存储器模组大厂创见信息受到年底去化库存与盘点影响，去年12月业绩月减26%，而展望今年上半年，公司提到，NAND芯片报价将会续跌，公司会以强化工控市场布局为要务。
创见公布自结2018年12月份合并营收10.4亿元（新台币，下同），与上月相比减少26.0%，较去年同期减少22.2%。综观产品营收结构，12月份工控产品营收4.06亿元，占整体营收比重38.9%；策略性产品营收2.32亿元，占整体营收比重22.3%；消费型Flash产品营收2.03亿元，占整体营收比重19.5%；标准型DRAM产品营收2.01亿元，占整体营收比重19.3%。
回顾12月，创见提到，由于适逢国外连续假期以及客户期末盘点调整库存水位，DRAM及NAND FLASH市场价格持续下跌，12月客户拉货趋向保守，致使创见本月份整体营收较上月及去年同期减少。展望未来，DRAM与NAND FLASH供给持续维持高档，2019年上半年价格预期将继续走跌。创见将持续深耕工控领域。
随着物联网(IoT)、人工智能(AI)、5G技术逐步整合，资料经济产业生态链可望成形。相关数据显示，2025年全球资料量将成长至163ZB，届时超过四分之一的数据将是实时资料，其中物联网装置产生的实时资料占95%以上。资料经济与人工智能翻新了数据的价值，也开展了全新的产业发展契机与挑战；由实时资料所驱动的智能储存应用，已展现强大市场推动力量，不只让工业级NAND Flash快闪存储器、DRAM应用有了更多样的面貌，对相关垂直市场应用的重要性也大幅提升。
为因应智能装置对于运算能力及传输速度的高标准要求，未来持续透过NVM Express(NVMe)标准提升固态硬盘(SSD)运作效能已是势在必行，具总线频宽优势的高速PCIe界面应用层面也将越来越广。另一方面，随着英特尔(Intel)与AMD相继升级服务器、桌上型与行动处理器平台，强化支援存储器规格至DDR4-2666，工业级DRAM将正式进入高效能、高频宽的DDR4-2666世代，甚至持续朝2,933MT/s发展迈进。
容量方面，随着工业级3D NAND技术逐渐成熟，解决了2D NAND储存单元距离过近时可能产生的干扰问题，有效提升每储存单元(cell)的容量；而DRAM也从20nm进入1x/1ynm制程，工控应用市场导入具高容量、高可靠度、高效能与低功耗优势的3D NAND SSD，16GB甚至32GB存储器趋势也将逐渐成形。
另一方面，因应智能装置小体积应用趋势，工业计算机设计逐渐重视体积精巧、易于挂载或整合等特性，小尺寸规格(SFF)将成为储存与存储器产品发展考量的重要元素之一。如将控制芯片、NAND Flash和DRAM等关键元件整合于单一芯片的超小型uSSD、全球最快的工业级记忆卡CFexpress或全球体积最小的工业级存储器VLP DDR4 SODIMM等，都将于此时成为市场焦点。
软韧硬件技术加值 拉高工业级市场进入门槛
智能应用发展的多元化，对数位储存产业的影响绝不仅限于未来产品规划的层面上，工控市场也将从量变走向质变。原厂高质量颗粒的取得与稳固的合作关系已是基本要素，如何洞悉市场需求、研发更符合新世代智能应用需求的储存与存储器产品，重新定义市场规格，进而扩大工控市场影响力，才是取得决胜先机的关键。
举例而言，宇瞻科技自发表专利抗硫化存储器模组以来，深知存储器硫化对工业计算机、网通与服务器产品可靠度及使用寿命影响甚巨，致力于推动工控市场对于硫化议题的重视，即成功促使抗硫化存储器模块从特殊应用跃居市场主流，成为从云端到终端，从资料中心、服务器到边缘装置的标准规格，引发存储器模块市场的新一波成长动能。
此外，虽然都是资料储存与处理，但不同垂直市场的应用需求却不尽相同，因此，如何掌握不同垂直市场的应用特性，并提出相对应的软固件技术与解决方案也越来越重要。
如同样都是3D NAND SSD产品，透过Over-Provisioning 固件技术，则能更进一步降低写入放大率(Write Amplification)，最佳化持续性随机写入效能，延长 SSD 使用寿命；或利用专属Double-barreled 智能储存解决方案，协助客户掌握SSD实际应用情境与使用行为，进而以有效率且智能的方式管控储存装置，大幅提升产品耐用度，确保系统稳定运行。这不只需要丰富的产业经验，极高的客制化技术实力也将扮演关键角色，才能提供软韧硬件高度整合的Total solution服务。
