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存储器封测厂力成总经理洪嘉鍮预估，第1季业绩可望较去年同期成长，有机会创同期新高，上半年模组表现正向看待，今年半导体市况可稳健成长。

观察去年第4季营运表现，力成昨天下午在法人说明会上表示，去年第4季NAND型快闪存储器产出增加、加上固态硬盘需求大增，带动去年第4季封测营收冲高，其中封装稼动率提高到90%到95%。

展望今年营运表现，洪嘉鍮表示，今年市况可稳健成长，其中智能手机过渡到5G阶段，需求看增，企业用电脑笔电更换需求增温；游戏机、电视和机顶盒需求看佳；云端和企业用资料中心需求成长；此外5G应用持续加温。

在动态随机存取存储器（DRAM）、快闪存储器和逻辑芯片部分，力成表示，相关应用需求可望带动存储器需求，DRAM价格持稳。

在力成本身封测部分，洪嘉鍮指出，标准型DRAM封测量持稳，产能持续满载，移动DRAM、利基型DRAM以及特殊型DRAM封测需求高于往年季节性表现，服务器存储器需求可望逐季成长。

在快闪存储器部分，洪嘉鍮表示，智能手机应用需求可能季节性调整，资料中心需求持稳，固态硬盘渗透率持续增加。

在系统级封装和模组部分，洪嘉鍮表示，相关需求看佳，产品组合改善。在逻辑芯片封测部分，公司表示，传统型封装需求正向看待，持续开发先进封装技术，目前模组厂稼动率接近满载。

展望今年半导体市况，洪嘉鍮预期，今年全球半导体市场可望年成长5%到6%区间。

他并预期，今年第1季和第2季系统级封装和模组表现看佳，第1季市况需求看佳，业绩可望较去年同期成长，有机会创同期新高。

展望今年资本支出，力成表示，去年资本支出规模约新台币110亿元左右，预估今年资本支出可超过百亿元。

法人预期，力成新产能将于第1季投产，布局3D NAND型快闪存储器封测，新产能可望在第1季贡献业绩。

另外服务器DRAM订单能见度可看到第1季底，预期第1季业绩可望较去年同期成长16%到17%，今年上半年力成在存储器封测表现可正向看待。

南亚科总经理李培瑛近日宣布，已完成自主研发10纳米级DRAM技术。

针对南亚科自行新研发出10纳米级制程的未来发展方向，李培瑛则是表示，南亚科成功开发出10纳米级DRAM新型存储器生产技术，DRAM产品可持续微缩至少3个世代，未来进入10纳米制程技术也将采自主开发技术为主，不再向合作伙伴美光（Micron）申请授权。这样不仅减少授权费用支出，也能针对自行研发的技术适时优化，以提升至最佳生产效率。

预估，第一代10纳米级前导产品包括8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5将建构在自主研发的制程及产品技术平台上，预计2020下半年陆续进入产品试产。至于，第2代10纳米级生产技术目前正在研发阶段，预计2022年开始导入试产。

对于2020年的展望，李培英表示，在库存持续去化，供需逐步稳定的情况下，营运预计将会一季比一季好，对全年保持乐观的看法。

南亚科总经理李培瑛指出，2020年DRAM的市况，在需求方面，因为服务器需求稳定成长，手机搭载DRAM的数量增加，再加上个人电脑出货稳定，消费型电子产品需求量也稳定成长的情况下，需求面持续看到改善。

供给面方面，各大厂因为在2019年资本支出保守，使得现阶段没有新产能开出，供给有限的情况下，使得供需情况更加健康。预计，2020年DRAM市场需求将成长15%至20%，供给成长10%至15%，而南亚科2020年位元出货将成长约15%。

李培瑛还强调，就目前的情况看来，DRAM市场包括现货价与合约价的平均价格都已经止跌回稳，除了三星跳电事件对短期现货价有波动，长期来看就是持稳，这也使得南亚科2020年第1季毛利率将不会再下滑。

