现货价格急涨，带动DRAM合约价提前于2020年第一季止跌

现货价格急涨，带动DRAM合约价提前于2020年第一季止跌

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集邦咨询：现货价格急涨，带动DRAM合约价提前于2020年第一季止跌

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，DRAM现货价的翻扬，改变了市场氛围。在预期性心理因素下，有利于合约市场中买方的备货意愿提高，目前预估合约价可能提前至2020年第一季止跌。

集邦咨询指出，之前1X纳米制程因为有退货状况，大量不良品以低价转销现货市场，导致现货价格走势格外疲弱。虽然退货状况仍在，但因为模组厂以及在渠道的经销商开始愿意增加库存准备，使得这些不良品数量有效的消耗，带动现货价格开始上调。

从整体供需状况来看，在历经近五个季度的库存调整，2019年第四季DRAM市场仍处于微幅供过于求，即便明年第一季DRAM的拉货状况可能呈现淡季不淡，但供需态势最快仍要到明年年中才会正式反转。不过，根据历史经验，价格上涨一向快于供需反转，因此集邦咨询原先预估DRAM的平均销售单价将在明年第二季初止跌上涨。

然而，受到目前现货报价大涨的激励，以及服务器内存1X纳米制程的生产状况普遍不顺畅，影响了整体供货量，因此集邦咨询对2020年价格预测进行修正，2020年第一季时，虽然标准型内存、利基型内存与行动式内存价格预估仍较前一季小幅下跌，但服务器内存有机会率先领涨，带动整体DRAM平均销售单价较前一季持平。

服务器与图形处理内存价格领涨，开启2020年DRAM涨价序幕

根据集邦咨询观察，目前主流服务器内存模组成交量已经明显大幅增加，均价欲跌不易，服务器业者在DRAM备货的态度转趋积极。展望2020年第一季，由于1X纳米产品供货不顺影响持续，加上短期需求面展望强劲，预估服务器内存单价将正式反弹，季增幅约5%。

除了服务器内存以外，集邦咨询也同时调整图形处理内存的价格预测；图形处理内存尤其是GDDR5，因为主要GPU芯片供应商库存已经调整完毕，目前已恢复采购力道，加上最新一代的GDDR6需求也持续增加，在买方预期涨价心理影响下，整体价格也将于第一季小幅上调。

2020年5G手机及资料中心需求提升 DRAM现货价格触底反弹

2020年5G手机及资料中心需求提升 DRAM现货价格触底反弹

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根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，在当前各家厂商库存数量下跌，加上资料中心需求持续强劲，以及2020年第1季5G手机市场对于DRAM需求扩大的情况下，近3个月连续走跌的DRAM价格已经触底反弹。

其中，DDR4 8G(1Gx8)2400 Mbps的产品上涨了2.88%，而DDR3 4Gb 512Mx8 eTT的产品也上涨了1.04%，显示了DRAM市场从下跌状况走缓，甚至已经开始反弹回温。

有报告显示，2020年在5G智能手机、资料中心等需求的提升，使得业者开始加大对于DRAM的采购力道。

其中，在5G智能手机方面，因为旗舰机种将搭载6G到12G的DRAM，相较4G高端旗舰款手机搭载3G到6G DRAM的规格而言，容量要增加许多，使得市场开始对DRAM的需求增加。

除了在需求面的提升之外，外资报告还指出，韩国存储器龙头三星目前在DRAM生产方面已经开始导入1z纳米制程，三星期望可以透过制程微缩，提升单位生产数量。

此外，到第三代10纳米级的1z纳米制程后，由于未来微缩空间减少，使得成本效益递减，加上三星逐渐导入EUV生产DRAM，生产成本随之提高，这样不仅形成进入产业的高门槛，也限制了未来扩产比例，导致预期供货将维持在一定数量，厂商难以大量收到货源，形成价格的预期上扬。而这对于整体DRAM产业来说，也会是较为健康的发展。

莫大康：实现中国的存储器梦

莫大康：实现中国的存储器梦

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中国半导体业正进入一个新时期，在大基金等国有资金为主推动下，加上科创板的支持，产业正从全方位向前推进，其中实现更多的IC国产化是“命门”，显然存储器成为一个让业界十分期待的目标。

据统计在中国境内DRAM消耗约3,000亿元及NAND闪存消耗约2,200亿元。假设这个数量级是基本正确，它表示什么？

据权威市场公司WSTS的秋季数据，2018年全球半导体市场4,687亿美元，总存储器的销售额达1,580亿美元，它预测2019年全球半导体市场下降12.1%，为4,090亿美元，其中存储器下降33%，为1,059亿美元，那么中国消耗存储器为5,200亿元，折算成743亿美元，即占2018年存储器的47%及2019年的70%，它表示全球的存储器近一半以上被中国市场消耗。

