台系DRAM厂南亚科自结1月营收新台币42.58亿元，月减11.82%，为19个月新低水平。
南亚科1月出货量增加4%至6%，只是产品平均售价下滑14%至16%，是影响整体1月营收持续滑落的主因。
因全球经济放缓、美中贸易摩擦与英特尔(Intel)处理器短缺影响，南亚科对上半年DRAM市况看法保守，预期第1季产品价格可能下跌1成。
南亚科预期，第3季随着时序步入传统旺季，加上处理器缺货情况可望减缓，产品跌价趋势有机会减缓。因应市况转趋保守，南亚科今年资本支出可能骤降至新台币100亿元左右，将较去年大幅减少5成。
存储器大厂华邦电31日举行法说会，并且公布 2018 年第 4 季与 2018 年全年的营收成绩。财务长黄求己指出，虽然 2018 年前 3 季的存储器市场有着不错的表现。然而下半年开始，市场需求降低，以及库存增加的冲击下，第 4 季获利来到 8.79 亿元（新台币，下同），每股 EPS 仅 0.22 元，为近 5 年来新低纪录。累计，全年获利受惠前 3 季的亮丽成绩表现下，获利为 74.46 亿元，每股 EPS 为 1.87 元，创下近 18 年来的新高。
黄求己指出，华邦电 2018 年第 4 季含新唐科技等子公司的营收为 118.68 亿元，营业毛利率为 34%，相较上季的 38.37%，以及 2017 年同期 37.81% 皆呈现下滑状态。而归属母公司净利为 8.79 亿元，每股 EPS 0.22 元，为近 5 年来新低纪录。累计，2018 年全年合并营收为 511.9 亿元，归属母公司净利为 74.46 亿元，每股 EPS 为 1.87 元。
观察华邦电 2018 年第 4 季营收表现，除了金额较第 3 季减少 13% 之外，出货量也较第 3 季减少约 11% 到 12%，平均单位价格也下跌幅度约在 2% 到 3%。其中，又以 NAND Flash 价格下跌程度大于 NOR Flash。
其中，存储器事业中，DRAM 产品事业含利基型存储器以及行动存储器等产品，占 2018 年第 4 季营收比重 52%，营收季减 17%。而第 4 季存储器产品营收在各应用类别占比分别为消费性电子 (Consumer) 占 30%、通讯电子 (Communication) 占 26%、计算机相关 (Computer) 占 26%、车用及工业用相关 (Car&Industrial) 占 18%。而在快闪存储器业务的部分，2018 年第 4 季营收比重达 48%，营收较 2018 年第 3 季下滑 12%。
华邦电总经理詹东义表示，针对 2018 年第 4 季营收衰退的现象，乃是在之前市况以及产业展望都过于乐观，之后随着手机市场的成长衰退，并且加上中美贸易摩擦的影响、以虚拟货币价格崩跌的情况，让市出现供过于求，以及通路库存过高的问题，造成整体市场的需求量快速下滑。但是，在其中看到好的地方是，消费端对产品的需求量仍在健康的情况下，对于未来的发展仍有着希望。
因此，展望未来，詹东义指出，2019 年上半年市场处于库存消化的状态。之后，在库存降到某合理水位的情况下，真正的需求就会产生。而且，目前的供应商都相对理性，供给会以市场的第一需求为考量，不会过度囤积库存的情况下，供给问题也可以获得解决。因此，华邦电在 NOR Flash 部分，因为具备第一大供应商的地位，跌价压力较小的情况下，持续追求高阶应用。另外，在 DRAM 部分，华邦电也已经推出了 2GB/4GB DDR3 与 2GB LPDDR4 产品。至于，在 Flash 的产品上，已经推出 256MB 与 512MB Serial NOR Flash 等新产品，抢攻各项领域的使用。
詹东义还表示，目前高雄路竹 12 英寸新厂于在 2018 年 10 月正式动土后，当前进展都非常顺利。而因为华邦电 25 纳米 DRAM 在 2018 年第 4 季已小量量产，并且在第二代 2x 纳米 SLC NAND Flash 与 4x 纳米 NOR Flash 均在积极研发的情况下，未来高雄路竹 12 英寸新厂完工之后将会采用什么新技术来生产，就要视几个关键客户未来的需求而定。
