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5月20日，浙江嘉兴南湖区举行2020“南湖之春”第二届国际经贸洽谈会，会上共有52个高质量项目签约，总投资近340亿元，涉及数字经济、高端智能装备制造、生物医药等多个领域，其中包括总投资1亿美元的半导体存储项目。

据悉，该项目旨在打造对中国区DRAM存储行业起领军作用的芯片研发、设计、销售基地和管理全球市场的总部公司。

近年来，南湖区重点培育集成电路产业，制定了集成电路产业发展规划，2020年初，位于嘉兴科技城的南湖微电子产业平台成功入选浙江省六个“万亩千亿”新产业平台之一。

事实上，南湖区微电子产业链已初步形成，目前嘉兴科技城聚集了斯达半导体、芯动科技、禾润电子、博创科技等一批集成电路企业，其中斯达半导体填补了国内IGBT芯片和功率模块技术空白，成为国内IGBT领域产销最大、技术领先的专业研制和生产企业；芯动科技则专注于高端MEMS产品生产加工，具有全产业链、全自主知识产权，是中国最先进的高端MEMS器件加工平台之一。

此外，今年4月，嘉兴南湖微电子产业平台的第二个标志性项目浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司氮化镓射频及功率器件项目也桩基开工；恒拓电子年产30亿只专用集成电路封测等项目在建。

据嘉兴市人民政府消息指出，此次半导体存储项目的引入将进一步丰富南湖区微电子产业集群。

集邦咨询：美扩大对华为禁令，存储器产业短期尚不致受到实质冲击

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，美国商务部工业和安全局(BIS)于5月15日公布针对华为出口管制的新规范，未来使用美国半导体相关设备的外国芯片制造商必须要特别申请核准，才可对华为、海思以及其他相关公司出货。虽然相关法条仍存有进一步解释的空间，但目前观察对于存储器的采购（含DRAM与NAND Flash）影响有限，各原厂仍可继续对华为出货。但值得注意的是，美国对于华为或其他中国品牌的规范力道会持续增强，因此对于后续存储器的供给或需求面的冲击还需要持续观察评估。

以存储器的需求面来说，主要观察重点在于禁令是否会冲击华为的终端出货表现（涵盖智能手机、笔记本电脑、服务器相关以及网通产品）。集邦咨询认为，对于目前关键零部件库存量相对足够的智能手机、笔电与服务器等产品而言，短期内的出货冲击较低；主要影响可能是在5G基站、网通类别产品的后续出货动能。然而，考虑禁令仍有120天的缓冲期，加上华为先前为避免受禁制令影响，已预先拉高零部件库存，因此集邦咨询认为，禁令对华为终端出货造成具体冲击的时间点最快会落在2020年第四季以后。

集邦咨询认为，目前所有存储器原厂生产之DRAM、NAND Flash以及其他相关解决方案的产品设计并未针对华为、海思以及其相关公司特别研发，因此对华为等公司的出货不受此次禁令的限制。至于美国的存储器供货商（美光与英特尔）也因为先前已取得特殊出货许可，因此仍可照常对华为出货。

不过，未来美国对华为及其相关公司甚至其他中国品牌的制裁力道可能会继续增强，因此，就算存储器的供给面顺畅无虞，但终端出货的冲击仍将难以避免。先前在新冠肺炎疫情持续扩散的考虑下，集邦咨询已全面下修2020年DRAM与NAND Flash均价的预估，而美国对其他中国品牌的相关制裁将使得后续价格面临更大压力。

另一方面，近年来中国对半导体生产自主化的急迫性快速增加，其中最重要的环节就是存储器相关产品。目前长江存储即将量产128层3D NAND产品，而长鑫存储已经有19纳米的DDR4产品小量问世，足以代表中国近三到五年来在内存自主研发上已得到初步成果。在美国对中国制裁力道持续增强的态势下，中国的存储器发展势必会更为积极，以降低对其他国家的依赖程度。