为了实现存储器的国产化，国内已经启动合肥长鑫及福建晋华的DRAM，以及武汉长江存储的3D NAND闪存生产，另有紫光的南京、成都等都已做好上马的准备。

按国内网站报导，长江存储已经开发出32层3D NAND闪存，2019年底月产能达20,000片，计划2020年开始64层3D NAND量产，月产能扩充至40,000片以上，到2023年时可能达到计划64层月产能100,000片，或者它的原计划300,000片。并在技术上进入128层256Gb的业界先进闪存产品行列。而合肥长鑫已经开发出19纳米的DRAM，月产能达20,000片，计划2020年底月产能扩充至40,000片，到2023年时达到计划月产能125,000片，技术上开始迈入17纳米。并已有报道长鑫将再建两个fab2和fab3。

中国已经启动存储器的布局，充分体现国家的决心与实力，然而全球存储器的格局是垄断的，按学习曲线的规律，中国必须循序渐进，国内业界曾提出初始目标要占全球市场份额的5%-10%。

5%-10%市场份额

从全球范围观察，在DRAM 领域，全球三大阵营的分布：三星市占率 46%、SK 海力士 29%、及美光 21%。而在NAND Flash 领域，全球六大阵营的分布：三星市占率 35%、东芝(更名为铠侠) 18.2%、WD/SanDisk 占 13.8%、美光 13.7%、SK 海力士 10.2%、英特尔 8.6%。

各家存储器的产能统计，由于渠道不一样，只能提供估值，依2018年底计，如全球DRAM的月产能约为110万片(12寸计)，及NAND闪存约为150万片，其中三星可能分别是500,000片及480,000片。

根据三星目前128层3D NAND技术发展，以及工厂进度规划，预计2020上半年可能量产的是第六代128层V-NAND。SK海力士128层3D NAND也将在2020年进入投产阶段。至2019年底，全球NAND闪存依92/96层计，三星占它的销售额45%，东芝为50%，美光为35%及Hynix为25%。

当今的NAND Flash设计需要综合考虑层数、存储单元间距、单元厚度、功耗、整体性能、投资效益，还有量产的良率，及市场份额等诸多要素。

DRAM制程工艺进入20nm以后，由于制造难度越来越高，内存芯片制造厂商对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了1xnm、1ynm、1znm，大体来讲，1x-nm制程相当于16~19nm、1y-nm相当于14~16nm，而1z-nm则相当于12~14nm。业界也有讨论在1znm之后的可能进展。

据IT之家2019-10月7日消息，三星宣布成功开发出业界首个12层3D-TSV（直通硅通孔）技术。这是业界首个将3D TSV封装推进到12层的工艺，而此前最大仅为8层。

3D-TSV最多用在HBM显存上，这种技术通过芯片内部的打孔填充金属导电材料实现多层芯片互联，其速度更快，密度更高。三星此次公布的12层DRAM封装工艺需要在720微米厚的芯片上打超过60000个TSV孔，这些孔的尺寸仅为人头发丝的二十分之一。

全球存储器业总是周期性的起伏，也是对于存储器制造商的考验。据预测，其中33种IC产品类别中的26种将恢复增长，而增长前三类如下：2020年NAND Flash将增长19%，汽车电子13%及DRAM 12%。

5%-10%的市场份额，它表示中国存储器业(包括DRAM，NAND，NOR，新兴存储器)的销售额已经总计达到50-100亿美元以上，同时迈出中国半导体业中IDM产品的关键一步。

结语

由于中国存储器厂商几乎都是“新进者”，面临的困难可能更多，尤其是美国的“长臂管辖清单”，它随时可能改变，其影响如同对“晋华”一样，不可小视。

在这样的现实情况下，中国存储器制造商既要提前做出“预案”，认真对待，不丧失信心，可能最妥善的策略是把目前的工作做得更加扎实与仔细。

技术上推进是关键，它是基础，然而产能扩充的步伐要大胆加快，因为至少在下个下降周期中可能占到先机，它也是无法用完全市场化策略来解释。

尽管初始目标是5%-10%的市场份额，但是它的作用不可小视，表明中国存储器业完成初步立足，开始有话语权。如果依2017年计始，估计可能要花5-10年时间，并且要准备随时迎接各种干扰的到来。

中国存储器业一定能立足下来，无非是花的时间短，或者长些，要认识到存储器业是个拼生产线管理及能持续投资的产业。回顾中国台湾地区之前曾投入400亿美元，试图找立足点，结果也不尽如人意，据台湾人士讲主要是资金不足，而中国此次存储器的突破，似乎资金不成问题，但是缺乏月产能100,000片以上大生产线的管理经验。

显然生产线的产能爬坡速度是个“坎”，它不完全是由资金决定，与技术能力，生产线的良率，芯片价格及外来干扰因素等相关，在思想认识上要有充分的准备。

按我的初浅认识，实现中国的存储器梦，以下两条是关键：

持续投资，扩大产能，降低制造成本，所以生产线应该尽可能集中

沉着应对来自各方面的“干扰”，包括“长臂管辖清单”，专利及价格战

事在人为，实现中国存储器梦是肯定有必要及可能，在此点上连部分西方人士也表示认可。

长鑫存储：获得大量DRAM内存专利

长鑫存储：获得大量DRAM内存专利

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近日，长鑫存储技术有限公司与Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.联合宣布，就原动态随机存取存储芯片(DRAM)制造商奇梦达开发的DRAM专利，长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议。