DRAM在过去的几十年里发展方向单一，以追求高密度存储器为目标，但台湾的钰创科技没有走传统路线，而是开发全新的DRAM架构，称为RPC (Reduced Pin Count) DRAM。
在过去的几十年里，DRAM产业的发展方向单一，以追求高密度存储器为目标，首先是非同步 DRAM，然后发展到DDR5同步DRAM。钰创科技(Etron Technology)在今年度消费性电子展(CES 2019)上表示该公司没有走传统路线，而是开发全新的DRAM架构，称为RPC (Reduced Pin Count) DRAM。
钰创科技董事长暨执行长卢超群表示，RPC DRAM只使用到一半数量的接脚，既能达到小型化，又能降低成本。他将RPC DRAM定位为小型化穿戴式装置和终端AI子系统的理想选择。卢超群补充说明，为了采用DDR4，现今许多研发小型穿戴式装置的公司必须购买更多不需要的元件，「对于许多开发小型系统的研发人员来说，导入DDR4反而多余。」
RPC DRAM带领DRAM技术蓝图往不同的方向发展。（来源：钰创科技）
更具体地说，钰创的RPC DRAM号称可提供16倍的DDR3频宽，在40接脚的FI-WLCSP封装中仅使用22个开关讯号；该公司表示，RPC DRAM在无需增加设计复杂性和成本的情况下，能提供DDR4的容量和频宽。
RPC锁定未被满足的市场
市场研究机构Objective Analysis的分析师Jim Handy对 EE Times表示：「DRAM的有趣之处在于大厂仅关注每年出货量可达数亿甚至数十亿颗的元件；这为钰创这样的公司提供了机会，前提是它们能够想办法说明标准型动态随机存取存储器(commodity DRAM)并不能满足目前的市场需求，并制造出能满足这些市场需求的零组件。这(RPC DRAM)就是一个例子。」
在被问到RPC DRAM 可用来解决哪些问题时，Handy 表示：「主要是节省成本和空间；钰创提出了一个令人信服的论点，即RPC透过减少I/O接脚数目或以其他方式支援较小的逻辑晶粒(logic die)尺寸，进而(藉由允许公司购买较低密度的元件)降低DRAM和FPGA或SoC 的成本。他补充指出：「我发现节省成本是任何一种新产品最吸引人的理由。」
RPC DRAM与DDR3或LPDDR3 DRAM相似，但是少了一半以上的接脚数。（来源：钰创科技）
与莱迪思建立合作关系
RPC DRAM不仅仅是新DRAM架构的概念，钰创还在CES展上透露该公司已经与莱迪思半导体(Lattice Semiconductor)合作，展出可兼容钰创RPC DRAM的莱迪思EPC5 FPGA解决方案。
为此EE Times询问了莱迪思这间FPGA公司，在RPC DRAM架构中发现了哪些传统DRAM所没有的「特点」或「优势」？该公司产品营销总监Gordon Hands告诉我们：「包括FPGA在内的许多芯片之使用者相当重视I/O接脚，它们通常会对设计工程师带来限制；透过消除对单独控制和位址接脚(address pins)的需求，钰创的RPC存储器能减少对这些稀少资源的使用。」
那么莱迪思的FPGA采用RPC DRAM后，有变得更好用吗？对此Hands解释：「自从推出ECP品牌，莱迪思一直专注于提供比其他中阶FPGA产品在每个逻辑容量上更高的FPGA频宽，研发人员运用I/O环路中的预设计元件来实现DDR存储器界面，我们重新使用这些元件来支援钰创的RPC。」
Hands指出，到目前为止莱迪思和钰创的合作已经证明了此概念性设计可以让此两间公司的芯片具兼容性；他补充，「在2019年上半年，莱迪思希望发表一系列参考设计和展示，促使客户加快导入此技术。」
结合莱迪思FPGA与钰创的PRC DRAM参考设计在CES 2019亮相。（来源：EE Times）
