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2019年，存储行业呈现了不少机遇，也充满了挑战。一方面，5G、AI 等技术的发展，使得未来的智能生活场景有了较大的想象空间,移动、家庭、车载以及办公等各个领域对于memory的需求也在不断增加。

另一方面，国际贸易局势紧张，上半年NAND Flash、DRAM价格波动剧烈，市场终端需求在全球经济疲软的大环境下也表现的不温不火，中国市场一枝独秀，已成为全球最大的单一市场。

如今，存储芯片国产化已被提升到国家战略层面，面对如此情形，国产存储芯片究竟该如何发力？民族企业又该如何突围？越来越多的经验证明，想要在激烈的市场竞争中立于不败之地，就需要企业之间的交流合作、共赢创新。

战略合作签约 构建共赢格局 

11月20日下午，宏旺半导体股份有限公司（以下简称：宏旺半导体）与深圳衡宇芯片科技有限公司（以下简称：衡宇科技）的战略合作签约仪式在深圳龙珠维也纳酒店举行。

本次战略合作签约仪式以“携手同行、共创芯生”为主题，双方将通过嵌入式存储、SSD、TF/SD卡等存储类产品的合作，进行资源共享和优势互补，提升产品品质，积极参与并推动中国存储生态发展。

在签约仪式现场，宏旺半导体董事长李斌、衡宇科技董事长颜池男对本次签约合作发表了致辞。衡宇科技PM胡家铭、宏旺半导体PM严坤对当前行业、产品、技术优势进行了深入浅出地讲解。

集成电路产业发展历经多年，存储器一直都是半导体业基础性的大宗商品，市场需求量庞大。近年来，以云计算、大数据、人工智能为代表的新一代信息技术革命迅猛发展，引发了海量数据的增长，对存储器的需求更是不断增加。

数据显示，中国2018年存储器进口额预计达1000亿美元，超过全球出货的60%，中国已成为了全球存储产业中最为重要的市场。

宏旺半导体董事长 李斌

面对广阔的市场空间，宏旺半导体董事长李斌先生希望双方的协作深入拓展到存储类产品的各个细分领域，加强开放合作，共同做大产业、做大市场。同时，构建融合的产业生态，实现双方的生态共享、标准共建、渠道共推，从而带动产业繁荣发展。

衡宇科技董事长 颜池男

衡宇科技董事长颜池男先生也表示，存储芯片的市场规模十分巨大，约占半导体总体市场的三分之一，因此，发展存储芯片、加强战略合作都十分必要。

衡宇科技PM 胡家铭

在宏旺半导体PM严坤看来，企业要解决日益增长的存储需求，一是需要丰富完善的产品线，二是拥有专业的销售团队，三是能为客户提供极致的体验，四是寻找紧密的合作伙伴。而此次宏旺半导体与衡宇科技的合作，势必将会优化资源，为客户提供高品质的存储服务。

宏旺半导体PM 严坤

赋能存储市场 合力推动创新

衡宇科技是由闪存业界超过十多年经验的同仁组合而成，在短短数年内就开发出支持各家闪存原厂的全系列控制芯片，2019更发表了带有先进LDPC + AI 除错引擎的PCIe SSD和eMMC芯片来支持3D TLC和QLC内存。

衡宇科技在IC设计产业有多年经验，在存储控制芯片领域持续创新，并致力于将Flash领域的技术深植全球，为存储类产品的发展贡献一份自己的力量。

让用户随时随地、随心储存，一直是宏旺半导体所追求的。作为国产存储新势力，宏旺半导体始终坚持自主设计研发、封装测试等，坚持对品质的追求。经过十五年的探索和发展，宏旺半导体已拥有丰富的产品线、高品质产品、完备的售后和服务以及稳定的产能供应保障。