依据专利许可协议，长鑫存储从Polaris获得大量DRAM技术专利的实施许可。这些专利来自Polaris于2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

依据独立的专利采购协议，长鑫存储从Polaris购得相当数量的DRAM专利。

此专利许可和专利采购协议中所包括的交易金额等商业秘密条款在此不予披露。

“长鑫存储将继续通过自主研发以及与WiLAN等国际伙伴的合作，不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累。”长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示。“两份协议标志着，在完善知识产权组合、进一步强化技术战略和保障DRAM业务运营方面，长鑫存储采取了新举措。”

“长鑫存储是中国DRAM产业引领者。很高兴看到长鑫存储认可Polaris所持DRAM专利的价值。这两份协议表明，长鑫存储高度重视知识产权，致力于持续投入研发。我们相信，由此获得的权益将使长鑫存储在业内拥有竞争优势，助力长鑫存储持续开发DRAM关键技术。”WiLAN总裁兼首席执行官Michael Vladescu表示。“与长鑫存储的协议将推动WiLAN在中国等主要新兴市场进一步开发业务机会，从而继续为母公司Quarterhill和投资者创造更多价值。”

华邦电高雄12英寸厂装机时间递延

华邦电高雄12英寸厂装机时间递延

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存储器大厂华邦电高雄新12英寸厂已在7月上梁，兴建计划依进度进行中，原本预期2021年底可开始进入生产，初期以25纳米DRAM开始投片。不过，华邦电董事长焦佑钧6日表示，明年存储器市况将趋于稳定，但因存储器价格仍然不好，加上华邦电中科12英寸厂的营运效率明显提升，所以高雄12英寸厂的装机时间将递延到2022年第一季。

第三季存储器市场价格跌幅缩小且进入出货旺季，华邦电第三季合并营收达134.20亿元（新台币明显哀痛），归属母公司税后净利达5.91亿元，每股净利0.51元，符合市场预期。华邦电子公司新唐第三季合并营收29.44亿元创下历史新高，但因业外收益缩水，单季获利达1.76亿元，每股净利0.85元。

华邦电第四季进入淡季，6日公告11月合并营收月减6.1%达40.57亿元，较去年同期小幅增加0.9%，累计前11个月合并营收446.97亿元，与去年同期474.99亿元相较减少5.9%。

焦佑钧6日出席新唐股东临时会表示，明年存储器的产业景气，因为之前价格跌幅很大，现在应该会趋于安定一阵子，价格会不会反弹还看不出来，但应该可以预期是会稳定下来。

焦佑钧指出，华邦电原先的投资计划，是考量到中科12英寸厂已经没有空间再放新机器扩产，所以要把20纳米与25纳米的DRAM制程移到高雄新12英寸厂并进行良率拉升及后续量产。但考虑到现在存储器价格并不是很好，台中厂生产效率提升不少，所以改变了原先计划。

焦佑钧表示，由于中科厂区还有空间可以装进下一世代制程设备，就是20纳米和25纳米的DRAM设备，所以若在新设备装机导入后又顺利提升良率，能让华邦电的成本下降很多。所以，华邦电会先在中科12英寸厂导入新制程并提升良率，然后再搬到高雄新厂量产，高雄新厂装机时间因此递延到2022年1月。

对于新唐并购Panasonic半导体事业，焦佑钧表示，新唐明年6月才会正式接手，该事业虽然目前亏损，但转变快对新唐的冲击就小，若调整慢的话影响大概会需要二年时间，因此不宜用目前该事业财报来判断影响。新唐的核心技术在ARM基础架构上，Panasonic半导体则以系统架构为主，产品线有互补性，未来可整合双方之力往物联网、智慧家庭、工业与车电市场迈进。

【MTS2020】DRAMeXchange刘家豪：IT基础架构转型现商机 服务器内存市场崛起？

【MTS2020】DRAMeXchange刘家豪：IT基础架构转型现商机 服务器内存市场崛起？

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在讨论IT基础架构转型之前，刘家豪简要阐述了内存与终端市场概况。他表示，数据中心的需求从终端装置转移向云端、再至边缘运算，数字化转型、企业服务器上云等使得数据中心逐渐茁壮成长。2020年后，数据中心的建设增速将会减缓，5G概念形成及其相对的应用如工业物联网、车联网等将把5G和边缘运算推向落实境地。

2008年之前，PC/NB带动了整个存储器市场发展；2012年，智能终端装置的普及带动市场进入行动式内存新纪元，同时也推动了数据中心的需求，尤其在经历2012年-2016年的涨价后，美国及中国BAT在数据中心的建设上非常积极，把整个原厂投产计划导入Server DRAM市场。2020年后，Server DRAM将迎来结构性转型，边缘运算的节点将逐渐落实。

回顾整个DRAM市场，刘家豪指出，随着数字化转型及数据中心落实驱动，2019年Server DRAM投产比重已超过三成，是原厂目前最着重的领域之一。据其大胆预测，5G落地后，Server DRAM的投产比重会与行动式内存并驾齐驱，整个产出量预计将于2025年达到高峰，有望上升至接近四成。

