美光一工厂停产?谣言!

美光一工厂停产?谣言!

近日,有媒体报导存储器厂商美光公司在中国地区受新冠病毒影响,不仅办公室工作受到影响,生产线也一度陷入停摆。

该报道指出,美光中国区目前虽已经开始恢复生产,但是临时中断产线已经带来严重损失,还推迟了DDR5内存量产的计划,对客户的供货也会出现问题。

然而,根据集邦咨询的调查,目前全球美光厂都正常运作中,并无外传停工的相关事宜。

首先,该报道表示事发地点是在美光中国区,但美光并无任何的DRAM或是NAND产品在中国大陆生产,仅有在西安的封装测试厂。不过,该工厂虽是美光出资,但目前运营由力成管理,且近两年美光相关产品大多转移到其他地区做封装测试,该工厂并未有太多封装测试。

再者,即使疫情现在在全球各地蔓延,目前的12寸半导体由于已经高度自动化,人员需求不多,因为疫情导致停工可能性低。

最后,DDR5量产方面,今年仅有少量测试品给客户验证,且支持DDR5平台最快2021年才会问市,短期美光无大规模的DDR5量产计划,自然无拖累量产计划之实。

所以,该媒体的报道基本属于假消息,目前美光工厂都在正常运作中,并无外界传言的停工或是拖累DDR5生产相关事宜。

针对这些报道,美光公司也发表声明否认,声称美光致力维持安全的工作环境,除了密切关注国际性新冠肺炎的疫情发展,也已在办公场区域实施健康筛检、差旅管制等必要措施。

美光进一步表示,截至目前为止,亚洲所有厂区的日常营运几乎未受任何影响,产线运行一切如常,后续也将持续关注情势发展并加以因应。

新型存储的机会来了?格芯22nm工艺量产eMRAM

新型存储的机会来了?格芯22nm工艺量产eMRAM

近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工艺平台,新型存储器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存储器)已投入生产。eMRAM属新型存储技术,与当前占据市场主流的DRAM和NAND闪存相比,具有更快的存取速度和更高的耐用性,在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM的潜质。它在22nm工艺下的投产,将加快新型存储技术的应用进程,未来发展前景看好。

22nm FD-SOI工艺eMRAM年内量产,采用相关芯片的终端明年面世

根据格芯的报告,将在德国德累斯顿1号晶圆厂的12英寸生产线,进行eMRAM的制造加工。目前,格芯正在接洽多家客户,计划于2020年安排多次生产流片。这也意味着,采用22nm FD-SOI工艺的eMRAM有望于2020年投入量产,采用相关芯片产品的终端设备于2021年有望面世。

eMRAM属新型存储技术,相比DRAM和NAND闪存,具有更快的存取速度和更高的耐用性,适用于物联网、通用微控制器、汽车电子、终端侧人工智能设备和其他低功耗设备当中。基于22nm FD-SOI先进工艺节点制造,产品将具有更高的性价比。格芯汽车、工业和多市场战略业务部门高级副总裁和总经理Mike Hogan表示:“客户可利用这些解决方案来构建适用于高性能和低功耗应用的创新产品。基于FDX平台生产的eMRAM,更有利于集成在高性能射频、低功耗逻辑和集成电源管理的解决方案中实现产品的差异化。”

除格芯之外,其他半导体厂商对于eMRAM等新型存储器的开发也非常重视。2019年年初,三星曾宣布基于28nm FD-SOI工艺,在韩国器兴厂区投产eMRAM,并计划生产1千兆容量的eMRAM测试芯片,为大规模生产做准备。三星代工市场副总裁Ryan Lee表示:“通过eMRAM与现有成熟的逻辑技术相结合,三星晶圆代工将继续扩大新兴的非易失存储器工艺产品组合,以满足客户和市场需求。”台积电技术长孙元成也曾经透露,台积电已开始研发eMRAM和eRRAM等,并计划采用22nm工艺。这是台积电应对物联网、移动设备、高速运算电脑和智能汽车等领域所提供效能更快速和耗电更低的新存储器。