宏旺半导体目前已打造嵌入式存储、移动式存储、SSD、内存条四条产品线，覆盖eMMC/eMCP/DDR/LPDDR/UFS/UMCP/SLC/SSD/NAND-FlASH等多个产品，广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、电脑及周边、医疗、办公、汽车电子及工业控制等设备的各个领域。

在存储芯片国产化替代的道路上，宏旺半导体始终以“中国芯·宏旺梦”为愿景和使命，并且保持着自身的特色和优势。宏旺半导体研发团队占公司总人数的60%，并有独立的FW/HW 研发队伍，研发中心leader均来自国立清华大学、国立交通大学等知名院校，充分整合了两岸的行业资源和优秀人才。

在知识产权方面，截止目前，公司已申报获取了十多项知识产权，覆盖存储芯片多个产品线。

不积跬步，无以至千里。此次衡宇科技和ICMAX的强强联合，将势必推动产品和渠道的结合更加紧密，并产生质的变化。未来ICMAX还将和新伙伴衡宇科技一起，打造更多元化的存储类产品，利用双方强大的实力，让大家用到更加优质的存储产品，为存储芯片国产化替代发力！

为深入贯彻落实省委、省人民政府“一芯两带三区”布局和推进十大重点产业高质量发展的工作部署，近日，武汉市政府印发了《关于推进重点产业高质量发展的意见》（以下简称《发展意见》）。

《发展意见》提出，到2022年，全市重点产业主营业务收入达到17000亿元，同时确定了集成电路、光电子信息、数字、航空航天、智能制造及高端装备等八大重点产业。在集成电路、光电子信息等多领域掌握一批具有自主知识产权的关键核心技术，部分领域达到世界领先水平，形成核心竞争力。

集成电路产业

武汉依托国家存储器基地，重点发展存储芯片、光通信芯片和卫星导航芯片，形成以芯片设计为引领、芯片制造为核心、封装测试为配套的较为完整的集成电路产业链。到2022年，全市集成电路产业主营业务收入力争达到1000亿元以上。

芯片设计领域，围绕信息存储、光通信、显示、卫星导航、物联网、汽车电子等优势领域，强化集成电路设计、软件开发、系统集成与应用、内容与服务协同创新，加快核心芯片的设计、开发和产业化。

芯片制造领域，实现12英寸三维数据型闪存（3D—NANDFLASH）、代码型闪存（NORFLASH）存储器量产，积极推动现有12英寸生产线改造升级、产能扩张、规模发展；兼顾8英寸微机电系统（MEMS)工艺与其他特色半导体工艺生产线建设，提升先进生产制造工艺对集成电路设计的服务能力；实现三维集成特种工艺、先进存储器工艺技术突破；重点开发应用于数据通信、移动通信5G领域的25Gb/s速率以上的高速光电子芯片和器件，实现超过百万只的规模化应用。

封装测试与材料业，加快引进和大力发展芯片封装、测试等生产线建设，着力发展闪存（FLASH）、双倍速率同步动态随机存储器（DDR）、动态随机存取存储器（DRAM）先进测试技术和测试设备的产业化；加快发展硅片、封装胶等集成电路配套材料，加强引线框架、合金键合线等关键材料的研发与产业化。

在重点产业布局上，以武汉东湖新技术开发区、武汉临空港经济技术开发区为核心发展区，重点建设长江存储项目、国家先进存储产业创新中心、武汉光谷集成电路产业园，筹建长江芯片研究院，支持弘芯半导体项目进入国家窗口指导。

光电子信息产业

新一代信息技术。发挥光电子信息、5G等研发和产业化优势，重点培育光通信、新型显示与智能终端、5G、信息安全等细分领域的龙头企业，建成具有国际影响力的新一代信息产业基地。到2022年，全市新一代信息技术产业主营业务收入力争达到1200亿元以上。

人工智能方面，重点发展虹膜识别、指纹识别、人脸识别等生物识别领域的应用。大力发展自动驾驶、无人机试飞、智能家居等应用场景试点示范。有序发展深度学习、人机交互等技术的研发与应用。