整体来说，虽然2019年第4季较第3季的营收有所下滑，但是优于2018年的第4季。而未来的2020年第1季预估会比2019年第4季还有成长，第2季也将会持续提升，加上预计导入10纳米级新制程，资本支出上半年仍较少，下半年起预计会有增加，实际数字有待董事会最后决定。

存储器封测厂力成自结2019年12月合并营收65.99亿元（新台币，下同），创历年单月新高，去年第4季营收也创单季新高。法人估2020年第1季业绩可创同期新高。

力成自结2019年12月合并营收65.99亿元，较去年11月63.94亿元成长3.22%，比2018年同期53.29亿元增加23.83%。法人指出，力成去年12月营收创历史单月新高。

力成去年第4季自结合并营收193.08亿元，较去年第3季177.05亿元成长9.05%，法人指出，去年第4季营收创历年单季新高。

力成去年第4季标准型存储器满载产出稳定，行动存储器（Mobile DRAM）、利基型及特殊型DRAM季节性需求看佳，服务器应用需求改善。

同时，因应今年第1季产能需求，力成去年9月和10月持续产能扩充，为公司成立以来首见。

累计2019年全年力成自结合并营收665.25亿元，较前年680.39亿元微降2.23%。

展望今年第1季营运，法人预期，力成新产能将于第1季投产，布局3D NAND型快闪存储器（NAND Flash）封测，新产能可望在第1季贡献业绩。

另外服务器动态随机存取存储器（DRAM）订单能见度可看到第1季底，预期第1季业绩可望较去年同期成长16%到17%，单季业绩有机会创同期新高。今年上半年力成在存储器封测表现可正向看待。

根据外电的报导，韩国半导体厂商三星电子旗下位于华城的工厂发生了跳电事故，影响了DRAM、NAND Flash，以及采用EUV技术的系统半导体生产部分。

根据外电报导指出，三星电子位于韩国华城的工厂，在2019年12月31日发生了短暂的跳电情况，使得华城厂区内的部分工厂短暂停产。整个跳电的时间约1分钟，之后立即恢复了供电，目前三星正在积极的进行产线检查，在了解受损程度之后，以便在最短时间内恢复生产。

据了解，这次三星电子华城厂区的跳电事件，影响的是生产DRAM的Line 12产线，以及生产Nand Flash的Line 13产线，另外还有以EUV（extreme ultraviolet）技术进行生产的LSI（large-scale integration）部分。

根据市场人士估计，由于是生产DRAM的Line 12产线，以及生产NAND Flash的Line 13产线都属于制程比较落后的产线，因此受影响较大的部分的将会是在以EUV来生产系统半导体的领域，整体损失金额可能达到3,000万美元。

至于，会发生跳电的原因目前并不清楚。只是，以中国台湾的晶圆厂为例，在供电方面多半都设计有两套回路，分别由两个不同的变电所来供电，以降低因意外而发生跳电的风险。不过，如果发生大规模的天然灾害，例如地震而导致电厂停止运转的情况，这部分就另当别论。因此，这次韩国三星华城厂区在无发生重大天然灾害情况下，却发生跳电的情况，这个过程就必须好好地确认。

至于，这次的跳电事件是否会影响市场上DRAM及NAND Flash的价格，就如同2019年6月份，日本存储器大厂东芝在三重县四日市的厂区发生跳电，造成市场供货冲击的状况，目前还不得而知。

不过，日前三星才宣布，将在未来10年内投资超过千亿美元以发展系统半导体业务，已达成未来登上全球系统半导体业务龙头的计划，会不会因为这样的断电事件而受到影响，未来还需要进一步的观察。

集邦咨询：供给调整速度不及需求成长，2020年第一季显卡内存价格快速翻涨

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，2020年第一季除了因1X纳米良率问题导致供货不及，使得服务器内存价格领涨以外，显卡内存价格也快速反转向上。由于显卡内存相较于其他产品类别，属于价格波动明显的浅碟市场，因此在买方积极拉货下，预期价格将较前一季上涨逾5%，涨幅为所有产品中最高。