接着，刘家豪从算力、应用以及整体架构的差异等方面分析了IT基础架构转型面临的商机与挑战，并展望了2020年服务器内存市场发展。

算力方面，刘家豪认为市场对计算性能要求提升，服务器迈向云端连结。2008年之前主要是功能型运算，需要处理的工作非常简单；2012年后，随着联网需求的增加、产业形态的改变、数字化转型的落实等，应用连结越来越重要且复杂、IDC逐渐普及；2020年后，未来车联网、物联网等关键性应用的实现，需要服务器架构的改变，即HPC+cloud概念，其未来服务器算力将更加集中化，外围环绕的是边缘运算节点，处理的是及时、非重要信息，例如自动驾驶的安全性上需要信息的快速传递，这将是未来的新商机。

从应用端看，2020年之前是云对终端装置的连接，2020年之后将多了雾计算或边缘运算，未来的趋势将是传统边缘计算和雾计算的逐渐融合，产品将强化IoT结构中各节点其目标类别是云下各层的解决方案，例如智能设备、工业控制、传感器、网关、边缘服务器等，其中解决方案最主要的两个指标就是Edge Server和Edge Gateway。

从硬件规格看，Edge可根据数据中心的远近分为三类：Far Edge、Mid-near Edge、Near Edge。目前已有阿里巴巴、腾讯等国内企业和谷歌等国际大厂介入Edge市场，单从规格分析，市场上目前提供Edge解决方案最齐全的是英特尔，分别对数据中心提供了双通道、双插槽、四插槽解决方案，对于远到近的Edge分别提供两插槽、四插槽甚至SOC解决方案。

全球目前有非常多的数据中心，数据中心建设主要集中在2016年-2018年，2019年由于中美贸易问题等因素，新增节点开始变缓。刘家豪预估，2020年的市场状况可能会较2019年要好，服务器市场明年呈现较好的成长状况，数据中心的建设大部分是集中在亚太区例如新加坡、中国香港以及中国台湾等地。

2019年-2020年中国区服务器的使用量有所增加，但受到中美贸易摩擦影响，2020年增幅下降，但使用量仍有微幅增加；刘家豪认为，2020年之后，中国在5G的推动上较美国来得更快，这将使得中国的市场份额在2025年后超过30%。

Server DRAM市场方面，刘家豪预计三星、SK海力士和美光三大供应商的Server DRAM供应比例将增加，尤其到2025年将达到高峰，这将压缩一部分PC DRAM、Mobile DRAM的市场。由于PC单元需求下降，PC DRAM在DRAM总输出中所占的份额较小，但明年Mobile DRAM将仍然是每个公司产品组合中最大的细分市场。

从供需情况分析，2016年DRAM迎来反转时期，尤其在2016年下半年，中国手机市场OPPO和vivo备货动作非常强劲，带动了一批成长，随后中国BAT和北美的四大数据中心的需求增加，DRAM持续火热，致使终端客户因担心缺货而加大备货力度，2019年初许多终端客户的库存远高于2016年。

目前，内存价格已历经数个季度的下跌，原厂明确表示明年的资本支出会大幅减少，加上在手库存，所以明年预计Q2价格将有所反转。整个供需来看，刘家豪认为明年平均的供应还能达到8成，原厂通过合理的供给调配，价格涨幅也将有所控制。

刘家豪最后指出，目前服务器DIMM 2018年-2019年的主流配置还是2666Mbps，2020年~2021年将达到2933~3200Mbps。2933Mbps已没有明显价差，预计到明年之后会逐渐恢复供应，其供应比重会随着新平台的投产而大量导入，目前3200Mbps与2600Mbps、2933Mbps仍有5%-7%的价差。

PS：本次峰会集邦咨询分析师演讲讲义现已对外分享，如有需要请关注“全球半导体观察”微信公众号并回复分析师名字即可领取，如“刘家豪”、“郭祚荣”、“叶茂盛”。同时，欢迎识别下方二维码或在微信公众号回复”峰会”观看峰会完整视频回放。

DRAMeXchange郭祚荣：预估内存价格明年Q2开始上涨

DRAMeXchange郭祚荣：预估内存价格明年Q2开始上涨

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集邦咨询DRAMeXchange研究副总经理：郭祚荣

供给端方面，郭祚荣分析认为全球2020年内存市场的年成长预估仅为12.2%，这个数字在年成长动辄25%、甚至40%-50%的传统内存产业是非常低的。三星、SK海力士、美光等内存厂商明年获利为主要目标，资本支出也会减少。

具体而言，在标准型内存、服务器内存、行动式内存、绘图用内存、利基型内存这5大类产品中，明年份额比重最大的是行动式内存，占比约39.7%，主要因为智能手机本身需求量大，加上明年5G的兴起将带来强劲的换机潮；其次为服务器内存、占比约为34.9%，郭祚荣指出，服务器内存的份额比重每年逐步上升，未来3-5年服务器内存的份额比重可能会超过行动式内存，成为全部内存产品份额比重最高的产品。

其他产品类别的份额比重情况，PC方面（标准型内存）在逐年下降，虽然游戏电脑的需求在提升，但占比不高；绘图用内存目前需求还可以，预估明年状况会很好；利基型内存方面，每年的增长大概是7%-8%。