应用材料则在2019年推出业界首款具备量产价值的MRAM制造设备平台Endura Clover MRAM PVD系统,可进行材料沉积、介面清洁和热处理功能等,在半导体设备上为MRAM的量产提供了可行性。根据应用材料金属沉积产品事业部全球产品经理周春明的介绍,一个PVD系统可以整合7个Clover PVD腔室,在一个PVD系统中就可以完成10多种不同材料和超过30层以上的沉积,由于不需要像以往设备那样进行真空中断,将大幅提升成品率。

存取速度提高10倍以上,有望成为未来云服务数据中心首选

目前,业界关于新型存储器的讨论一直很热,并不仅局限于eMRAM。3D XPoint、PCRAM、ReRAMRRAM等均是人们重点关注的技术。

2006年英特尔即与美光联合成立了IM Flash Technologies公司,共同开发新型存储器3D Xpoint。虽然双方于2018年因技术路线分歧而分道扬镳,但是目前英特尔与美光均已各自量产3D Xpoint,并投入推广。英特尔在其云计算解决方案中,将3D Xpoint和3D NAND整合在单一模块当中,作为HDD硬盘、3D NAND与DRAM内存之间的一个新的层级。由于傲腾硬盘的容量是DDR4内存的10倍,断电也不丢失数据,将增加存储系统的整体性能。英特尔中国研究院院长宋继强告诉记者:“将DRAM、NAND Flash和傲腾技术相结合,在缓存和DRAM之间,DRAM存储之间插入第三层,填补内存层级上的空白,使存储结构间的过渡更加平滑,对于提高系统性能非常有利。”在2019年的“Mircon Insight”技术大会上,美光也推出了基于3D XPoint技术的超高速SSD硬盘X100。美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示:“美光是全球为数不多的DRAM、NAND和3D XPoint解决方案垂直整合提供商,该产品将继续推动我们的产品组合向更高价值的解决方案发展,从而加速人工智能能力发展、推动更快的数据分析,并为客户创造新的价值。”

ReRAM和PCRAM同样属于非易失性存储器,适合作为“存储级存储器”填补服务器DRAM和NAND闪存之间不断扩大的性价比差距。根据周春明的介绍,在将PCRAM或者ReRAM用于数据中心存储系统当中时,相较于传统的NAND,可以提供超过10倍的存取速度,有望成为未来云服务数据中心的首选。目前,业界对于PCRAM与ReRAM的量产开发也十分积极。2019年在推出面向MRAM生产的PVD系统的同时,应用材料还推出了支持PCRAM、ReRAM量产化的Endura Impulse PVD设备。周春明预测未来3~5年,新型存储器有望解决制造上瓶颈快速进入市场。

融合还是替代?

eMRAM等新型存储器会取代DRAM和NAND Flash成为市场主流吗?集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)资深协理吴雅婷认为,eMRAM只会部分取代DRAM/NAND的使用量,但并没有办法完全取代现有的存储器解决方案。在所有新一代存储器中,eMRAM的电信特性与DRAM和NAND Flash极其相似,具备一定的优缺点,并未具备完全替代DRAM和NAND Flash的性能。“使用新一代存储器,对于传统平台来说,需要改变以往的平台架构才能适应,并不是可以轻松使用的。”吴雅婷说。

应用材料金属沉积产品事业部全球产品经理周春明也表示,新型存储器具有更快的存取速度,更好的耐用性,更小的裸片尺寸、成本和功耗等性能优势。例如,以统合式 MRAM 解决方案取代微控制器中的eFlash和SRAM,可节省90%的功耗。不过,周春明也指出,目前下一代存储器在量产制程方面仍然存在很多瓶颈。

也就是说,新一代存储器想要获得一定的市场空间,还需要与现有的存储器解决方案进行配合,加快适应传统平台的架构,释放性能方面的优势。

威刚看好第2季疫情降温后市场反弹

威刚看好第2季疫情降温后市场反弹

存储器模组大厂威刚5日公布2月份营收状况。威刚表示,不受肺炎疫情冲击,在下游客户备货需求强劲,带动整体需求的情况下,2月份合并营收达新台币24.46亿元,较1月份增加30.07%,较2019年同期也是增加19.64%。累计,2020年前2个月营收合计为新台币43.27亿元,较2019年同期增加4.56%。