展望未来，除了高容量、高效能、小尺寸的数位储存产品将逐渐成为主流，随着各家业者纷纷展现从储存产品走向储存解决方案供应商的决心，如何透过技术实力与产业经验，实现工控应用要求的高可靠度与耐用度，发挥智能储存的最大效益，进而提供永续性的SSD与DRAM解决方案，将成兵家必争之地。
存储器厂华邦电 8 日公布自行结算的 2018 年 12 月份营收报告。华邦含新唐科技等子公司，12 月份合并营收为新台币 36.92 亿元（新台币，下同），较 11 月份减少 8.19%，较 2018 年同期减少 12.94%，再创近 10 个月来的新低纪录。不过，受惠 2018 年整体营收表现亮眼的影响，累计 2018 年全年合并营收为新台币 511.9 亿元，较 2017 年增加 7.56%，创下近 18 年来的新高纪录。
受到中美贸易摩擦及美国升息的冲击，华邦电 11 月营收仅 40.21 亿元，较 10 月份月减 3.22%。而 12 月份的营收出炉，营收金额再下降到 36.92 亿元，较 11 月份再减少 8.19%，创近 10 个月来的新低纪录。
华邦电总经理詹东义日前的法说会上指出，虽然近期全球经济充满不确定性，但包括物联网、车用、工业等领域，不断有新应用出现，成为驱动需求的新动能，因此对未来市场需求并不悲观。不过，未来 2 到 3 季为关键时期，包括中国内需市场降温、库存调节状况与全球重要市场的环境变化，都是关乎未来市场发展的重点。
至于华邦电目前的状况，詹东义表示目前营运良好，很多来自客户的订单，而且对客户的交期也正常。这部分归功于过去就订下以利基型市场产品为主，不做标准型市场生意的计划。
因此，就目前的情况来看，标准型产品的市场虽然受到市场的变化影响，会有所变化，但是利基型产品市场，随着系统整合存储器需求越来越大的情况下，还是会有成长的空间。因此，这也是过去华邦电以生产利基兴产品为主，但是如今市场需求大到需要增加生产，以进一步盖高雄路竹新厂的原因。
至于新厂的建置，詹东义表示，在 10 月份正式破土动工之后，目前土建的部分已经开始执行中。所以，并不会受到市场看到未来半导体景气的影响，在建厂的时程中会有所变化。
詹东义强调，在市场认为是景气低档时建厂，未来在景气反转时，就刚好能搭上顺风车。而且，目前华邦电是台湾地区唯一能自行研发制程的存储器厂，根据规划，希望能在 2 年就有一个世代的提升。因此，如果一切正常，则可以藉由新制程的推出，加上新厂房的成立，使华邦电未来能有好的表现。
存储器模组大厂威刚公布去年全年营收中，DRAM产品营收较前一年成长达11.67%，也是近8年新高，虽然去年下半年以来，市场研究机构多对今年存储器市场持保守看法；不过，威刚预期，今年第2季开始DRAM需求将好转，昨日存储器个股，包括威刚、南亚科、旺宏及华邦电也呈现齐涨表现。
威刚去年全年合并营收达314.48亿元（新台币，下同），受惠去年DRAM产业供需健康，价格走势相对稳定，全年DRAM产品营收较前一年成长11.67%、达194.27亿元，为近八年来新高。
威刚表示，去年DRAM产品对公司整体营收贡献比重也较前一年成长近8个百分点达61.78%；非DRAM产品对整体营收贡献比重为38.22%。
受国际客户与通路的圣诞假期与年底结帐影响，威刚去年12月合并营收20.84亿元，较前一个月下滑10.53%。累计去年第4季合并营收为68.09亿元，单季DRAM产品营收贡献比重54.75%，非DRAM产品营收贡献比重45.25%。
展望2019年存储器市况，威刚表示，第1季因CPU缺货影响，DRAM需求转淡，但随着缺货情势逐步缓解，自第2季开始DRAM需求可望好转。公司也持续看好NAND Flash价格修正后，可刺激终端产品搭载容量成长及提升SSD市场渗透率。
存储器大厂南亚科 3 日公布 2018 年 12 月及 2018 年全年自结财报，根据财报显示，南亚科 2018 年 12 月营收为 48.29 亿元（新台币，下同），较 11 月减少 10.62%，也较 2017 年同期减少 18.87%，创下 15 个月来的新低纪录。而且，2018 年第 4 季营收连 3 个月下滑，累计营收为 169.58 亿元，较第 3 季的 243.75 亿元大幅下滑超过 3 成，与 2017 年第 4 季的 167.83 亿元约略持平。
事实上，南亚科在上一季法人说明会时，总经理李培瑛就表示，整体来说，在中美贸易摩擦等不确定因素增加的情况下，对于 2018 年第 4 季的 DRAM 需求相对较上半年保守。而且，在影响因素未确定的情况下，对 DRAM 的长期走势还需要做密切的观察，这使得 2018 年第 4 季营收较之前有衰退，不过，南亚科仍旧在 2018 年前 3 季营收表现突出的情况下，使得累计 2018 年的全年营收，仍较 2017 年亮眼，总营收金额为 847.22 亿元，较 2017 年度增加 54.27%。