至于投片情况，郭祚荣指出今年第四季度全球内存厂晶圆投片量预估为1200多K，明年第四季度预计是1300多K，从投片角度看，明年的成长只有5%左右，这其实并不高，与明年的供给成长只有12.2%相呼应。

其中，三星明年第四季度投片量与今年第四季度投片量相比，成长只有大概30K（即3万片左右），以三星的整体规模看相当于几乎没有新产能产出；SK海力士的投片量是不增反减，今年第一季度350K、到明年第四季度只有340K；美光方面，今年第四季度和明年第四季度相比，投片量相差不多。

虽然投片量没有显著增加，但为何明年供给端仍有12.2%的年成长？郭祚荣表示这是因为制程上的提升增加了颗粒的产出量。明年三星、SK海力士、美光等全球三大厂商的产出量仍有成长，三星预估成长12.6%，SK海力士由于今年转1Ynm不顺、把量转到明年，因此明年预估有14.1%的成长，美光预估成长10.3%。

制程转进方面，三星大部分供应已集中在1Xnm，1Ynm也有17%，明年三星将继续转1Ynm，1Xnm则会继续减少。目前，三星也有在做1Znm产品，但还是会先转1Ynm，1Znm的转进会视后面市场情况决定。

郭祚荣认为，制程最先进的是三星、SK海力士次之、美光第三。但据其了解到的新信息，美光的1Znm制程工艺十分先进，甚至可跟三星齐头并进，有可能在明年或者后年、在1Znm变成规模较大时，可能是美光制程工艺的反转点。

再看需求端，郭祚荣分析认为，明年全球内存需求端仍出现微幅衰退，其中笔记本将衰退0.6%、PC将衰退0.7%；服务器和智能手机是明年唯二呈现成长趋势的产品类别，其中服务器这几年都在上升，明年将成长3.8%；智能手机今年是负4%，明年预计为0.1%。

具体而言，全球2020年内存需求达17.5%，其中智能手机和服务器的需求比重最大，无论是今年或是明年，两者需求比重总和都占据了总需求七成左右份额，其他如PC比重将越来越低，利基市场大概每年维持差不多的比重。

根据全球内存供需状况分析，2020年Demand bit Growth预计增长17.6%、Supply Bit Growth预计增长12.2%，Sufficiency ratio则有0.5%的增长，价格有可能会反转；今年价格跌了将近50%-60%，这是因为目前供过于求将近5.4%，对市场来讲是十分严峻的。

以PC DRAM DDR4 8GB产品为例，今年年初价格为50元，到今年年底预计价格只剩24元，价格下跌近一半。郭祚荣认为，明年第一季度内存价格呈现小跌的可能性较高，但这并不影响明年下半年的价格趋势，毕竟供给真的有所减少，其预估内存价格在明年第二季度会开始反弹，一直延续到年底，但明年全年可能也只涨20%-30%。

具体到各类别产品，郭祚荣预估明年涨幅最高的内存产品应该是PC DRAM和Graphic DRAM，其次是服务器内存；移动设备方面，相对其他的产品要平稳一些，是5大类别产品里面涨幅最小的，另外一个涨幅较小的是利基型产品。

整体而言，郭祚荣预估全部产品的利润明年至少有20%的上涨、甚至可能有机会达到30%，但最重要的还是取决于市场需求状况。对于价格，郭祚荣的结论是，明年价格会上涨，最快第二季度可以看到，但不会涨得非常凶或者非常高，将呈现缓涨趋势。

集邦咨询于2019年11月27日成功举办2020存储产业趋势峰会（MTS 2020），在此特别感谢金邦科技、芝奇国际、宏旺半导体、时创意电子、金泰克半导体、紫光存储、厦门银行等企业对本次会议的大力支持。

PS：本次峰会集邦咨询分析师演讲讲义现已对外分享，如有需要请关注“全球半导体观察”微信公众号并回复分析师名字即可领取，如“叶茂盛”、“郭祚荣”。同时，欢迎识别下方二维码或在微信公众号回复”峰会”观看峰会完整视频回放。

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紫光日本公司CEO：DRAM内存将在5年内量产

紫光日本公司CEO：DRAM内存将在5年内量产

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本月中，紫光宣布前日本内存公司尔必达董事长坂本幸雄加盟，将担任高级副总裁及日本公司CEO。

坂本幸雄在DRAM领域具有30余年的从业经验，在技术以及战略发展上拥有优秀的领导力。坂本幸雄先生曾任日本德州仪器副社长、神户制钢电子信息科半导体部门总监理、联日半导体社长兼代表董事，及尔必达存储社长、代表董事兼CEO。

加盟紫光后没多久，坂本幸雄就接受了日本媒体的采访，他谈到了一些与紫光的趣事。

高启全3年前也邀请坂本幸雄一起做闪存事业，但是坂本幸雄一心想做内存，就拒绝了邀请。

6月份紫光组建了DRAM内存事业群，高启全担任内存事业群CEO，今年他有两次邀请了坂本幸雄加盟，最终在9月份同意了加盟紫光内存事业群。

坂本幸雄在采访中表示，紫光的目标是5年内量产DRAM内存，自己的工作就是协助公司达成目标，为此紫光要在日本神奈川县川崎设立“开发中心”，预计会招聘70-100位工程师，与中国的制程工艺团队配合，花2-3年构建出可以量产的内存技术。