威刚表示,2月DRAM产品营收比重为41.69%,非DRAM产品营收比重58.31%。其中,固态硬盘(SSD)产品营收比重仍维持3成以上,达到31.65%的水准。SSD月销售金额较2019年同期成长67.67%。预计,2020年上半年产业DRAM及NAND Flash供给不足态势确立,而且在农历春节后客户拉货力道未减,3月接单状况持续增温的情况下,整体第1季营运表现将逐月成长。

威刚进一步表示,在2020年存储器供不应求态势不变的情况下,全球肺炎疫情虽将造成3月到4月的消费市场短期需求降温,但并未影响中长线产业景气多头走势,仍看好2020年存储器价格将逐季上扬。预期随着2020年第2季肺炎疫情高峰期过后,需求可望出现明显的补货效应。在此情况下,威刚将积极备货,维持足够库存水位的策略也将持续进行,以因应5G、云端及微软Xbox与Sony PS5等新机上市带动的存储器倍增需求。

另外,自2019年第4季以来,资料中心需求持续回笼,加上肺炎疫情促使宅经济效应升温,5G应用及云端运算规模持续扩大,带动存储器订单直线向上。另一方面,威刚不但在电竞版图的扩展不遗余力,携手英特尔陆续攻城掠地。目前,公司于工控产业的客户群规模也因料源备足优势,在这波存储器供不应求的态势下持续成长,预估2020年整体营运绩效及全球品牌价值也将水涨船高。

宇瞻:第二季NAND Flash涨幅将大于DRAM

宇瞻:第二季NAND Flash涨幅将大于DRAM

存储器模组厂宇瞻总经理张家騉昨(4)日指出,新冠肺炎疫情虽造成存储器整体市场需求端有所修正,但供应原厂均无意降价。

随着疫情纾缓,在资料中心和电竞产品需求强劲下,下一季DRAM和储存型快闪存储器(NAND Flash)等二大存储器都会涨价,下半年更会缺货,且NAND Flash缺货比DRAM更严重。这是疫情肆虐下,第一家存储器模组厂举行法说会,且针对DRAM和NAND Flash市况提供最新说明。

张家騉表示,疫情对全球市场造成影响,瞬息万变,难以预测,但只是需求端造成干扰。很多系统厂受到返工率缓慢及供应断链影响,因工厂停工或整机出不了货,暂缓拉货,但来自资料中心、电竞和电商等宅经济的拉货力道强劲,两项因素相抵,主要供应大厂仍不愿降价,包括宇瞻等主要买家想趁低档补货,也不易拿到低价。

他指出,本季因服务器市场拉货,包括三星、SK海力士和美光三大DRAM厂库存水位降到四至六周,加上5G新手机搭载DRAM位元大增,预估下半年DRAM市场将供给短缺,价格上涨;NAND Flash下半年供应会更为紧张。

有关二大存储器的价格走势,张家騉指出,目前合约价与现货价走势背离,随着大陆厂陆续复工,渠道商强力拉价格,使现货市场涨势相当大,虽然第2季会受疫情影响,但在复工率大幅提升下,第2季DRAM和nanD Flash合约价都会涨价,并与现货价逐渐拉近,下半年NAND Flash涨幅会比DRAM高。

获美商供应 SK海力士将量产HBM2E DRAM

获美商供应 SK海力士将量产HBM2E DRAM

据韩媒《Business Korea》报导,韩国科技大厂SK海力士已克服了下一代存储器量产的障碍之一,全球电子设计自动化龙头美商新思科技在近期宣布,将向SK海力士供应系统单芯片(SoC)技术方案,以协助该公司量产高频宽存储器HBM2E。

该SoC方案符合基于台积电7纳米制程JEDEC的HBM2E SDRAM标准,并具有409 GB/秒的数据率,可以在一秒钟内处理110部全高清电影(每部电影3.7 GB)。