RPC DRAM无可取代？
那么，OEM和ASIC研发人员对这种新型存储器架构的需求会有多高？除了RPC DRAM，是否有其他解决方案呢？对此Objective Analysis的Handy 表示：「目前不需要高密度DRAM的应用通常会使用SRAM，但后者相当昂贵；低密度DRAM是另一种选择，但它们比大多数的设计需要更宽的界面。」
在Handy看来，RPC承诺能用更具成本效益的解决方案来取代以上两者，因此只要钰创能坚持到底，他们应该能在市场上获得佳绩。
钰创的卢超群指出，缩小存储器尺寸是导入穿戴式装置的一个关键因素，存储器尺寸太大将是目前的一大缺点。他以Google智慧眼镜为例解释，DDR3的频宽足以让智慧眼镜撷取与播放影像，但问题是DDR3的9x13mm球闸阵列封装(BGA)尺寸使其无法放进智慧眼镜。
卢超群表示，DDR3存储器在x16配置的96球BGA封装中，尺寸大约为9 x 13mm；无论晶粒容量多大，采用0.8 mm间距6列、16接脚，最小封装尺寸维持不变，即使改用256 Mbit至8 Gbit任何容量的晶粒，封装体积也是一样。
但如果DRAM不是采用BGA封装呢？对此卢超群解释，FI-WLCSP的制程与BGA不同，「不是一次只封装一颗芯片，而是一片晶圆一整批封装；」而每个封装单元都是半导体晶粒的大小，也就是小型的FI-WLCSP封装内就是一颗小晶粒。他表示：「RPC DRAM是世界上第一款采用FI-WLCSP封装的 DRAM。」
采用不同封装的RPC DRAM。（来源：钰创科技）
使用FI-WLCP封装时，不用基板、也不用打线接合(wire-bonding)或覆晶(flip-chip)等封装步骤。封装元件内包含沉积的电介质和光学定义的导体，接着是电镀和植锡球，所有制程都在完整晶圆片上进行。
钰创的影像和存储器产品开发副总裁暨首席科学家Richard Crisp接受EE Times访问时表示：「减少接脚数目和较小的晶粒尺寸为RPC DRAM能采用FI-WLCSP封装的关键因素；」他强调：「没有其他DRAM采用此封装方式，RPC DRAM只有一粒米的大小。」
一切都与成本有关
要在市场上推广 RPC DRAM，钰创必须做什么？Objective Analysis的Handy认为：「钰创需要确保产品价格能为OEM厂商带来成本效益，他们似乎正为了这个目标在努力，由此可知他们正朝着对的方向前进；而如果这些厂商可能会因为依赖单一供应来源而感到不安的话，钰创要是能列出替代供应来源会有帮助。」
被问到RPC DRAM的晶圆代工伙伴时，钰创仅表示该产品采用与该公司其他DRAM产品一样的制造来源，但婉拒透露具体合作厂商名称。至于RPC DRAM 的制程，钰创的Crisp 强调：「与标准 DDR3 相比，我们使用标准的制程与材料，不需要用到特别夸张的信令(signaling)或特殊材料。」
就在日前的财务会议上，南韩存储器大厂 SK 海力士缴出了 2018 年第 4 季营业利益较前一季大跌 3 成的成绩单之后，也宣布为了因应接下来全球存储器市场及贸易环境的变化，将会大砍 2019 年相关的资本支出达到 4 成的幅度。这也是主要的全球存储器厂商中，继南亚科将在 2019 年缩减 50% 的资本支出后，缩减幅度最大的存储器厂。
根据南韩媒体《etnews》的报导指出，SK 海力士在财务会议上表示，为了因应全球经济全球不确定因素的资加，以及在半导体景气面临周期低潮时，整体产业将遇到的不景气现象，因此将降低 2019 年整体资本支出达到 40%。以 2018 年 SK 海力士的资本支出达到 17 兆韩圆的情况来计算，2019 年预估的资本支出将仅些微超过 10 兆韩圆而已。
报导指出，SK 海力士还进一步指出，虽然因应大环境经景气的改变，以及整体半导体市场的环境需求，2019 年将大砍其资本支出，而且未来还有可能再进一步下修资本支出的数字。但是，对于具备前瞻与创新性的投资将不再此限制之内。例如再研发的投资，以及在 M16 厂的兴建上。