根据李培瑛之前的说法，就目前情况来看，中美贸易摩擦的影响仍是市场最大的变量。这样的情况会造成需求端的趋向保守，供给端的投片量减少。所以，日前国际大厂宣布降低 2019 年的相关资本支出，主要也可能是受到这样情况的影响。
而南亚科本身也为了因应这样的情况，2018 年也已经下调相关的资本支出，从新台币 240 亿元下调到 210 亿元。也因为减少的资本支出是在于机器设备的增加上，这将使得原本预计 2019 年 20 奈米 4.7 万片的月产能，也将会有些许调降的情况。
不过，虽然在 DRAM 供应面有下调资本支出、减少投片量的情况，而且需求面也有较为保守的趋势产生，但是就整体市场的情况来分析，却不会太过悲观。
李培瑛预估，2019 年整体的价格不会有过去呈现 2 位数百分比的暴跌情况产生，而是呈现逐季缓步走跌的情况，时间大约在 1 到 2 季之间。李培瑛还进一步分析 DRAM 价格不会暴跌的主因，是来自于目前市场上包括手机、服务器、消费性电子产品都还供需健康的状况，仅在个人计算机方面，受到贸易摩擦及处理器缺货的因素所影响，会有短期市场跌价的压力。
动态随机存取存储器(DRAM)厂纷纷放缓扩产脚步，据市调机构集邦科技预估，2019年DRAM产业资本支出金额约180亿美元，将减少1成左右。
集邦科技表示，韩国两大DRAM厂三星(Samsung)与SK海力士(Hynix)较早宣布放缓2019年投资计划，三星2019年DRAM投资金额约80亿美元，主要用在转换1y纳米制程及新产品开发。
随着平泽厂扩产计划终止，集邦科技预估，三星2019年位元成长率将约20%，将创下历年新低纪录。
SK海力士2019年DRAM投资金额也将降至55亿美元左右，将用以推进制程技术及提升良率，集邦科技预期，SK海力士因中国无锡新厂落成，2019年位元成长率将约21%。
美光(Micron)2019年资本支出将降至30亿美元左右，位元成长率也将降至15%。
集邦科技指出，2018年第4季DRAM合约价下跌约10%，预期受淡季效应影响，2019年第1季价格将再跌15%，第2季价格跌幅可能收敛至10%以内。
钰创科技的专精型DRAM产品512Mb DDR2、512Mb DDR3、1Gb DDR3与2Gb DDR3，已经被智慧音箱主要厂家采用，且KGD （Known Good Die）的方案亦被导入其下一代的产品中。
AI（人工智能）科技近年来的趋势，由过去的云端运算逐步走向边缘运算，推动了终端装置的智慧化发展，根据IEK最新的预估，在2022年将会有75%的AI运算处理与资料储存会在终端装置进行。目前AI相关的消费型终端装置中，除了人手一支的智能型手机外，最热门的就是智慧音箱。
智慧音箱已经成为智慧家庭的入口核心装置，其硬件需要深度学习的类神经网络运算来处理语音信息，较过去单纯用声音控制复杂许多。此外，在消费型机器人的应用上，扫地机器人（Robotic Vacuum Cleaner）五年内复合年成长率超过10%、已达每年数百万台市场规模，其中藉由多重感应器的资料建构室内立体地图，以循序移动的打扫方式取代过去盲视且随机的移动，达到更有效率、更加清洁的效果。
钰创表示，目前正开拓智慧家庭相关领域，专精型DRAM产品已于客户验证中。 对行动式存储器之开展，钰创专注于具备高频宽与低容量特性的产品。目前256Mb LPDDR2产品具有低功耗与32 I/O的规格，不仅适用于4K显示器的控制芯片，也深度整合于360度全场摄影机方案中，支援高分辨率的3D立体影像录像，为使用者提供了具体鲜明且身历其境的影像，让记忆更加美好。
在AIOT的应用中，对于网络的需求不仅仅是高频宽与低延迟，更需要无所不在的连网，因此推动了5G通讯的规范与低功耗广域网路（LPWAN, Low Power Wide Area Network）的高速发展，为此须布建各种专用型闸道器（Gateway的网络系统，来提供云端服务器与终端装置的网络连结。钰创科技对于闸道器应用，拥有完整的DDR2/DDR3 SDRAM与SPI NAND存储器方案，藉由通过国内外主要通讯芯片厂家平台的验证，供货给主要客户。
钰创科技将于2019 CES现场展示包括：AI终端智慧音箱及消费型机器人、5G宽带的闸道器完整存储器、深度整合于360度全场摄影之专精型DRAM方案等终端装置之智慧化发展趋势。