SK海力士的HBM2E存储器芯片可以同时从数千个孔洞向数据发送功率,与目前的技术相比,可以减少30%以上的芯片尺寸并减少50%以上的功耗。HBM芯片可以整合到SoC,与逻辑芯片(例如GPU)相距仅数十微米。因此,相较于在主机板上与SoC并行安装,可以进一步缩短数据传输距离,实现更快的数据传输。

不过,HBM2E DRAM价钱是当前的两到三倍,且尺寸大于LPDDR4芯片。因此,市场并不大,仅用于要求超高性能的地方,例如IDC或超级电脑等大型数据中心。

但是,随着5G移动通信、人工智能(AI)、自动驾驶和物联网(IoT)的出现,对高性能服务器的需求持续成长,市场前景乐观。

SK海力士在2013年首次推出HBM芯片,三星电子也随即投入了HBM芯片的开发,从而引发了两家公司的激烈竞争。针对新一代HBM2E芯片而言,三星电子于今年初首次开始量产,SK海力士是于2019年8月推出,但尚未正式开始量产。

日韩疫情持续加剧 全球半导体产业链影响几何?

日韩疫情持续加剧 全球半导体产业链影响几何?

全球疫情还在蔓延,根据2月26日的报道,韩国累计确诊感染者达到1261人,日本新冠肺炎感染者达862人。

日韩疫情凶猛,也牵动着全球半导体产业的脉搏,因为两个国家都处在半导体的关键地位。其中,韩国位于半导体技术俯冲带,在存储器、面板等领域投资力度巨大,日本是产业链上的核心技术节点,半导体材料、机械设备都首屈一指。

在以上领域中,大家更关注存储器以及上游材料的状况。而面板产业,中国产能更大,也有替代之选,生产设备上则有市占率更高的欧洲厂商可以选择。

目前日韩的半导体巨头三星、SK海力士等并未停工,都在运转中。短期来看,影响尚不明显,但是一旦疫情继续恶化,关键供应的短缺会为全球产业链带来巨大损失。

据记者了解,三星确诊的员工是在手机工厂,并且是试验线,员工并不多,对整体影响不大。三星电子则表示,公司在韩国的芯片和面板工厂未受影响。

日前,SK海力士位于韩国利川工厂的一名新员工曾与大邱市确诊病例有密切接触。SK海力士对外表示,该名员工核酸检查结果为“阴性”,为安全起见继续被隔离至3月1日。对于该员工所接触的800名人员都无条件地进行隔离。SK海力士在利川工厂拥有1.8万多名员工,工厂的运营不会受此影响,目前正常运营中。

多位半导体业内人士向21世纪经济报道记者表示,现在日韩政府干预力度没有那么大,工厂都是正常开工,需要保持动态跟踪。

存储器价格小幅上涨

有手机从业者曾告诉记者,存储已经超过屏幕、CPU,成为手机最大的成本,存储在手机中的成本达到25%-35%,可见其重要性。而三星、SK海力士均在存储器领域占据垄断地位。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,从2019年第四季度全球NAND品牌厂商营收来看,三星排名第一,市场份额达到35.5%;SK海力士排名第六,市场份额为9.6%。2019年第四季度全球DRAM厂自有品牌内存营收排名中,三星位居第一,市场份额43.5%,SK海力士为第二名,市场份额29.2%。

整体来看,NAND领域,三星加上SK海力士,韩系厂商市占比为45.1%,接近半壁江山;在DRAM领域,三星和SK的占比高达72.7%。

其中,三星除了韩国有工厂外,在中国西安也有建厂,扩产时程因疫情影响存有隐忧,但目前仍按原本规划进行;SK海力士在中国无锡设有工厂,受到中美贸易战以及疫情的影响,投片规划倾向保守。此外,NAND大厂铠侠和西部数据,在日本岩手县和三重县均有工厂,也受到疫情影响。

集邦咨询分析师吴雅婷回复21世纪经济报道记者称,因内存工厂高度自动化,目前生产上并没有受到疫情影响。至于需求面,受疫情影响,笔记本电脑以及智能手机已经有比较明显的出货下修;但不管是DRAM还是NAND Flash,目前都是即将要转为供货吃紧的市况,但是采购端的购货意愿还是很强。