DRAM自有品牌内存营收排名

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，第一季DRAM供应商库存去化得宜，季末的库存水位与年初相比已经显著下降，因此降价求售压力不再，整体DRAM（内存）均价相较前一季上涨约0-5%。

然而，因应新冠肺炎疫情，各国祭出封城锁国政策，导致物流受阻，DRAM的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨，但第一季DRAM整体产值季衰退4.6%，达148亿美元。

集邦咨询指出，第一季受阻的出货将递延至第二季，因此在DRAM均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下，集邦咨询预测第二季DRAM整体产值将季增超过两成，原厂的营收与获利能力将持续成长。

第一季因疫情导致出货受阻，「价涨量缩」的情况下，三大DRAM原厂第一季营收均呈现小跌，三星跌幅约3%、SK海力士约4%，美光则约11%（本次财报季区间为2019年12月至2020年2月）。南亚科第一季出货量双位数成长，带动营收较前一季增加近10%。华邦电第一季量价大致持平，因此DRAM营收变化幅度不大；力晶科技第一季仍以影像传感器需求较为强劲，排挤DRAM产能，因此营收小幅下滑3%（营收计算主要为力晶本身生产之标准型DRAM产品，不包含DRAM代工业务）。

台积电建5纳米新厂

5月15日，台积电宣布，在与美国联邦政府及亚利桑那州的共同理解和支持下，有意于美国兴建且营运一座先进晶圆厂。

据台积电方面披露，这座晶圆厂将设立于亚利桑那州，采用台积电的5纳米制程技术生产半导体芯片，规划月产能为20000片晶圆，将直接创造超过1600个高科技专业工作机会，并间接创造半导体产业生态系统中上千个工作机会。该晶圆厂将于2021年动工，于2024年开始量产。2021年至2029年，台积电于此项目上的支出（包括资本支出）约120亿美元。

目前，台积电包含6寸、8寸及12寸共有12座晶圆厂，其中12寸产能约为每月800K。而目前位于美国境内的仅有华盛顿州卡马斯市的8寸晶圆厂，月产能为40K，占整体产能仅1~2%。

集邦邦咨询认为，台积电可能将部分美国公司投片毛利较高的产品移往美国同步生产。然而，虽然台积电已有一座8寸厂位于美国，但12寸厂的供应链不同于8寸厂，因此除了台积电之外，其他半导体原物料厂商甚至周边的零组件厂不排除将一同前进美国。长期而言，美国实现半导体产业本地化生产的可能性将提高。

全球前十大封测厂商营收排名

根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院最新调查，2020年第一季延续中美贸易摩擦和缓的态势，在5G、AI芯片及手机等封装需求引领下，全球封测产值持续向上；2020年第一季全球前十大封测业者营收为59.03亿美元，年增25.3%。然而，受到新冠肺炎疫情影响，终端需求急冻，可能导致封测产业于下半年开始出现衰退。

数据显示，第一季度前十大封测业者除了天水华天外营收均实现了增长。第一季度排名前三的依然为日月光、安靠与江苏长电，通富微电与天水华天分别位列第六、第七，值得一提的是，面板驱动IC及存储器封测大厂南茂，凭借此波存储器、大型面板驱动IC (LDDI)及触控面板感测芯片(TDDI)等需求升温，已从2019年的第十一名上升至第九名。

中国大陆封测三雄江苏长电、通富微电及天水华天第一季营收表现主要受惠于中美关系的回稳，逐步带动整体营收成长。然而，天水华天是前十大中唯一出现营收衰退的厂商，拓墣产业研究院认为可能是因疫情爆发时，为承接政府防疫相关的红外线感测元件等封装需求，因而排挤原先消费性电子等应用的生产进度。