今年8月底，紫光集团董事长、CEO赵伟国与重庆市政府达成合作协议，将在重庆建设DRAM事业群总部及内存芯片工厂，预计今年底动工，2021年正式量产内存。

英特尔处理器缺货 影响个人电脑厂商和DRAM厂商出货

英特尔处理器缺货 影响个人电脑厂商和DRAM厂商出货

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处理器龙头英特尔(Intel)因为CPU产能短缺，进而影响周边个人电脑厂商出货的情况逐渐蔓延。继日前惠普(HP)与联想(Lenovo)两家品牌个人电脑厂商高层出来抱怨，表示英特尔的CPU缺货已经影响到他们产品出货，并冲击业绩之外，现在戴尔(DELL)电脑也发出报告指出，因为英特尔CPU的缺货状况，导致戴尔电脑的产品出货受到影响，因此将进一步下修2020财年全年的营收金额。

对于CPU缺货的情况，日前英特尔的执行副总Michelle Johnston Holthaus罕见在官网上发出道歉信，针对近一年来发生的CPU出货延迟问题表达歉意。而因为英特尔的道歉大动作，使得市场评估，实际上英特尔CPU缺货的状况要比之前所预估的更加严重。而英特尔CPU缺货而造成的个人电脑出货递延，之前包括惠普与联想两大品牌电脑大厂高层都出面抱怨过。甚至是这样CPU缺货的态势，还可能冲击到好不容易等到低点反弹时机的DRAM产业，使得复苏时间再递延。

如今，在联想与惠普再加上DRAM业者之后，全球个人电脑出货量第三的戴尔电脑也表示，英特尔CPU缺货的状况冲击个人电脑的出货量，因此将下修2020财年年全年的营收。

根据《路透社》的报导，目前占戴尔电脑总营收将近一半的个人电脑事业部，在2020财年第3季营收较第2季成长了4.6%，金额来到114.1亿美元。相较于伺服器和网路部门的营收在第3季来到42.4亿美元，较第2季下滑了16%的情况，其表现明显优异，只是这样的情况在第4季预计将会遭逢瓶颈。

报导指出，戴尔营运长Jeffrey Clarke在与分析师的电话财报会议上表示，因为英特尔CPU短缺状况较上一季更加严重，影响了戴尔电脑的商用和高端消费型个人电脑在第4季的预期出货量。这将使得戴尔电脑预计把2020财年营收，由原本预估的927亿美元至942亿美元，下调至915亿美元至922亿美元之间。

而对于CPU缺货所造成的市场压力，英特尔方面日前曾经表示，除了持续提升产能与优化良率来满足市场上的需求之外，未来来不排除采用委外代工的模式，以进一步填补CPU缺货的缺口。不过，目前有哪些产品要委外、又会委外给那些厂商，英特尔则是表示尚在评估当中。

集邦咨询2020存储产业趋势峰会圆满落幕！

集邦咨询2020存储产业趋势峰会圆满落幕！

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本峰会围绕半导体及存储产业发展趋势，详细解读全球半导体存储产业宏观经济环境、产业细分市场以及技术演变动态，深度分析未来的驱动因素和应用商机，为产业及企业同步提供前瞻性、战略性规划参考，大会现场人气爆满、座无虚席。

会议伊始，集邦科技董事长刘炯朗为大会做开幕致辞，对所有参会嘉宾的莅临表示感谢。紧接着，集邦咨询半导体产业研究中心DRAMeXchange与拓墣产业研究院的半导体及存储产业各细分领域分析师、行业专家等展开精彩演讲，下面整理了各演讲嘉宾演讲的主要内容，以飨读者：

图1：集邦科技董事长刘炯朗致开幕词

郭祚荣：2020年全球内存产业趋势分析

图2：集邦咨询DRAMeXchange研究副总经理  郭祚荣

全球内存产业产出量明年年成长为12%，为近十年来新低的水平，原因在于各内存大厂对于资本支出保守加上工艺转进趋缓外，内存价格亦历经了长达一年半的下跌，都让内存大厂想藉由产出的控制，以期明年市场从现在的供过于求往供需平衡迈进。

从产能与工艺的角度来看，全球内存投片只有4%的成长，三大主要内存厂明年几乎没有大规模新增的产能，明年1X/1Ynm依然是市场主要工艺，1Znm工艺呈现缓步成长。集邦咨询预估，明年内存价格将有机会在上半年止跌反弹，改善目前的获利结构。

钟宝星：5G芯引擎为存储提供核心动力

图3：紫光展锐消费电子产品规划部部长  钟宝星

5G大带宽、海量连接、超低时延的丰富应用场景对存储提出了更大容量、更加稳定、更快响应的新要求。5G芯引擎的发动，从中心、云端存储维度和边缘、终端存储维度都会带来新的变革，为存储产业提供核心动力。