需要指出的是,半导体产业生产基本全年无休,其制程特殊,一旦停止就会产生重大损失,所以工厂不会轻易地停产或者减少产能。从去年年末开始,存储器供需就在发生变化,疫情影响叠加下,或会进一步导致紧缺,存储器的价格将迎来上涨。

集邦咨询指出,从全球供给端来看,存储器产业的特性是除非遇到全球系统性风险,否则厂商不会贸然减产,加上客户端库存仍然不足,即便下游客户现阶段面临缺工、缺料的问题,但仍会维持一定采购力;加上半导体工厂大多已经高度自动化,人力需求不高。因此,集邦咨询预估第一季DRAM与NAND Flash价格维持小幅上涨的态势。

另一方面,业内也关注国内存储器企业的替代,最有代表性的是长江存储、合肥长鑫、晋华存储。目前,长江存储宣布,公司已开始量产3D NAND闪存,这也是中国首款64层3D NAND闪存。据长鑫存储官网消息,新列出的长鑫笔记本和台式机内存,容量都是8GB,速率都是DDR4-2666,公司还计划建造另外两座晶圆厂。

两家公司在NAND、DRAM领域有了突破,但是国内存储产业仍处在追赶阶段,和国际大厂差距较大,还需要长时间的积累。

不少材料产品不可替代

目前日本在工厂方面没有疫情披露,但是日本在半导体上游地位超然,如果疫情导致了原材料断供,无疑对全球、中国半导体事业都是重创。

半导体生产工艺主要分为设计、制造、封测三大环节,在后两个环节中,就需要关键设备和材料,它们也是保障芯片顺利生产的上游基石。

而日本的硬核能力就是在上游的原材料和硬件设备上,众多技术门槛非常高,尤其是材料方面,不少日本企业的产品不可替代。

2018年全球半导体材料约为总产值的11%,设备约为12%。两者相加为23%,占半导体产业的四分之一左右。

虽然材料和设备的整体体量不算大,但高壁垒使得玩家极少,且高玩和普通玩家差距很大,日本就是高玩选手。在原材料领域中,日本企业,在全球半导体材料市场上占据了半壁江山。

例如,在材料中成本占比最高的硅片领域(超过30%),日本信越化学一骑绝尘,市场份额第一,随后为日本 SUMCO(三菱住友)、中国台湾环球晶圆、德国 Siltronic、韩国的SK 海力士。西南证券报告显示,2018年,前四大硅片供货商的全球市占率达到了94%,其中日本信越化学占比28%,日本三菱住友占比25%。

在光刻胶领域,日本JSR、东京应化工业、住友化学、美国陶氏、富士电子等企业垄断;在靶材领域,日本的日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯占据了大部分市场。

此外,日本的知名半导体材料供应商还包括住友化学、昭和电工、 DAIKIN 工业、 Stella Chemifa、森田化工、日本凸版印刷株式会社等等。

设备供应商方面,全球五大设备巨头之一的东京电子就是日本企业,在技术桂冠光刻机方面,日本尼康和佳能可以生产,虽然制程和市场份额比不上荷兰的ASML。

在最强劲的材料和设备之外,日本的芯片供应商在细分领域亦有建树。比如瑞萨电子是全球排名前三的车用半导体厂商,今年以67亿美元完成了对芯片商IDT的收购。索尼虽面临架构整合、工厂关闭等问题,但是仅CMOS传感器芯片一项,就在影像拍摄领域制霸。

以上这些领域中,不论中国国内还是别国,都很少有完备的产业链来进行替代。国泰君安证券的报告也指出,电子行业方面,代工制造和封测的材料领域,日本企业占据了绝对的优势。日本企业在材料研发方面深耕多年,在技术上达到了炉火纯青的地步,在硅晶圆材料、光罩、靶材等重要的细分子领域,日本企业所占份额都多达50%以上。中国目前还没有能够在这个领域实现较大突破。