又有两家半导体公司闯关科创板

近日，科创板再迎两家半导体公司，GalaxyCore Inc.（以下简称“格科微”）和合肥芯碁微电子装备股份有限公司（以下简称“芯碁微装”）。

5月13日，上海证监会披露了中金公司关于格科微首次公开发行股票或存托凭证并在科创板上市辅导备案情况报告公示。辅导备案基本情况表显示，格科微于5月8日在上海证监会进行辅导备案登记。资料显示，格科微的主营业务为CMOS图像传感器和显示驱动芯片的研发、设计和销售。其产品广泛应用于包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备、安防监控设备、汽车电子、移动支付等在内的消费电子和工业应用领域。

5月13日，上交所受理了芯碁微装的科创板上市申请，并披露了该公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书（申报稿）。芯碁微装主要从事以微纳直写光刻为技术核心的直接成像设备及直写光刻设备的研发、制造、销售以及相应的维保服务，主要产品及服务包括PCB直接成像设备及自动线系统、泛半导体直写光刻设备及自动线系统、其他激光直接成像设备以及上述产品的售后维保服务，产品功能涵盖微米到纳米的多领域光刻环节。

中芯国际14nm迎重大突破

据媒体报道，近日中芯国际上海公司以及业内人士拿到了一部华为荣耀Play4T，该手机的特别之处在于其背面印有中芯国际成立20周年的专属Logo“SMIC 20”，并标注有一行文字“Powered by SMIC FinFET”。媒体指出，这意味着荣耀Play4T搭载的芯片是由中芯国际14纳米FinFET制程代工。5月11日，中芯国际向媒体证实了上述消息。

据了解，荣耀Play4T是华为荣耀于今年4月9日推出的一款智能手机，搭载华为海思麒麟710A芯片。目前，海思半导体官网尚未出现麒麟710A的具体介绍信息。媒体指出，麒麟710A可看作是麒麟710的降频版本，在性能等方面上算不上先进。

然而，对于国内半导体产业而言，麒麟710A有着其特殊意义，代表着中芯国际14纳米制程工艺真正实现了量产出货及商业化，被媒体称为“国产化零的突破”、“国产半导体技术的破冰之举”。在国际贸易摩擦背景下，这对于加速半导体国产替代进程亦有所助益。

英特尔再投资两家中国半导体公司

当地时间5月12日，英特尔宣布，旗下风险投资机构英特尔资本(Intel Capital)向11家初创公司投资1.32亿美元，其中包括概伦电子和博纯材料两家中国半导体公司。

资料显示，概伦电子(ProPlus Electronics)成立于2010年，注册资本8684.97万元，是一家设计自动化(EDA)软件提供商，提供先进的器件建模和快速电路仿真解决方案，该公司致力于提升先进半导体工艺下高端集成电路设计的竞争力，提供世界领先水平、创新的集成电路设计解决方案。

博纯材料（Spectrum Materials）成立于2009年，注册资本9640万元，是一家为半导体制造工厂提供高纯度特种气体和材料的供应商，拥有坐落于福建泉州的最大的锗烷生产基地之一，该基地生产和经营的超高纯电子特气、各种混合气体及其它电子级材料，广泛应用于集成电路、液晶平板、LED、太阳能电池及其相关电子制造行业。

据悉，除了最新投资的两家企业之外，英特尔此前还投资了澜起科技、乐鑫科技、泰凌微电子、以及地平线等多家中国半导体公司。

ASML光刻设备技术服务基地项目签约

5月14日，江苏无锡高新区与ASML(阿斯麦)签署战略合作协议，扩建升级光刻设备技术服务（无锡）基地。

无锡日报指出，光刻设备技术服务（无锡）基地涵盖两大业务板块：从事光刻机维护、升级等高技术、高增值服务的技术中心，以及为客户提供高效供应链服务，为设备安装、升级及生产运营等所需物料提供更高水准物流支持的半导体供应链服务中心。