随着 5G 明年步入商转，资料传输需求大增，可望显著刺激存储器景气。虽然近期存储器步入景气向下循环，但历经调整后，5G、人工智能与边缘运算等带动科技新浪潮，将带动 DRAM 与 NAND Flash 需求重回成长，南亚科、华邦电等台厂都将因此受惠。
DRAM 近年来受惠资料中心持续建置，服务器存储器出货量大幅攀升，伴随 5G 商转产生的大量数据，将需要建置更多资料中心来容纳。随着资料中心需求持续推升，未来服务器 DRAM 可望成为成长力道最强劲的存储器领域，研调甚至认为，未来 2 至 3 年内，服务器存储器将超越行动式存储器，成为供需主流。
为迎接服务器市场未来的强劲成长动能，南亚科今年正式重返缺席逾 5 年的服务器 DRAM 市场，8Gb DDR4 服务器产品已获美系资料中心大厂验证通过，第 4 季小量出货，并于明年放量，要全力抢攻服务器市场，盼明年底前服务器 DRAM 产品可占整体出货比重超过 1 成。
除南亚科积极布局以因应相关需求外，华邦电也不缺席。华邦电总经理詹东义认为，5G、人工智能与边缘运算需求增加，将使更多产品智慧化，成为驱动产业的新成长动能，因此对未来市场需求并不悲观，将持续耕耘质量要求较高的金字塔顶端客户。
而在 NAND Flash 方面，随着 5G 带动智慧家庭、自动驾驶等新兴领域持续发展，拥有运算能力的终端产品数量将会明显提升，可望带动中低容量 NAND Flash 产品出货量增加，后市需求动能同样乐观可期。
12月29日，兆易创新发布《关于合作协议的进展公告》。
公告显示，兆易创新与合肥市产业投资控股（集团）有限公司（以下简称“合肥产投”，与公司合称“双方”）于2017年10月26日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》（以下简称“《合作协议》”），约定双方合作开展12英寸晶圆存储器研发项目（以下简称“本项目”）。
根据《合作协议》，本项目目标是在 2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的晶片占整个晶圆的比例）不低于10%。项目所需投资由兆易创新和合肥产投按照1:4 的比例负责筹集，项目总预算约为180亿元人民币，其中兆易创新负责筹集约36亿元。
双方约定，若2018年12月31日前本项目目标尚未实现、双方决定终止项目，兆易创新与合肥产投需要根据1:4分担项目损益；又或2018年12月31日前未能按期实现目标，且合肥产投决定退出而兆易创新决定继续经营的并截至2019年12月31日，本项目目标仍未实现的，兆易创新有义务完成收购合肥产投在项目应当享有的清算或处置收益。
如今临近约定日期，兆易创新表示，经沟通确认，双方将继续推进本项目实施。本项目的后续具体实施，将视需要签署明确、具体的一份或数份执行协议进一步确定，后续协议的签订及协议内容尚存在不确定性。
持续上涨两年多的DRAM内存价格在今年Q4季度终于由涨转跌了，三星、SK Hynix及美光三大内存芯片供应商都在想方设法应对即将到来的降价周期，这三家公司已经确定会削减明年的资本支出，不再大幅增加内存产能以减缓内存降价趋势。
三星Q4季度的内存降价，再加上今年一直在跌价的NAND闪存，预计三星本季度盈利会下滑7.6%，但是全年积累之下，三星今年的利润依然会达到62.6万亿韩元，创造历史最好记录。
三星即将在明年1月份发布2018年Q4季度财报，在此之前市场已经在打预防针了，因为本季度中内存芯片也开始跌价了，势必会影响三星的赚钱能力。来自韩国分析师的分析认为三星今年Q4季度的营收为63.8万亿韩元，同比下滑3.2%，而下滑的主要原因就是内存以及NAND芯片跌价，其他风险还有中美贸易战等等，不过这些因素都没有存储芯片跌价影响大。
与营收微幅下滑不同，三星Q4季度的运营利润下滑更多，预期本季运营利润只有13.9万亿韩元，约合123亿美元，与去年同期的15.1万亿韩元相比会下滑7.6%。
尽管Q4季度会因为存储芯片跌价而导致利润下滑，但是放眼全年的话，由于前三季度DRAM内存芯片价格一直维持强势，三星此前在DRAM芯片上维持了70%以上的毛利率，所以折抵下来全年盈利依然会创新高，预计今年运营利润高达62.6万亿韩元，约合557.3亿美元或者3844亿人民币，而去年全年的运营利润也不过53.6万亿韩元，约合3291亿人民币，相比之下，今年的盈利依然会大涨16.8%。