对比中国来看,韩国和日本的半导体产业链聚焦在中上游,智力密集度更高,相对来说人工密集度低一些,抗疫情能力强一些。但是依旧不能忽视疫情爆发带来的风险,如果进一步加剧,产业链将受到冲击。

订单还有美光、铠侠可撑 存储器暂不致断链

订单还有美光、铠侠可撑 存储器暂不致断链

韩国新冠肺炎疫情扩散,业界担忧存储器供应链是否受到影响。以目前来说,三星及SK海力士的DRAM或NAND Flash厂区集中在首尔所在的京畿道附近,疫情仍属控制中,生产及出货都不会受到影响。

此外,因市场对疫情发展仍有忧虑,ODM/OEM厂及系统厂持续提高库存,加上陆厂复工率上升亦带来库存回补需求,将持续推升价格。

韩国两大半导体厂三星及SK海力士在全球存储器市场拥有极高市占率。以DRAM来说,三星去年第四季全球市占率达43.5%居首,SK海力士以市占率29.2%居次,两者合计市占率高达72.7%,意味着全球每4颗DRAM就有3颗来自韩厂。在NAND Flash部分,三星去年第四季市占率达35.5%稳居龙头,SK海力士以市占达9.6%为第六大厂,两者合计45.1%,几乎是每2颗NAND Flash就有1颗由韩国业者生产。

在存储器市场举足轻重的三星及SK海力士,DRAM及NAND Flash厂集中在韩国。三星的DRAM及NAND Flash厂集中在位于首尔附近的京畿道的华城及平泽,另在西安设有NAND Flash厂。SK海力士的DRAM及NAND Flash厂据点位于京畿道的利川,另一NAND Flash厂位于紧临京畿道的忠清北道清州,并在无锡设有DRAM厂。

本次爆发疫情的庆尚北道及大邱市,与上述晶圆厂均有一段距离,因此其存储器生产及出货均不受影响。至于三星的西安NAND Flash厂及SK海力士的无锡DRAM厂,也维持正常运作。

业界仍担忧一旦疫情失控,恐导致出货不顺。不过,由于今年以来DRAM及NAND Flash市场供给吃紧,为避免未来无法取得足够货源,ODM/OEM厂及系统厂积极提高库存,大陆复工率提升也带来强劲的库存回补需求,DRAM及NAND Flash价格可能一路涨到下半年。

此外,苹果iPhone及iPad等产品虽仍大量采用三星及SK海力士的DRAM或NAND Flash,但近年来苹果已大幅降低对韩国业者依赖程度,DRAM订单大量流向美光,NAND Flash则向铠侠、西数(WD)、美光等扩大采购。即便韩国存储器出货不顺影响苹果的生产链,也不至于断链。

冲10纳米制程 南亚科今年资本支出年增逾31%

冲10纳米制程 南亚科今年资本支出年增逾31%

DRAM厂南亚科昨(26)日召开董事会,通过今年资本支出预算案,以不超过92亿元(新台币,下同)为上限,与去年资本支出相较之下,增幅达31.4%,其中包含10纳米级制程研发、试产及20纳米递延等资本支出。

南亚科2017年资本支出共294亿元,但2018年下半年起受到美中贸易摩擦、CPU缺货等因素冲击,DRAM市况转趋保守,南亚科因此于2018年第4季下修资本支出,全年资本支出为204亿元。

去年DRAM市况持续走弱,南亚科也因此再下调资本支出,去年2月原定资本支出共106亿元,4月下调至70亿元,与2018年相较,等同大幅缩水超过6成。不过,南亚科表示,由于前2年已陆续采购设备,去年资本支出规模原本就相对较少,并因应市场变化,再缩减资本支出。

今年则因10纳米级制程技术将导入,包括研发、试产等需求,推升资本支出金额较去年扩增,南亚科总经理李培瑛表示,上半年资本支出相对较低,下半年适逢10纳米级制程推进,资本支出相对较高。