SK 海力士虽然在 2018 年第 4 季，缴出较前一季营业利益大跌 3 成的成绩。但是，受惠于前半年存储器价格居高的情况，2018 年全年营收还是达到了 40.44 兆韩圆，营业利益也达到 20.084 兆韩圆的水平，创下历史新高纪录。不过，海力士指出，自 2018 年下半年以来，存储器需求从开始放缓，而且在随着供应短缺问题解决之后，存储器市场价格开始急转直下。
SK 海力士预测，整体存储器疲软的状态持续到 2019 年上半年，原因是，在外在经济环境的问题上，在美中贸易摩擦仍未减缓，以及信息相关产业的服务器客户调整库存情况下，对记忆市的场需求都造成冲击。所以，SK 海力士计划减少资本支出，然后着重在技术开发的项目上，透过生产技术的转型，让 SK 海力士能进一步度过产业周期的低潮期，并且因应未来产业的复甦发展。
过去一年，存储产业并购、建厂、扩产、投产动作不断，哪些厂商的布局令你印象深刻？不妨跟着全球半导体观察的脚步，一同回顾2018年存储产业大事件。
Part 1、收购篇
Synopsys收购Kilopass
2018年1月11日，全球顶先的EDA和IP供应商Synopsys以非公开的价格收购了非易失性内存IP供应商Kilopass，通过收购继续构建其庞大的知识产权组合。
Synopsys公司表示，Kilopass是一次性可编程非易失性存储器IP的先驱，收购将进一步完善其公司汽车、物联网、工业和移动应用的现有非易失存储器IP产品组合。Kilopass IP将支持其现有DesignWare的非易失性存储器IP一次性和多次可编程，支持在180 nm至7 nm工艺技术中实现高达4 Mbit的一次性可编程实例。
兆易创新并购思立微
2018年1月30日晚间，北京兆易创新科技股份有限公司发布《发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金预案（摘要）》公告，公告表示，兆易创新拟通过发行股份及支付现金的方式购买上海思立微电子科技有限公司100%股权。
兆易创新目前是中国大陆领先的闪存芯片设计企业。思立微全名为上海思立微电子科技有限公司，于2011 年1月27日在上海成立，公司主营业务为智能移动终端传感器SoC芯片和解决方案的研发与销售，主要产品为电容触控芯片及指纹识别芯片，产品主要应用于手机及平板电脑。
贝恩资本收购东芝存储
2018年6月初，全球领先的存储解决方案提供商希捷科技公司宣布与贝恩资本为首的财团投资者完成了对东芝存储公司（Toshiba Memory Corporation）的收购，希捷出资12.7亿美元。这项收购计划此前就曾宣布，并特意为此次收购计划组建了名为K.K.Pangea的新公司。
在2017年，在贝恩资本所牵头财团收购东芝芯片业务的交易计划中，希捷科技公司表示将贡献12.5亿美元。关于被收购的事情，东芝表示，已签署协议将芯片业务以180亿美元价格出售给贝恩资本牵头的财团。东芝一直在努力筹措资金，以避免被摘牌的命运。除希捷外，贝恩资本财团中还包括苹果、韩国芯片商SK海力士、戴尔和金士顿。
联电并购三重富士通半导体
2018年6月29日，联电与富士通半导体有限公司共同宣布，联电将购买与富士通半导体所合资的12英寸晶圆厂三重富士通半导体股份有限公司(MIFS)全部股权，交易金额不超过576.3亿日元。为联电进一步建立多元化量产12英寸厂之生产基地。
三重富士通半导体（MIFS）前身为富士通股份有限公司三重工厂，自1984年开始运营以来，作为最先端存储器等产品的研发、量产据点，助力富士通半导体快速发展。如今，MIFS是日本为数不多的300mm晶圆代工厂之一，B1厂采用90nm工艺，B2厂初始采用65nm工艺，2016年初开始40nm商用生产，2016年下半年40nm正式进入量产阶段。
美光并购与英特尔合资的IM Flash
