最大存储器出口国韩国与中国之间的产业竞争。因为过去一直以来,中国始终希望在存储器制造上大幅成长,这也威胁到韩国的厂商。

不过,虽然 SK 海力士决定在韩国境内持续扩产。但是,针对 SK 海力士目前在中国无锡市的工厂,现阶段尚未确定是否也将一并有产能提升的计划。

美光扩大台湾DRAM卓越中心 欲新招募千人

美光扩大台湾DRAM卓越中心 欲新招募千人

存储器大厂美光科技(Micron)将扩大台湾DRAM卓越中心营运规模,除了在今年将桃园厂(原华亚科)及台中厂(原瑞晶)制程升级至1y纳米,台中厂旁的封测厂也展开先进技术开发及扩产。

台湾美光存储器董事长徐国晋表示,DRAM卓越中心除了制造能力提升,更是技术及产品研发中心,美光台湾员工已逾7,000人,今年将再招募千人,希望年底能达8,000人规模。

美光目前为台湾最大外商公司,在美光的全球布局下,台湾已经是美光最大的DRAM制造重镇,除了桃园厂及台中厂外,美光自建封测厂也已进入量产。同时,美光与台湾封测代工厂亦有紧密合作关系,包括力成、南茂、华东等仍持续承接美光释出的封测代工订单。

徐国晋表示,美光不断提升在台湾的前段DRAM厂的制程技术,现阶段桃园厂与台中厂均顺利量产1x纳米制程,预计今年下半年将导入1y纳米制程,并启动1z纳米制程移转工程,明年可望进入量产。

徐国晋表示,美光后段封测厂开始量产,前后段已顺利完成整合,美光会持续扩大台湾DRAM卓越中心营运规模,所以要大举征才。美光DRAM卓越中心不仅是制造,还包括了产品设计及销售等,目前在台员工逾7,000人,今年内将再招募千人,年底应可达8,000人规模。

此外,美光封测厂也导入人工智能(AI)的智能制造。徐国晋说,不仅前段DRAM厂加入AI智能制造,后段封测厂亦是台湾唯一的全自动化封测厂,虽然积极往自动化走,不过对于人力的需求还是有增无减。随着采用AI的生产制造模式,晶圆产出可以提升10%、产品质量提升35%、提前达到成熟良率目标25%,能有效降低单位生产成本。

对于今年人才招募部分,徐国晋指出,今年招募的新人当中,有很大的部分都是在后段封测厂,另外会有三分之一新人都是非制造相关,包括研发中心、供应链管理等,非制造部分预估要新增300人左右。过去美光科技在台湾知名度不高,因此招募人才不易,今年透过校园计划、在地化融合、人才培育等方式,希望能加快吸引人才。

DRAM供过于求 第2季报价恐再跌15%

DRAM供过于求 第2季报价恐再跌15%

DRAM市场供过于求,第1季产品价格下跌逾2成,市调机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)预期,第2季产品价格可能再跌15%。

DRAMeXchange表示,因淡季效应影响,库存水位依然偏高,买方拉货意愿疲弱,冲击第1季DRAM价格下跌超过2成,其中,又以服务器存储器下跌幅度最大,跌幅逼近3成。

展望后市,DRAMeXchange预期,第2季需求虽可能略有回温,只是先前累积的库存仍需时间去化,第2季供过于求压力仍在,DRAM价格将再跌15%。

DRAMeXchange预估,服务器存储器最快要到第3季库存水位才可望有效降低,产品价格跌幅才会随着收敛。行动存储器则受惠新机效应,第2季需求可望转强,只是产品价格仍难以止跌。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)

DRAM价跌 华邦电、南亚科有压

DRAM价跌 华邦电、南亚科有压

集邦咨询昨(19)日出具调查报告指出,今年上半年DRAM市场仍供过于求,价格持续下跌,不仅本季价格跌幅将超过二成,下季仍持续看跌15%,相当于上半年累计跌价幅度超过三成,比市场原预期更悲观,华邦、南亚科等芯片厂,以及模组厂威刚、宇瞻等,营运将面临下修压力。

法人指出,DRAM价格持续下跌,营收比重较高的南亚科和华邦电首当其冲。南亚科元月营收已由前波高峰新台币85.86亿元降至52.58亿元;华邦也由新台币47.64亿元,降至38.77亿元,反映市况不佳冲击,预料也将导致本季毛利率、获利表现相形失色。

集邦咨询旗下存储器研究DRAMeXchange表示,第1季受淡季效应及美中贸易战响,加上DRAM库存水位仍然偏高,通路和系统厂买盘持续观望,导致需求疲弱,1月各品项DRAM价格跌幅都逾15%,2、3月持续看跌,整季跌幅将超过二成,其中,服务器DRAM跌幅更可能扩大至近三成。

集邦认为,整体DRAM库存去化尚未告一段落,供过于求压力仍在,预估下季跌幅仍达约15%,市况比先前预估更不乐观。

至于下半年各领域应用市况,集邦指出,因市场存在许多地缘政经议题不确定性,终端需求恐受到压抑,加上5G、人工智能、物联网、车用电子等新兴议题仍处于萌芽阶段,虽然DRAM供应商已相继放缓扩产脚步,希望缩小供需差距,但仍不足以支撑价格止跌,但是跌幅应可逐季收敛。