存储器价格止跌回升,南亚科率模组厂续攻

存储器价格止跌回升,南亚科率模组厂续攻

存储器大厂南亚科技率先举行的法说会对今年市况抱持乐观看法,扭转去年存储器衰退的窘境,并预期2020年第一季DRAM价格可望止跌回稳,公司出货也会比上季增加。

南亚科日前举行法人说明会,总经理李培瑛对今年DRAM市场看法乐观,李培瑛表示,2020年库存持续去化,供需逐步稳定,对今年全年保持乐观看法,并预期公司第一季的产品价量表现都会比上季好,上半年业绩可望逐季成长,今年有机会逐季向上。

南亚科预期今年供需状况转好;整体市况将随着服务器需求稳定成长,手机DRAM搭载量增加,PC出货量稳定,消费性电子产品需求稳定成长。在供给方面,因供应商2019年资本支出保守,供给成长将有限。

随着本季存储器现货价格将止跌回升,亦有利于下游存储器模组本季营运不淡。威刚表示,在上游库存压力减弱、市场需求提前布局,2020年第一季NAND Flash价格稳健向上态势不变,DRAM价格也可望止跌回稳。

本季DRAM价格回升趋势确立,主流的DDR4 8G及4G现货价至1月17日较去年底涨约10%。储存型快闪存储器(NAND Flash)方面,3D TLC 256GB较去年底约涨5%。

NAND Flash价格稳健向上态势不变,DRAM价格也可望止跌逐步向上;除了存储器大厂受惠,下游模组厂亦可望受惠景气复苏,今年第一季淡季不淡。

减小研发测试成本 西安软件园与紫光国芯成立IC创新实验室

减小研发测试成本 西安软件园与紫光国芯成立IC创新实验室

2020年1月17日上午,备受瞩目的西安软件园-西安紫光国芯共建集成电路创新实验室揭牌仪式在西安紫光国芯公司举行。此次仪式的顺利举办标志着西安软件园与西安紫光国芯共建的集成电路创新实验室正式成立。

西安市商务局服务贸易处处长吴增军、高新区软件园发展中心党委副书记刘贺、高新区管委会工业和信息化局副局长李志远、陕西省半导体行业协会秘书长何晓宁、西安市服务外包协会会长吴胜利、北京紫光存储科技有限公司CEO、西安紫光国芯总经理任奇伟、西安紫光国芯代理总经理江喜平莅临揭牌仪式。

西安软件园作为西安高新区发展软件信息服务业和文化创意产业的专业园区,始建于1998年12月,是我国四个拥有国家软件产业基地、国家软件出口基地”双基地”称号的园区之一。西安紫光国芯是在西安高新区成立并一路成长起来的集成电路设计企业,是国内罕有同时拥有DRAM和NAND Flash存储器研发量产能力的企业。2019年,西安高新区软件园和西安紫光国芯进行了深入合作,由园区投入网络设备,企业投入集成电路专用设备,共同筹建集成电路创新实验室,以支持企业和园区集成电路发展。

西安软件园刘贺书记和西安紫光国芯代理总经理江喜平分别致辞。高新区软件园发展中心党委副书记刘贺表示,西安高新区在集成电路设计领域的发展起步较早,规模日益扩大,目前已聚集了紫光国芯、紫光展锐、新华三、克瑞斯半导体、华为海思、航天民芯等一批知名集成电路设计企业,聚集效应已经形成。创新实验室的建立,将有效增强高新区在集成电路测试领域的配套支撑,使上下游企业形成紧密合作,为打造自主可控的产业体系提供有力支持,也将为我省自主存储器产业的持续发展打好坚实基础。

西安紫光国芯发展至今,公司员工已接近500人,累计二十余款DRAM存储器产品和四十余款模组产品实现全球量产和销售,已经发展成为区内最重要的集成电路企业之一。西安紫光国芯代理总经理江喜平表示,此次集成电路创新实验室的建立,公司将携手软件园为园区内相关企业提供更加便捷、更加专业的设计测试服务,大大减少园区内企业尤其是小微企业的研发测试成本。接下来,公司将继续探索多种形式的合作,有效地运用社会资源,共同促进西安高新区电子信息产业和服务产业的发展。