5G时代下IOT将产生海量数据，预计2025年物联网终端产生的数据量约80ZB，相当于约5154吨1T硬盘。边缘数据在广度、深度、精度上的全面提升，带来存储、模组、传感器全面升级；5-10倍的速率提升，主流应用内容质量提升数倍，读写速度需求同步增长，5G带来大带宽意味着更大量的信息需要被传输、处理和存储，势必带动新的一轮硬件升级，带来新一波智能手机换机热潮。未来5G加AI的融合，数据除了在中心云端处理外，数据也会在边缘端做更多的处理，边缘AI的普及以及终端低延时应用均对存储提出了更高、更快、更强的要求。

中国作为全球最大的智能手机市场，将成为存储的先锋市场。5G时代全球性的终端升级带动存储的高速增长，将全面开启存储产业的新黄金时代。

余大年：存储在电子竞技产业链中的应用

图4：芝奇国际技术行销总监  余大年

近年来电竞产业在世界各地快速成长，加上现代电竞电脑需要更强大的多任务同步处理能力及执行高画质游戏的性能，带动了高速度、高容量存储产品的需求。

芝奇国际为全球高端电竞内存领导品牌，多年来透过独特的极限超频技术，将每一世代硬件效能发挥至极限，不仅提供电竞玩家更高性能内存产品，也同时树立下一世代高端硬件的规格标竿，成为加速人类科技进化的推手。

DDR5即将问世，内存速度及容量势必再做提升，如何能持续开发出更高性能产品以满足电竞玩家需求，将会是各大存储厂商如何于电竞市场致胜的关键。

叶茂盛：2020年智能手机发展与存储市场趋势分析

图5：集邦咨询DRAMeXchange分析师  叶茂盛

智能手机市场已经发展进入高原期，加上硬件创新幅度有限的因素，2020年生产量将大致持平，其中行动装置存储需求除传统上消费者越换越大的预期以外，明年受到5G手机渗透率提升影响，所需传输速度与容量要求皆有提升，在嵌入式产品界面方面，eMMC 5.1已难以负荷5G时代的基本传输要求，加上价格的诱因，UFS 2.1/3.0有望在2020年加速渗透，促使行动装置市场闪存位元出货成长达到32%，较2019年不到30%改善，也有助于整体闪存市场需求有较佳成长表现。

徐征：利基型DRAM市场趋势分析

图6：晋华集成副总经理  徐征

目前利基型DRAM (specialty DRAM)主要应用于消费型电子产品。2019年DRAM市场供过于求，各大DRAM业者通过降价减产的方式降低库存水位，同时三大DRAM业者重新调整产线，加速1Znm制程，带动利基型DRAM的规格朝向DDR4迈进。

需求端，目前利基型DRAM的位需求量持续提升已是市场共识，而中国庞大市场需求是中国DRAM制造业者们的商机所在；供给端，在三大供应商加速利基型DRAM规格迭代情况下，市场上普遍认为消费型电子市场DDR4及LPDDR4的渗透率将逐年提升。 

然而，大部分的消费型电子产品并不需要如此快速的规格转型，加上中国已领先全球着手布建5G系统，更有利于杀手级应用的产生，在此情形之下，倘若中国DRAM业者能够补足需求缺口，满足当下市场的需求，势必能减缓终端应用厂商面临被迫转换的压力，这将是中国DRAM业者成长的好机会。 

吴元雄：存储技术与解决方案发展

图7：力晶积成电子存储器事业群总经理  吴元雄

传统计算器架构中，动态随机存取存储器带宽是受限的。在一些存储器存取频繁的应用中，处理器往往会因带宽受限，无法获得充分数据进行有效运算，这就是所谓“内存墙”或“memory wall”问题。

力晶积成电子身为专业晶圆代工厂，除了逻辑晶圆代工之外，也是业界唯一专业动态随机存取存储器晶圆代工厂。力晶积成电子特此综合这两项专长，针对深度神经网络应用，开发了AIM（AI Memory）平台，旨在解决内存墙问题。

力晶积成电子AIM平台，乃基于力晶先进之动态随机存取存储器制程技术，可用于制作各式深度神经网络加速电路。由于加速电路直接植入动态随机存取存储器阵列旁，如此加速电路可享有超高动态随机存取存储器带宽，完全解决内存墙问题。并且由于无需传统外部存储器接口，外部接口传输所导致之功耗及延迟也一并免除。

刘家豪：IT基础架构转型驱动存储器市场新纪元

图8：集邦咨询DRAMeXchange资深分析师  刘家豪

近年因AI技术逐渐成熟与智能终端装置普及，多数应用服务皆藉由服务器来统合，尤其是需依赖庞大数据进行运算与训练的应用服务，再加上虚拟化平台及云储存技术发展，服务器需求与日俱增。此外，在产业结构改变与服务器运算单元大幅进步之下，亦将带动与传统应用服务截然不同的服务器架构发展，进一步推升服务器的需求。

在云端架构提供服务的基础上，终端被赋予的运算能力相对薄弱，多是藉由云端来获取运算与存储资源，预期5G商转后数据中心的应用将更多元，带动微型服务器（Micro Server Node）与边际运算（Edge Computing）成长，并将成为2020年后的发展主轴，以实现物联网与车联网等应用场景。