近年来，随着华虹基地、SK海力士二工厂等一批重大产业项目建成投产以及一批集成电路企业的相继入驻，无锡高新区也逐步成为了阿斯麦在中国规模最大的光刻设备技术服务基地之一。

无锡市副市长、高新区党工委书记、新吴区委书记蒋敏表示，阿斯麦公司此次升级光刻设备技术服务基地，将有助于进一步推动该区集成电路产业的强链、补链和延链，提升业内影响力。

一直以来，三大存储巨头长期垄断全球内存芯片市场，而由于缺乏核心技术，在国内内存条市场国外品牌也长时间占据了主导地位。因此，近年国内对于内存芯片和内存条的国产化呼声很高。

合肥长鑫存储拥有12英寸晶圆厂，和动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产能力，是国内首屈一指的一体化存储器制造商，担负着国内对内存芯片的希望。

在今年2月份，长鑫发布了首颗国产的1X nm级别的DDR4内存芯片。长鑫DDR4内存芯片，具有更快的数据传输速率、更稳定的性能和更低的能耗，是匹配现有市场需求，能够应用多个产品领域的国产内存芯片。

而在近日，嘉合劲威旗下光威推出了首款纯国产内存条——光威弈PRO系列内存条。该内存条正是采用了国产真芯长鑫DDR4内存芯片。             

根据玩家测评显示，光威弈PRO 8G DDR4，不仅兼容性好，而且可玩性高。目前已有一些玩家超频4000MHZ以上且正在尝试更高频率，也有一些玩家尝试在1.2V电压的情况下超较高的频率，等等玩法。这些都充分的表明长鑫颗粒的体质非常好，已经媲美三大厂的中高等级的内存颗粒。           

国产真芯长鑫内存颗粒性能到底如何?光威弈PRO系列纯国产内存条到底是怎样的国货?产品的好与坏，交给市场去评判。5月14日，光威弈PRO内存条正式登陆京东，一见分晓。

最后，国外三大巨头在DRAM生产制程上已经实现1Y，1Z工艺了，国外大厂商都在研究DDR5了。相对于它们来说，长鑫的1X工艺DDR4 DRAM，光威纯国产DDR4，只是后浪。但是对于我们国内来说，国产内存如此巨大的技术进步，是值得肯定的，振奋人心的。长鑫内存芯片的出现，打破了三大巨头垄断内存芯片的局面，是国产内存芯片从无到有的阶段性胜利，开创了国产内存的新局面。我们相信在不久的将来，中国也将拥有1Znm DRAM技术，在国产内存芯片的推动下中国也将拥有一些像金士顿、海盗船那样的全球一线品牌，中国也能赶上国际大厂的研发进度造出自己的DDR5。

根据存储器大厂南亚科的最新重大讯息公告指出，南亚科董事会于6日决议，将追加新台币65.6亿元（约合人民币15.5亿元）的资本支出预算，用以打造10纳米级制程产线。

此前南亚科董事会决议，在年度资本支出的部分，南亚科2020年度资本支出预算以不超过新台币92亿元为上限，其中包含10纳米级制程研发、试产及20纳米递延等资本支出等。如今再加入新的资本支出预算，预计2020年度的资本支出预算交以不超过157.6亿元为上限。

事实上，南亚科总经理李培瑛在上一季法说会上就已经宣布，南亚科已完成自主研发10纳米级DRAM生产技术，并且将在2020年下半年试产。而南亚科新成功开发出的10纳米级DRAM生产技术，预计将使DRAM产品可持续微缩至少3个世代。而第一代的10纳米级产品包括8GB DDR4、LPDDR4及DDR5将建构在自主制程技术及产品技术平台上，并预计2020下半年进入产品试产阶段。

至于第二代10纳米级制程技术，已开始进入研发阶段，预计2022年前导入试产，之后将会再开发第三代的10纳米制程技术。李培瑛强调，南亚科进入10纳米级制程之后，会以自行研发的技术为主，降低授权费用支出，以大幅提升效能。