智能终端方面，加快智能手机、平板电脑、智能电视、可穿戴装备等各类智能终端研发及产业化，发展新一代移动智能终端产品、可穿戴终端产品及智慧教育、智慧交通、智慧语音、智慧安防、智能家居等领域智能终端产品。拓展产品形态和相关应用服务，着力完善终端产品产业链，强化整机企业和芯片、器件、软件企业协同发展。

5G通信方面，加快突破5G核心芯片、高频器件和虚拟化平台等关键技术，加速产业化进程。推广应用互联网协议第六版（IPv6）、移动物联网（NB—IoT），建成工业互联网标识解析国家顶级节点（武汉）。加快推进5G基础设施建设，推动5G与各行业深度融合应用，构建跨领域多技术融合的创新生态环境。

在重点产业布局上，依托武汉东湖新技术开发区、武汉临空港经济技术开发区，建设国内一流的光通信技术研发基地、新型显示基地、光纤光缆生产基地。

半导体封测大厂南茂第4季业绩可望较第3季成长，毛利率可维持第3季水准，第4季存储器封测成长幅度可高于面板驱动IC封测，明年整体业绩表现可较今年好。

南茂董事长郑世杰昨天表示，第3季受惠NAND型快闪存储器（NAND Flash）新品封测成长，此外高毛利面板驱动与触控整合单芯片（TDDI）封测营收增加，带动整体毛利率表现，测试稼动率提升到75%，也改善第3季毛利率表现。

在有机发光二极管（OLED）面板驱动IC部分，郑世杰指出，相关玻璃覆晶封装（COG）和薄膜覆晶封装（COF）业绩虽然占比仅4%，不过预期OLED应用在智能手机可望持续成长。

展望第4季存储器封测，南茂表示，动态随机存取存储器（DRAM）客户消化库存，需求略增；NOR型快闪存储器客户需求逐渐增加；NAND型快闪存储器客户需求增加，新业务专案稳定成长。

在面板驱动IC封测部分，南茂指出，大尺寸面板应用在电视等库存水位较高，需求较为疲弱；小尺寸面板应用在智慧型手机需求强劲；TDDI持续在HD等级面板扩大采用；OLED产品规模逐渐成长。

郑世杰表示，产业状况改善、美中贸易摩擦缓和，加上新智能手机推出，尽管电视面板库存仍高、市场需求疲弱，不过预期第4季存储器成长幅度，可高于驱动IC，高端产品测试量增加，预估南茂第4季封测业绩可持续成长，当季订单审慎乐观。

法人问及第4季毛利率表现，郑世杰预期，第4季毛利率可与第3季相当。

展望明年，郑世杰预期存储器封测仍可持续成长，预估明年整体状况可较今年好。

在资本投资部分，郑世杰表示，南茂持续投资快闪存储器封测机台，由于OLED面板IC测试时间长，目前有规划增加投资，不过还没有付诸实现。南茂预期，今年全年资本支出约占整体营收比重约25%。

才与台积电进行专利诉讼官司和解，并签订10年交互授权协议的晶圆代工大厂格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，与IC设计厂SiFive正在合作研发将高频宽存储器（HBM2E）运用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解决方案，以扩展高性能DRAM。12LP+FinFET解决方案将提供2.5D封装设计服务，可加速人工智能（AI）应用上市时间。

格芯表示，为了实现资料密集AI训练应用的容量和频宽，系统设计师面临在同时保持合理的功率标准下，将更多的频宽压缩到较小区域的艰钜挑战。因此，格芯的12LP平台和12LP+解决方案，搭配SiFive的定制化高频宽存储器介面，能使高频宽存储器轻松整合到系统单芯片（SoC）解决方案，从而在运算和有线基础设施市场中，为AI应用提供快速、节能的数据处理。