2018年10月19日，美光科技宣布，将收购与英特尔十多年前组建的一家闪存合资公司的股份。
美光同意斥资15亿美元收购英特尔持有的IM Flash Technologies股份，并预计将在明年1月1日行使购买选择权后6至12个月完成交易。该公司CFO戴夫·金斯纳（Dave Zinsner）在会议上表示，美光科技将通过自由现金流支付收购款项。
犹他州工厂不仅距离该公司爱达荷州的总部很近，而且是全世界唯一可以生产3D XPoint技术的工厂。这种非挥发性存储可以提升存储性能，还能降低服务器的存储成本。
Part 2 建厂、扩产、投产篇
江苏时代芯存相变存储器工厂启动运营
2018年3月底，总投资130亿元的江苏时代芯存半导体有限公司用时9个月实现厂房封顶，历时1年22天投入使用，同时完成所有设备采购，首台设备进厂。这标志着淮安已成为大陆地级市中唯一同时拥有两个12英寸高水准项目（另一个为德淮半导体项目）的地区。项目全面建成后将达到年产10万片12英寸相变存储器的产能，年可实现销售45亿元，利税3亿元，淮安将成为大陆集成电路产业发展的重要增长极。
东芝建新厂增产3D NAND
东芝旗下半导体事业子公司“东芝存储器(TMC)”2018年5月宣布，因3D架构的NAND型快闪存储器(Flash Memory)“BiCS FLASH”中长期需求料将呈现扩大，因此为了扩增3D NAND Flash产能，决定将在2018年7月于岩手县北上市着手兴建新工厂，该座北上新厂厂房预计将在2019年完工。
TMC指出，上述北上新厂将采用耐震结构、最新的省能源制造设备，且将导入活用人工智能(AI)的生产系统，提升生产效能、改善良率。
东芝与西数合资厂量产96层3D NAND
日本存储器大厂东芝存储器与西数（Western Digital）2018年9月19日宣布，共同在日本三重县四日市的6号晶圆厂（Fab 6）举行开幕仪式。该厂为新设先进半导体制造厂区，并设有存储器研发中心（Memory R&D Center）。
东芝存储器是自2017年2月开始兴建6号晶圆厂，为生产3D NAND Flash快闪存储器的专用生产厂区。东芝存储器与西数已针对沉积（deposition）与蚀刻（etching）等关键生产制程开始部署先进制造设备，新厂已经在9月初开始量产新一代96层3D NAND Flash。
三星西安NAND工厂3月底启动扩产
2018年3月，三星宣布，三星位于西安的NAND工厂3月底启动扩产。三星未来三年将斥资70亿美元，扩大西安厂区NAND Flash产能，西安NAND Flash月产能将由目前的12万片增至20万片，增幅约67%。这是三星去年宣布增产DRAM之后，再次在存储器芯片领域砸下重金扩产，为全球存储器市场再次投下一颗震撼弹。
美光新加坡第三座3D NAND工厂动工
2018年4月，美光新加坡第三座3D NAND工厂动工，该新工厂是美光Fab 10扩建的第三期工程，占地165,000平方米，预计会在2019年中完工，在2019年第四季度投产。工厂的量产还需要几个季度的时间，因此预计大量的3D NAND存储器将在2020年底之前产出。目前，美光在新加坡有两座300mm 3D NAND工厂，分别Fab 10N和Fab 10X。 这些工厂目前生产美光的NAND Flash的大部分份额。
英特尔大连厂2期投产
继2015年宣布其总投资55亿美元的大连的Fab 68晶圆厂第2期工程改造为NAND Flash快闪存储器工厂之后，英特尔2018年5月宣布已经正式投产。未来，主要将生产96层堆叠的3D NAND Flash快闪存储器，积极追赶竞争对手的市占率。
SK海力士开建第7座工厂
2018年12月，SK Hynix正式开工建设第7座半导体工厂──M16厂，总投资不低于15万亿韩元（约133亿美元）。虽然还没确定最终生产NAND Flash还是DRAM，但是这座晶圆厂确定将会采用最先进的EUV光刻技术。