显卡与游戏机规格提升，高容量GDDR6需求增温

观察2020年整体需求状况，市场正快速从GDDR5转向GDDR6，显卡市场中，NVIDIA的主流产品RTX显卡几乎已经全部转用GDDR6，而AMD正在积极去化旧显卡库存，届时NAVI系列也将全数使用GDDR6。在游戏机市场，虽然目前Sony PS4与微软XBOX One都是使用GDDR5，但预期明年下半年上市的PS5与XBOX Series X都将采用GDDR6，且最高容量将达到16GB，远高过目前主流显卡的8GB容量，代表明年显卡内存的供应吃紧将无法避免。

供给方面，相较其他产品别，显卡内存的单颗芯片生产成本最高，因此在历经过去几季DRAM价格快速下滑之后，显卡内存出现亏损较其他产品来的快。因此，三大DRAM原厂纷纷将产能转向其他获利能力较好的类别。截至目前，显卡内存占DRAM总产出的比重低于6%，在供给有限又面临需求增温的情况下，报价止跌回稳。由于原厂的产能调整无法快速反应，集邦咨询预期价格将会在2020年强劲反弹，而且可能成为涨幅最大的DRAM产品类别。

2020年显卡内存供给成长幅度达15%

三大原厂在显卡内存领域的竞争态势，三星处于领先地位，不仅市占最高，在GDDR6的设计与产品验证的进度也最快。SK海力士与美光半导体的市占大约在伯仲之间，但在最新一代GDDR6产品的开发上，美光即将进入量产阶段，快过SK海力士，因此在2020年有望拉开与SK海力士的差距。

集邦咨询预估，在2020下半年游戏机新机种将搭载高容量GDDR6以及价格反弹的刺激下，原厂会逐渐将产能转回生产显卡内存，使得明年位元产出年成长量有机会突破15%，增幅位居第二，仅次于服务器内存。

针对美商存储器大厂美光科技(Micron)发布2020财年第1季财报，其结果优于市场预期，进而带动美光在美国时间18日于美股股价，最后收盘价上涨逾4%的情况，市场人士指出，不仅毛利将是此波循环的低点，接下来将逐季好转，而且市场需求在服务器、移动设备皆有正面表现，加上2020年全年库存水位将维持乐观的情况下，未来发展将会优于当前。

美光科技第1季营收为51.44亿美元，相较2019财年同期的79.13亿美元下降35%，净利为4.91亿美元，相较2019财年同期的32.93亿美元下降85%。

而针对美光2020财年的第1季表现，市场人士表示，该季DRAM的位元出货量成长将近10%优于预期，带动营收表现达财测上缘。虽然预期下一季营收将季减10%，不过毛利将是此波循环的低点，接下来将逐季好转。

整体来说，因为库存天数持续下降，虽然因为下一季面临淡季而小量增加，但对于2020财年全年的DRAM库存水位保持乐观。

需求方面，包括服务器、移动设备、绘图芯片等需求展望皆正面，仅PC因为英特尔的CPU缺货状况将至少延续到2020年初，因此整体仍往优质的方向发展。

另外，在华为的供货方面，因为美光表示，近期已收到所有之前向政府申请的许可，允许出货给华为，包括验证移动设备以及服务器业务等相关的新产品，不过仍有一些非移动设备和服务器相关的产品禁止出货；此外，也强调由于验证刚开始，距离实际贡献营收仍需时间，不让市场有过度期待。但这些讯息至少显示禁止出货给华为的干扰，目前正在慢慢消除。

另外，在制程技术方面，美光目前采自有技术进行DRAM制程转进，一直到1 gamma制程都还看的到经济效益，但同时间也在观察EUV，若EUV成本优势显现，不排除导入。

而NAND Flash则持续发展更换制成，2020财年将是转型年，销售方面主要仰赖贩卖2019财年的库存。至于台中新产线则是如期进行中，预期产出将会落在2021年。而这新产线将开始放置EUV机台，而整体2020财年的整体资本支出也维持在70到80亿美元的水准。