另外，作为合作的一部分，设计人员还能使用SiFive的RISC-V IP产品组合和DesignShare IP生态系统，运用格芯12LP+设计技术协同优化（DTCO），大幅提高芯片的专门化，改善设计效率，在迅速又具成本效益的情况下提供差异化的SoC解决方案。

格芯进一步指出，旗下的12LP+是一款针对AI训练和推理应用的创新解决方案，为设计人员提供高速、低功耗的0.5Vmin SRAM存取单元，支持处理器与存储器之间快速、节能的数据传输。此外，用于2.5D封装的新中介层有助于将高频宽存储器与处理器整合在一起，以实现快速、节能的数据处理。

目前，格芯正在位于美国纽约州马尔他的8号晶圆厂，进行SiFive用于12LP和12LP+的HBM2E介面和客制IP解决方案的开发。客户将可在2020年上半年开始进行优化芯片设计，开发针对高性能计算和边缘AI应用的差异化解决方案。

存储器大厂南亚科4日公布2019年10月份营运状况，根据资料指出，受到存储器价格仍维持在低档情况的影响，南亚科10月份合并营收为45.22亿元（新台币，下同），较9月份减少9.58%，较2018年同期减少32.76%，为近4个月来的新低纪录。累计，2019年前10个月的营收为为431.34亿元，较2018年同期减少42.09%。

虽然自6月以来，南亚科单月营收已连续3个月拉高，7、8月旺季需求更是明显，但9月合并营收仅为50.01亿元，月减4.23%，动能可能正在消失。南亚科技总经理李培瑛日前坦承，虽然服务器DRAM需求开始有起色，出货量正在上扬，但总体市场仍然低迷，未来库存去化仍是重点。

李培瑛在之前在法会上表示，在这种市场价格下跌的情况之下，南亚科过去经常是陷入亏损的状态。目前南亚科还能维持获利状况，已非常难得。展望未来，因为2019年第3季销售远高于预期，将影响第4季位元销售将较第3季达到维持现况或小幅减少的状态。

而就第4季的整体情况分析，李培瑛指出，总体经济不确定性仍将持续。而在第3季旺季效应在出货量上扬，库存降低的情况下，加上云端服务器需求逐渐增加，手机新机搭载量成长，个人电脑出货量下半年优于上半年，消费型电子产品需求稳定，这使得预期第4季DRAM供需平稳，价格持平或小幅涨跌。

另外，李培瑛还强调，因为大厂的库存消化已达健康水位，且至少还有两家厂商酝酿价格反弹，加上2020年在厂商的资本支出方面又偏保守，预计2020年市况一定会反转，只是时间点仍待进一步观察。

近期，美光、三星、SK海力士、英特尔等多数存储厂商开始看好明年市场复苏前景，纷纷加大新技术工艺的推进力度，希望在新一轮市场竞争中占据有利地位。专家指出，随着云计算、人工智能对数据运算能力提出越来越严苛的要求，DRAM与NAND的存储能力正在成为瓶颈，开发新一代存储芯片将成为全球各大存储厂商角力焦点。

市场：多数存储厂商看好明年前景

在此情况下，美光、三星、SK海力士、英特尔等纷纷加大新技术工艺的推进力度，试图通过新旧世代的产品交替克服危机，并在新一轮市场竞争中占据有利地位。

技术升级一向是存储芯片公司间竞争的主要策略。半导体专家莫大康指出，存储芯片具有高度标准化的特性，且品种单一，较难实现产品的差异化。这导致各厂商需要集中在工艺技术和生产规模上比拼竞争力。因此，每当市场格局出现新旧转换，厂商往往打出技术牌，以期通过新旧世代产品的改变，提高产品密度，降低制造成本，取得竞争优势。