此外，在2018年10月份，SK Hynix才刚完成最新的M15工厂兴建，已正式进入量产，且该工厂是2015年SK Hynix宣布将斥资的46万亿韩元投资计划中的一部分。
M15工厂位于韩国清州市，投资额高达15万亿韩元，以生产3D NAND Flash为主，初期以生产现在的72层堆叠3D NAND Flash，2019年开始，就会转到96层堆叠的3D NAND Flash上。
南韩存储器大厂 SK 海力士（SK Hynix）公布 2018 年第四季财报，需求减缓导致营益狂跌三成，表现逊于市场预期。
SK 海力士 24 日韩股盘前发布财报，2018 年第四季合并营收季减 13% 至 9.94 兆韩圆，营益季减 32% 至 4.43 兆韩圆，净利季减 28% 至 3.4 兆韩圆。
韩联社旗下 Yonhap Infomax 访调显示，24 家南韩券商预估，SK 海力士第四季营收为 10.2 兆韩圆，净利为 3.8 兆韩圆，结果双双不如预期。
SK 海力士表示，去年上半情况有利，但是下半年需求走缓、供给短缺也获得解决，存储器市况迅速改变。有鉴于此，去年第四季，DRAM 位元出货量季减 2%、平均售价季减 11%，主因总体经济环境不确定性提高，服务器客户采购转为保守，此外，智能手机销售转弱，也不利 DRAM 买气。
NAND Flash 位元出货量季增 10%、但是平均售价季减 21%，主因高阶智慧手机需求减弱。另外供应商为了削减库存，价格竞争激烈，均价因此大减 21%。
2018 年全年而言，SK 海力士受惠于上半年存储器的强劲表现，营收和营益连续两年打破空前纪录。SK 海力士年度合并营收达 40.45 兆韩圆、年度营益为 20.84 兆韩圆、年度净利为 15.54 兆韩圆。
SK 海力士宣布 2018 年每股发放现金股息 1,500 韩圆，比去年高出 50%，激励股价走高。今日上午 8 点 24 分，SK 海力士上涨 1.20%、报 67,600 韩圆。
今年存储器价格可能续跌。韩联社先前报导，库存水位过高，DRAMeXchange 预测，今年服务器 DRAM 价格将对半腰斩，大减将近 50%。该机构估计，服务器 DRAM 第一季价格将季减 20%、第二季季减 10%、第三季季减 8%、第四季季减 5%。
Tom’s Hardware 报导，DRAMeXchange 预测，今年 NAND 价格将暴跌 50%，跌幅远大于之前预估的 10~25%。
存储器大厂南亚科昨（15）日举行 2018 年第 4 季法人说明会，由总经理李培瑛亲自主持。会中，南亚科公布 2018 年第 4 季及全年营收状况，根据资料显示，南亚科 2018 年第 4 季营收为169.58 亿元（新台币 ，下同），较第 3 季减少 30.4%，毛利为 89.72 亿元，毛利率为 52.9%，较第 3 季减少 6 个百分点。整体税后净利为 79.53 亿元，净利率为 46.9%，较第 3 季减少 5.9 个百分点，单季 EPS 为 2.57 元。
李培瑛表示，在 2018 年第 4 季受到市况不佳的影响，营收较第 3 季下滑 30.4% 的情况下，累计 2018 年全年营收为新台币达 847.22 亿元，较 2017 年同期增加 54.3%。在全年出货增加三十中位数百分比，以及 DRAM 平均售价年成长中十中位数百分比的情况下，2018 年全年毛利为 466.16 亿元，毛利率达到 55%，营业利益为 393.55 亿元，营业利益率 46.5%。在认列业外收入 22.3 亿元的情况下，归属母公司税后净利达到 393.62 亿元，每股 EPS 12.8 元。创下本业在毛利率、营业利益率、以及净利率三率创新高的情况，而且也是连续两年赚超过 1 个股本。