至于各产品别,集邦预估,标准型内存价格第1季持续下滑近25%最高,主流模组8GB价格估下探至45美元以下,预计最快第3季库存水位降低后,跌幅才会收敛。

行动式内存因去年涨幅较少,今年首季跌幅相对较小,都在二成以内,市场静待下季Android阵营新旗舰机发表,希望能带动市场需求,跌幅或许会收敛至10%到15%。

至于利基型内存第2季跌幅约10%至15%, DDR3与DDR4两种产品之间价差仍达15%至20%,短时间内恐难见到价格反转向上。

美光CEO预计下半年情况改善

美光CEO预计下半年情况改善

外电报导指出,美国半导体大厂美光科技周二股价上扬,主要因为该公司首席执行长预计下半年情况将会改善。

美光科技执行长Sanjay Mehrotra周二在旧金山举行的高盛科技行业会议上表示,该公司依然认为,与上半年相较,今年下半年业务形势会增强。

该乐观情绪带动美光股价周二盘中一度大涨5.68%,创下逾两周以来的最大盘中涨幅,终场股价收涨4.72%,报40.40美元。

Mehrotra认为,DRAM终端市场需求保持健康,今年上半年仍在处理高库存的问题。

 

进入淡季,存储器厂商1月营收年成长呈衰退

进入淡季,存储器厂商1月营收年成长呈衰退

随着时间进入 2019 年之际,市场预估受限于整体存储器供过于求,2019 年首季将面临清除库存的压力,造成市场看法趋向保守。再加上中美贸易摩擦,其不确定的因素更影响市场信心的情况下,台湾地区存储器产业面临市况较为清淡的时期,这也使得台系两大存储器厂南亚科与华邦电2019年1月营收都受到程度不一的冲击。

台塑集团旗下的存储器厂南亚科,11 日公布 2019 年 1 月营收。根据公布数字显示,2019 年 1 月自结合并营收为42.58 亿元(新台币,下同),较 2018 年 12 月的 48.28 亿元减少 11.82%,也较 2018 年同期的 61.47 亿元,减少 30.73%,为 19 个月来营收新低纪录。

之前,南亚科总经理李培瑛就在法说会表示,2018 年受全球经济放缓、美中贸易纷争、关税提高的影响,造成供应链调整及处理器短缺,预期 DRAM 市场 2019 年市况保守。继 2018 年南亚科相关资本支出较原先预估下调 15% 之后,预计 2019 年整体资本支出还会再下调 50%,也就是相较 2018 年约新台币 204 亿元资本支出,2019 年支出将只到百亿元上下,显示对 2019 年诸多市场及不确定性因素可能造成的影响。

另一家存储器大厂华邦电,也在 11 日公布 2019 年 1 月营收。根据资料显示,华邦含新唐科技等子公司 1 月合并营收约为新台币 38.77 亿元,较 2018 年 12 月的 36.91 亿元约增加 5.01%,较 2018 年同期的 41.45 亿元约减少 6.49%。

华邦电在农历年前的法说会,总经理詹东义表示,2019 上半年市场处于库存消化状态,库存降到某合理水位后,真正需求就会产生。目前供应商都相对理性,供给会以市场第一需求为考量,不会过度囤积库存,供给问题也能解决。华邦电在 NOR Flash 部分,因为具备第一大供应商的地位,跌价压力较小的情况下,持续追求高阶应用。

另外,在 DRAM 部分,华邦电也已经推出了 2GB / 4GB DDR3 与 2GB LP DDR4 产品。至于,在 Flash 的产品上,已经推出 256MB 与 512MB Serial NOR Flash 等新产品,抢攻各领域的使用。

美光中科扩产  将加码百亿投资

美光中科扩产 将加码百亿投资

全球前三大存储器制造商美光日前以新台币5.33亿元取得桥椿金属位于中科后里园区约3公顷厂房,这座厂房紧邻美光新启用的中科后段封测基地,预期未来还会有上百亿元投资,进一步扩大生产规模。

美光近几年积极加码投资台湾,2017年3月,先以新台币27.52亿元标下达鸿先进位于中科后里园区的土地与厂房,接着在同年8月,又以新台币5亿元购入宸鸿位于原达鸿厂旁的大鸿先进厂房,规划建立最先进的后段封测基地。

目前,美光在台中与桃园拥有两座晶圆制造基地,而位于中科后里厂对面的后段封测基地,连同昨天购入的厂房及土地,累计已逾13公顷,可望进一步强化美光在台布局,打造台湾成为全球存储器专业技术中心。

台湾是美光的DRAM生产重镇,并在此建立DRAM卓越中心。美光桃园厂预计今年进入1Y纳米技术量产,台中厂将于明年进入1Z纳米技术量产。

中科管理局表示,中科后里园区主要有美光及友达两家旗舰大厂,由于两家大厂都持续扩厂,带动后里园区去年营业额一举突破千亿大关。

美光去年10月成立届满40周年,同步举行中科后里园区后段新厂开幕,据了解,美光在中科打造的后段封测基地,连同设备总投资额高达新台币562亿元。

美光全球营运执行副总裁巴提亚(Manish Bhatia)在开幕仪式中宣示,台湾是美光唯一将DRAM制造与封测垂直整合的生产基地,有利于提升生产效率与市占,而中科厂预计将增加1,000个工作机会。

桥椿指出,目前中科后里园区部分厂区做为仓储,部分厂区出租,由于厂区非供营业使用,且短期内并无扩厂土地需求,为充实公司营运资金,改善财务结构,因此决议出售。