技术：3D堆叠vs工艺微缩

3D化是当前NAND闪存引领发展的主要趋势，各NAND闪存大厂都在3D 堆叠上加大研发力度，尽可能提升闪存的存储密度。三星的第一代3D V-NAND只有24层，第二代为32层，随后是48层……目前市场上的主流3D NAND产品为64层。今年8月三星电子再次宣布实现第六代超过100层的3D NAND 闪存量产。

美光科技也于近期宣布流片128层的3D NAND，并有望于2020年生产商用化的3D NAND。在近日召开的“Mircon Insight2019”技术大会上，美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，128层3D NAND如果被广泛使用，将大大降低产品每比特成本。

SK海力士于年初宣布将投资大约1.22万亿韩元用于存储芯片的开发和生产。SK海力士目前的主流3D NAND闪存为72层。SK海力士表示，下一代3D NAND堆叠层数将超过90层，再下一个阶段为128层，到了2021年会超过140层。

与NAND闪存不同，因为DRAM比较难堆叠芯片层数，所以制造商大多只能以减少电路间距的方式，提高性能效率。拉近电路距离的好处包含提高信号处理速度、降低工作电压，以及增加每个硅片的DRAM产量。这也是各大制造商展开纳米竞争的缘由。

据报道，SK海力士在成功开发第二代10纳米级工艺(1y nm)11个月后，近日再度取得新进展，成功开发出第三代10纳米级工艺(1z nm)的16G DDR4 DRAM。SK海力士 DRAM开发与业务主管Lee Jung-hoon表示：“1z nm DDR4 DRAM提供了业界最高的密度、速度和能效，使其成为高性能、高密度DRAM客户适应不断变化的需求的最佳选择。”10纳米级的DRAM制程分为1代(1x)、2代(1y)与3代(1z)。1z nm生产效率比前一代高出27%，SK海力士将于明年开始量产并全面交付。

除SK海力士外，三星电子、美光也已成功实施1z工程。三星电子于3月完成1z DRAM的开发，并从9月开始量产。而且三星电子还表示将于今年年底前引入极紫外光(EUV)光刻技术。美光也在今年8月宣布开发1z工艺的16Gb DDR4。目前，美光已经开始量产1z nm的16Gb DDR4，密度更高，功耗降低了40%。

焦点：新一代存储芯片开始量产

云计算与人工智能对数据的运算能力提出越来越严苛的要求，DRAM与NAND的存储能力正在成为瓶颈，越来越多的新一代存储芯片被开发出来。因此，新一代存储芯片的布局与开发也成为各大存储公司角力的焦点。

“Mircon Insight2019”技术大会上，美光科技正式宣布推出了基于3D XPoint技术的超高速SSD硬盘X100。这是美光产品系列中首款面向数据中心的存储和内存密集型应用程序的解决方案，利用新一代3D XPoint存储技术，在内存到存储的层次结构中引入新的层级，具有比DRAM更大的容量和更好的持久性，以及比NAND更高的耐用度和更强性能。

美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 表示：“美光是全球为数不多的DRAM、NAND和 3D XPoint解决方案垂直整合提供商，该产品将继续推动我们的产品组合向更高价值的解决方案发展，从而加速人工智能能力发展、推动更快的数据分析，并为客户创造新的价值。”

三星则重点发展新一代存储技术MRAM。今年年初，三星宣布量产首款可商用的eMRAM产品。三星计划年内开始生产1G容量的eMRAM测试芯片，采用基于FD-SOI的28nm工艺。

三星代工市场副总裁Ryan Lee表示：“在克服新材料的复杂挑战后，我们推出了嵌入式非易失性存储器eMRAM技术，并通过eMRAM与现有成熟的逻辑技术相结合，三星晶圆代工继续扩大新兴的非易失存储器工艺产品组合，以满足客户和市场需求。”

台积电同样重视下一代存储器的开发。2017年台积电技术长孙元成首次透露，台积电已开始研发eMRAM和eRRAM，采用22nm制程。这是台积电应对物联网、移动设备、高速运算电脑和智能汽车等四领域所提供效能更快速和耗电更低的新存储器。