受到数据中心的落实驱动，2019年服务器DRAM全年使用量占整体DRAM的三成以上，预估2025年在5G相关部署驱动下，更将上升至接近四成。

梁红伟：面向ABC时代的存储器技术演进与挑战

图9：宇视科技云存储开发部部长  梁红伟

伴随着云计算、大数据、物联网、人工智能等信息技术的快速发展和传统产业数字化的转型，数据量呈现几何级增长，传统存储架构存在性能/容量扩展有限、数据可靠性一般等“通病”，已经不能适用于海量数据存储。

AI+安防是人工智能技术商业落地发展最快、市场容量最大的主赛道之一。该领域的智能方案产品配置繁琐、成本高，方案复杂、组件多、开局调试工作量大，运维复杂、数据路径长等，对存储方案提出了新诉求。云计算方面，传统存储在设备资源统一管理、扩展性及节点故障保护上都存在缺陷，无法适应虚拟化数据中心弹性可扩展的未来要求。宇视超融合存储解决方案针对传统存储方案存在的问题、痛点，给出了不一样的解决之道。

黄士德：主控芯片创新技术应用发展及挑战

图10：慧荣科技SSD产品协理  黄士德

随着5G、AI、物联网等新科技不断发展演进、大数据的产出，促使NAND闪存技术迅速发展，3D NAND闪存的堆栈层数也已经高达100层以上，单颗NAND闪存的容量己从32GB提高到64GB、128GB。目前3D NAND正迎来价格下跌刺激高需求、低密度传统硬盘更换、新的体系架构和数据结构、高带宽数据流和5G宽带、人工智能+存储等带来的市场机遇。

NAND闪存存储应用越来越广泛，从记忆卡到移动电话中的eMMC及被广泛应用的固态硬盘，主控芯片扮演相当重要的关键角色，其促使NAND闪存在不同应用下发挥极致效能。如在自动驾驶汽车存储领域，自动驾驶汽车需要安全可靠且响应迅速的解决方案，对存储器的性能、数据校正、可靠性、温度范围等均提出了更高需求。

吕国鼎：闪存控制芯片暨储存产业资源共享平台大联盟

图11：群联电子营销暨项目企划室项目经理  吕国鼎

长久以来，存储产业一直存在一个迷思，就是存储产业市场很大，殊不知，市场很大指的是闪存芯片（NAND Flash），而非闪存主控（NAND Controller）。在主控开发成本不断提升，而主控芯片售价却不断下降的状况，闪存主控难以获利的情况及趋势将愈来愈严重。

群联独特的营运模式，历经20年的产业洗礼，不断成长茁壮。群联也将透过最完整的闪存主控相关IP授权及ASIC设计服务，建构“闪存主控暨存储产业资源共享平台大联盟”，协助国内存储产业实践自主可控的中国芯大愿。

陈玠玮：2020年全球闪存产业发展趋势

图12：集邦咨询DRAMeXchange研究协理  陈玠玮

全球闪存产业位元产出量明年年成长为约30%，为近几年来相对低档的水平，原因在于闪存大厂除中国长江存储较积极投资外，其他竞争者对于资本支出都较以往来得保守，导致新产能增加有限；再加上明年又要转换新制程到更具挑战性的128L等级，良率提升速度也会比之前来得缓慢。

另一方面，因为2019年闪存市场ASP大跌40-50%，让闪存大厂由盈转亏，也是造成2020年扩张保守的主因之一。集邦咨询预估，明年闪存价格在供给面成长动能受限，以及需求端有机会回归正常表现下，将出现另一波涨势动能。

徐韶甫：晶圆代工工艺飞跃，高端制程坐7赶5追3

图13：集邦拓墣产业研究院分析师  徐韶甫

2019年在总体经济不稳定的影响下，全球半导体产业表现呈现衰退，晶圆代工产业更迎来罕见负成长。

而展望2020年，尽管市场氛围仍有不确定性，但受惠于5G、AI、车用等新兴终端应用需求的持续挹注，可望拉抬半导体产业逐渐脱离谷底；尤其在高端运算需求下，IC设计业者持续导入新一代矽智权，与最新制程技术结合，强化芯片效能与芯片客制化能力，提升了先进制程的采用率。

即便在2019年半导体景气低迷的情形下，7纳米节点的采用率仍获得大幅度的提升，也更加速7纳米EUV（极紫外光）与5纳米的量产商用，并连带推升市场对3纳米节点的信心，使先进制程研发的时程图更加明朗化，日后将持续提高先进制程在晶圆代工中的份额，并藉由先进制程工艺的跃进来扶持摩尔定律的延续。

结语：

本次峰会的议题分别从内存与闪存的市场供需态势、技术发展方向、应用领域趋势等方面，对半导体及存储产业未来发展趋势进行了全方位解读与剖析，助力存储产业链上下游企业把握商机，为行业人士献上了一场精彩纷呈的产业交流盛宴。

在演讲嘉宾的精彩分享及参会人士的积极支持下，本次峰会圆满落幕！集邦咨询未来仍将提供最新的产业数据与动态，继续为推动存储产业健康发展作贡献！

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