而针对 2019 年南亚科的营运展望，李培瑛指出，受到全球经济放缓、美中贸易纷争、关税提高所造成的影响下，造成供应链调整及处理器短缺的问题，因此预期 DRAM 市场在 2019 年的市况保守。因此，继 2018 年南亚科在相关的资本支出较原先预估的下调 15% 之后，预计 2019 年整体的资本支出还将会再下调 50%，也就是相较 2018 年约新台币 204 亿元的资本支出，2019 年的资本支出将会降到百亿元上下。
至于在 2019 年的市场需求上，于手机产品方面，虽然 2018 年的市场销售不如预期，但是在 Android 机种内建存储器容量的提升，加上 2019 年 5G 网络正式商转后，有机会刺激存储器需求动能。在服务器方面，则是受限于 2019 年短期的市场库存调整，短期导致需求不佳，但长线在人工智能及网络需求的成长下，仍有机会带动服务器的需求。而在 2018 年因为英特尔处理器缺货，导致存储器需求不佳的情况，预计处理器在缺货潮于 2019 年上半年能解除的情况下，恢复正常市况。
最后在消费型终端产品方面，李培瑛也表示，短期需求受美中贸易因素困扰而需求不振。但全年机上盒、智能音箱、SSD、IP CAM 等应用搭载 DARM 的数量成长，也带动需求稳定爬升。因此，基于以上的因素、在 2019 年的产品规划上，李培瑛还表示，除了规划将导入服务器及一系列低功率用产品，进一步多样化产品应用及提升竞争率。其中，在服务器的产品上，目前已经通过一家国际级服务器厂商的认证，而其他的认证则是目前在进行中，至于英特尔服务器的认证上，则预计在 2019 年的第 2 季完成认证。不过，李培瑛还是坦承，2019 年要想追上 2018 年的营收水平，会有很大的困难。
而因为连续第 2 年获利达到 1 个股本，因此李培瑛表示，2019 年的股利也会将发放率规划在 50% 左右。如过能达到 6 元以上的水平，则将创下南亚科的历史新高纪录。
集邦咨询：2019年第一季DRAM合约价跌幅扩大至近20%
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2018年12月正值欧美年节时期，DRAM成交量清淡，因此不列入合约价计算，意味着12月份合约价与11月份大致持平。主流模组8GB均价仍在60美元左右，而4GB约在30美元水位，但两种模组的最低价分别已跌破60与30美元关卡。
DRAMeXchange指出，2019年第一季合约价已于去年12月开始议定，综合库存过高、需求比原先预估更为疲弱，以及短中期经济展望不明朗等因素，买卖双方已有8GB均价降至55美元或更低的共识，预期1月份合约价将较上一个月份下跌至少10%，并且2、3月持续下探的可能性极高。整体来看，第一季价格跌幅将由原先预估较前一季衰退15%，扩大到近20%，尤其以服务器内存的下修最为明显。
目前DRAM市场最大问题并非供给端的增加，而是需求端在2018年第四季提前进入淡季，使得库存攀升问题提早浮现。以2018年第四季来看，所有供货商当中以美光降价幅度最大，因此部分偏高的库存水位得以适时去化。而韩系厂因为降价幅度较小，导致出货量萎缩，库存持续累积至2019年第一季将相当可观。短期之内，生产位元成长(supply bit growth)将持续大于销售位元成长(sales bit growth)，库存水位的不断上升，成为价格的最大压力。预期自2018年第四季开始的DRAM价格跌势恐怕将延续四个季度以上。
上肥下瘦，模组厂获利空间遭压缩
虽然DRAM价格自2018年下半年开始走跌，但由于产业集中度高，削价竞争只会侵蚀目前丰厚的获利，因此，2019年各厂纷纷计划减少资本支出，以稳定DRAM价格并平衡市场供需环境。
值得注意的是，上游原厂享有高毛利，但下游的内存模组厂与客户的获利空间却遭到压缩，这使地整体内存产业获利表现在2018年呈现上肥下瘦。2017年因DRAM价格在短期大幅上涨，模组厂受惠于手中持有的低价库存得以转为实际获利，大多数模组厂获利表现相当优异。但从2018年开始，DRAM价格已处于高档水位，颗粒价差获利空间变小，模组厂仅能从加工费用中获利。加上DRAM价格于下半年开始下跌，下游模组厂手上持有的库存损失则拖累获利，不少下游厂商2018年的实际获利较前一年相比仅剩一成水平，甚至开始亏损。由此，DRAMeXchange预期2019年模组厂的生存将面临更严峻的考验。