台积电共同执行长刘德音日前在接受媒体采访时表示，台积电不排除收购一家存储器芯片公司，再次表达了对下一代存储技术的兴趣。

中国：争当与产业共进“贡献者”

目前，中国半导体厂商也在积极发展存储芯片事业。考虑到国际存储大厂仍在不断垒高技术门槛，中国的存储事业仍有很长一段路要走，技术与创新将是成败的关键。

对此，莫大康曾经指出，考虑到整个产业形势，在未来相当长的一段时间内，中国存储产业必须是一个踏踏实实的“跟随者”与“学习者”，同样又要争当一个与产业共同进步的“贡献者”。

2018年，长江存储在FMS(闪存技术峰会)上首次公开了自主研发的Xtacking架构，荣获当年“Best of Show”奖项。它可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。

今年9月，长江存储宣布量产采用Xtacking架构的64层3D NAND。长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：“通过将Xtacking架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”长江存储还宣布正在开发下一代Xtacking2.0技术，Xtacking 2.0将进一步提升NAND的吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新商业模式等。

今年9月，合肥长鑫在2019世界制造业大会上，宣布DRAM内存芯片投产。合肥长鑫现场展示了8Gb DDR4芯片，采用19nm(1x)工艺生产，和国际主流DRAM工艺基本保持同步。长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示，8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

不过，中国存储芯片产业仍然处于刚起步阶段。根据集邦咨询的评估，2020年中国存储产量只相当于全球产能的3%。要想发展壮大，在国际市场中发挥影响力，自立自强始终是企业成败的关键。

三星电子31日发布的最新财报显示，由于芯片价格持续下跌，第三季度营运利润同比下降近56%，不过仍略优于市场预期。

三星第三季度营收为62万亿韩元，营业利润为7.78万亿韩元，同比下降近56%，营业利润率为12.5%。净利6.29万亿韩元，同比减少52.3%。这已是连续第4个季度，三星获利同比下滑，但仍优于此前市场预估的5.8万亿韩元。

且三星认为，接下来的第四季存储器芯片需求将比第三季回温，2020年也将稳健，预期第四季仍能实现低个位数成长。

（Source：三星）

目前最受关注的还是智能手机和资料中心所使用的存储器行情，也是三星主要获利来源。三星对此相当乐观的表示，由于5G技术的发展，存储器需求将会持续扩展，明年将会触底反弹。且目前旗舰机Galaxy Note 10的出货强劲，也带来更好的盈利能力，其行动部门的收入成长近17.4%。

值得一提的是，证券分析师指出，这是受益于美国华为禁售令，三星将因华为禁售令而在除中国大陆外的5G手机竞争中获胜。还有IBK证券近期也有分析师报告提到，预计到明年第三季DRAM价格将开始复苏，其中服务器芯片需求将会大幅增加，且认为折叠屏幕手机未来也将成为一个新亮点。

但《彭博社》的研究则没有那么看好，尽管市场似乎对存储器态度转趋乐观，但三星至明年初营利还是会持续下滑。简单来讲，尽管明年三星可望改善中小尺寸显示器的产能利用率，但竞争也会更加剧烈，甚至可能在第四季就将恶化，而同样手机出货预估也会下修，零组件需求将受到季节因素影响而趋软。

（Source：三星）

三星自身其实也表示，今年资本支出与去年差不多，不过受到行销费用增加影响，获利并不是很稳定，其强调，在大环境风险高的情况下，仍谨慎看待2020年。

还有需注意的是，在晶圆代工方面，三星表示，今年第四季将开始大量生产EUV 7纳米产品，EUV 5纳米即将流片，已获得新订单，并将建立4纳米设计的基础设施。三星强调，将藉由扩大新兴科技应用订单来加速其客户多元化，并致力完成GAA 3纳米制程的开发。