目前以全球DRAM存储器市场来说，其主要生产技术掌握在韩国三星、SK海力士、以及美商美光等3家企业的手中，而且3家厂商的合计市场占有率高达95%以上，其关键原因就在于3家企业的技术专利形成了极高的门槛，使其他公司不容易有机会进入市场。

而当前南亚科现在以20纳米级的技术为主力，技术来源为过去的合作伙伴美光，而且每年也支付美光相关技术授权费用。而随着南亚科导入自主的10纳米级制程技术之后，则未来将不再大幅度仰赖美光授权，使得高昂授权费支付的情况也可以减少，有利于南亚科往后的营运发展。

近日，兆易创新发布最新财报，数据显示，2020年第一季度，兆易创新共实现营收8.05亿元，同比增长76.51%；归属于上市公司股东的净利润1.68亿元，同比增长高达323.24%。兆易创新表示，2020年第一季度财报同比大涨，主要受消费类、物联网市场同期需求增加，而2019年第一季度受中美贸易摩擦影响市场需求疲软。

资料显示，兆易创新主要产品为闪存芯片产品、微控制器产品、以及2019年新增加的传感器产品，其中闪存芯片产品主要为NOR Flash和NAND Flash两类。2020年第一季度，兆易创新研发支出1.06亿元，同比增长64.65%。

当前，兆易创新正在积极布局扩充其产品线，2019年，兆易创新依据业务经营情况调整公司组织架构，组建完成了存储+MCU+传感器为核心的三大事业部架构，现有的业务布局分为存储、MCU和传感器三大方向。

对于2020年的的发展战略，兆易创新表示，2020年，公司将继续围绕发展战略和方向，持续加大技术和产品研发投入，提高存量市场占有率，把握新兴领域增量市场，在强化技术和产品的核心竞争力的同时，还将大力推进产品线和产能的布局。

其中，在NOR Flash产品方面，2020年兆易创新将实现55nm工艺产品全面量产，并提升产品容量，针对5G基站、AIOT、智慧城市、可穿戴式应用等领域持续推出具有竞争力的多样化产品。

在NAND Flash产品上，2020年兆易创新将实现24nm工艺平台产品量产，同时针对SLC NAND产品，提升产品容量，推出中高容量解决方案，以满足移动终端、智能化产品及中高容量市场需求，在5G带动的AIOT领域持续开辟新增长点。

在MCU产品方面，兆易创新将不断加强产品安全功能，为客户提供安全可靠，功能丰富的无线MCU。同时配合通用MCU产品，拓展电源管理和电机驱动控制产品，为消费、工业和新能源技术提供低功耗高性能电源解决方案。

传感器产品方面，在光学方向上，思立微将在2020年进一步完成超小封装透镜式光学指纹产品、超薄光学指纹产品、大面积TFT光学屏下指纹等创新产品的大规模产业化应用，并推出柔性大面积光学指纹；在超声方向上，将基于已研发成功的超声换能器结构及工艺，搭配边缘端的信号处理系统，进一步拓展其在人机交互、体征监测及汽车电子等方向的应用。

值得注意的是，作为中国大陆闪存芯片设计企业，兆易创新也在积极整合产业资源，布局DRAM产品领域，进一步拓展并丰富公司产品线，提升公司的核心竞争力和行业影响力。

2019年9月，兆易创新发布非公开发行股票预案，拟募集资金总额不超过人民币43亿元，用于DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金。项目开发目标为研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。

兆易创新表示，2020年将继续推进公司非公开发行股票事项，拟募集资金不超过约43亿元，用以研发1Xnm级工艺制程下的DRAM技术，进一步扩大公司存储器产品的种类与规模。此外，公司将继续推进合肥12英寸晶圆存储器研发项目合作，探讨在DRAM产品销售、代工、以及工程端的多种合作模式。