即使市场对于 2019 年整体景气依旧存有杂音，但台湾地区厂商对于投资扩厂的计划依旧没有改变。继日前台股股王大立光在法说会上宣布，针对扩产计划将持续进行之外，存储器大厂华邦电也在 14 日宣布，完成由台湾银行主办、总计 19 家金融机构所参与联贷案。该联贷案总金额将达到新台币 420 亿元，将用于华邦电南科路竹基地新 12 寸厂的兴建与设备购置用途上。
华邦电表示，14 日上午于台北寒舍艾美酒店，举行 7 年期新台币 420 亿元联合授信签约典礼。签约典礼由华邦电董事长焦佑钧及台湾银行董事长吕桔诚共同主持。本联合授信案委由台湾银行、中国信托商业银行、第一商业银行、台新国际商业银行、兆丰国际商业银行、合作金库商业银行、彰化商业银行及星展银行共同主办，总计 19 家经营绩效良好的金融机构共同参与。
华邦电进一步指出，本联合授信案主要用途为兴建南科高雄厂的厂房及购置机器设备所需，未来华邦电将以稳健脚步进行新厂规划与投资，以满足持续增长的客户需求。据了解，此联合授信案深获银行团支持并踊跃参贷，获超额认购 193 %，最后以 420 亿元顺利筹募完成，充分显现银行团对于华邦电的营运与获利表现给予高度肯定。
华邦电表示，目前公司正致力于全方位存储器解决方案，为全球前五大自有品牌 DRAM 制造商，亦为全球领导的 NOR Flash 供应商，为全球少数同时拥有 DRAM 及 Flash 产品线的存储器厂商。随着存储器产品应用广泛多元，华邦电子在新厂产能挹注下，配合自主技术及灵活配置的生产优势，将使公司充分掌握市场契机，提升在存储器产业的市占率及地位。
南亚科将于周二 (15 日) 召开法说会，公布第 4 季与全年获利表现，市场将聚焦南亚科对第 1 季及今年整体市况展望。南亚科去年全年营收创新高、达到 847.21 亿元（新台币，下同），法人预期，南亚科第 4 季每股纯益可望达 2.5 元，全年每股纯益上看 12.5 元，可望写下历史次高成绩。
南亚科去年第 4 季受到美中贸易摩擦影响市场需求，加上 CPU 缺货等因素影响，且 DRAM 销售单价也下修，在价量同步走弱下，使营运表现受到影响，第 4 季营收为 169.57 亿元，季减 3 成，不过，由于前 3 季营运表现相当不错，带动去年全年合并营收达 847.22 亿元，年增率 54.3%，改写历史新高。
从南亚科大股东南亚公告的第 4 季财报来看，共认列南亚科投资收益 23.2 亿元，法人推估，南亚科第 4 季获利将达 79 亿至 80 亿元，虽然获利季减幅度可能超过 3 成，但单季每股纯益可望达 2.5 元，全年每股纯益则预期将超过 12.5 元，写下历史次高纪录。
今年市况方面，据集邦咨询半导体研究中心 DRAMeXchange 最新调查，继去年第 4 季 DRAM 合约价格较前一季大幅修正约 1 成后，受到终端产品需求疲软影响，DRAM 主要供应商纷纷放缓新增产能脚步，以期减缓价格跌势，今年 DRAM 产业用于生产的资本支出总金额约 180 亿美元，年减约 1 成，为近年来最保守的投资水位。
南亚科去年第 4 季起，开始延缓产能扩充与资本支出，去年全年资本支出也由原先的近 240 亿元、下调至 210 亿元，调幅逾 1 成，预期在市况未有太大变化之下，加上三星半导体、SK 海力士与美光均同步下修今年资本支出，南亚科今年资本支出可望比去年更保守。
DRAMeXchange 预期，今年 DRAM 价格仍将逐季修正，第 1 季价格下修幅度约 15%，第 2 季收敛至 10% 以内，下半年除非需求明显改善，否则价格仍将维持约 5% 的季度下修。
