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根据韩国媒体报导，在当前存储器价格已经触底反弹，整体市场库水水位也进一步降低的情况之下，三星决定开始恢复针对存储器产业的投资。而根据知情人士的消息指出，三星最近为韩国P2晶圆厂订购了DRAM设备，也为在中国大陆西安的X2晶圆厂订购了NAND Flash快闪存储器设备，显示已经逐渐又恢复存储器市场的布局。而这样的状态下，未来可能将冲击中国台湾存储器厂商的营运状况。

根据韩媒的报导、在近期存储器价格逐渐回温，加上大陆存储器厂积极发展的情况之下，三星决心开始投资存储器产业。三星在2019年第3季预计将投资10.1万亿韩元(约84亿美元)的金额用于研发，创下该公司的历史新高纪录。

但是，其相关资本支出只有10.7万亿韩元，则是史上新低纪录。而为了能恢复之前的高峰期状况，知情人士指出，三星最近为韩国P2晶圆厂订购了DRAM设备，也为在西安的X2晶圆厂订购了NAND Flash快闪存储器设备，显示已经逐渐又恢复存储器市场的布局。

报导进一步指出，三星开始为韩国平泽厂和大陆西安厂下单采购设备，包括为韩国P2厂采购DRAM设备，先规划2020年第1季每月新增约1万片产能。并添购西安的X2晶圆厂的NAND Flash快闪存储器机台，预计每月新增2万片产能。除此之外，也正在讨论X2晶圆厂追加采购规模4万片晶圆的设施。

事实上，对于三星的扩产，市场目前呈现看法两极的态势。乐观者认为，如此显示三星的库存压力已经解除，显示存储器有机会反弹回升。

而悲观者认为，在存储器尚未出现明显反弹讯号前，三星的大幅度扩产是否会冲击才刚脆弱回温的存储器价格表现，则令人担忧。另外，三星在存储器的产能居全球之牛耳，这一扩产行动的发布，有可能冲击目前状况并不是太好的台系存储器厂商。

对此，根据市场人士指出，在10月份的合约价格议定大多已经议定完成，合约价格跌幅不超过5%的情况下，交易量较第3季的首月进一步放大。不过，在动能表现不足状况下，部份供货商价格较显松软，谈价间相对较大。因此，低价部位仍有些许成交，最终交易情况仍显疲弱。

因此，虽然在供给端的危机化解以后，现货价格开始产生连续下跌的走势，由7月底至今跌幅已经超过22%，并且10月中旬正式跌破起涨前的新低点。但从当前的现货与合约市场做观察，其实合约价格已经走稳，10月份的合约价均价跌幅仅不到4.5%。

反观现货市场，除了要消化先前不应该存在的涨幅外，近来DRAM供应商龙头三星半导体陆续释出先前1Xnm因品质异常遭服务器端客户退货的DDR4模组，而这些除了一部分以低价释放到服务器合约市场外，一部分也改为PC DRAM产品销往现货，使得现在现货价格走势格外疲弱。

因此，针对三星的扩产是否造成台厂的冲击，市场人士指出，毕竟目前整体的DRAM市况仍处于供过于求，第4季的目标并非价格止跌反弹，而在有效的消化韩系厂商偏高的库存。只要合约价格走势平稳，需求端也未见重大下修，那当前的现货价格走势就不需要被过度解读。所以，三星扩产这对于整体市场的冲击，目前看来还是有些距离。

之前，在半导体市况好的时候，韩国三星在中国陕西省西安市和韩国京畿道平泽市所扩增的半导体生产线，如今面临了在存储器市场价格跌价的情况下，何时进一步启动运作的大问题。因为三星一但启动新的产线，则将对目前好不容易有复苏迹象的半导体市场再进行一次重击，使得市场重回供过于求，价格下跌的困境。但是，面对竞争对手开始进行增产的计划，三星也怕可能失去市场占有率。因此，这样问题让三星目前陷入两难的困扰中。

根据韩国媒体《BusinessKorea》的报导，原本三星预计在2019年藉由更新生产设备，使得DRAM的生产由1x纳米制程提升至1y纳米制程，来进一步调整DRAM的产能，达到以量制价恢复市场价格的目标，使整个半导体产业能重回成长的行列。但是，根据最新的报价显示，截至2019年9月底，DRAM（DDR4 8Gb）和NAND Flash快闪存储器（128Gb MLC）的价格分别为2.94美元和4.11美元，已经连续2个月没有变化，这使得三星开始考虑，是否真的要让新产能进行启动。

报导指出，事实上在2019年第2季财报公布后，三星的竞争对手包括SK海力士，东芝及美光等厂商宣布降低DRAM和NAND Flash快闪存储器的产能。而这样的降低产能计划，虽然让半导体的供应量减少，但是却使得厂商能藉由调整供过于求的情况，来达到缓和存储器价格下跌的目标。

但是，这样的情况到了2020年可能将会变得更加困难。原因是三星在中国西安的第2家工厂和平泽的第2家工厂预计将开始大规模生产存储器，如此一来存储器价格的再度下跌将是不可避免的事情。因此，出于这种担忧，三星表示目前尚未决定何时让新产线正式运作，或者是生产那种产品。

报导进一步表示，根据市场人士的推测，三星位在中国西安的第2家工厂将像第1家工厂一样进行NAND Flash快闪存储器的生产。原因是NAND Flash快闪存储器价格在2019年上半年的下滑已经到了价格平衡点（BEP），这使得三星西安的第2家工厂有可能被用作NAND Flash快闪存储器的生产基地，以供应需求量很大的中国市场。不过，这样的说法已经遭到了三星的否认，并且表示目前尚未进行任何的决定。

另外，近期竞争对手的举动加剧了三星的担忧。因为全球第三大DRAM制造商美光(Micron)在上个月的财报会议中指出，由于2020年DRAM的需求预计将成长18%至20%，因此美光将相应的增加DRAM的供应，并宣布了其扩产计划。虽然，凭藉其在技术和生产能力方面的竞争优势，三星可以轻易的打败竞争对手。但是，考虑到该产业最近的全球形势，这依旧是非常冒险的。

尽管由于5G普及，让人们对存储器市场的另一个超级循环周期有所其期待。但是，因为苹果要到2020年下半年才发布5G iPhone，这使得2020年对存储器的需求预计将受到一些限制。再加上近来服务器市场对DRAM的大量需求，在最近几年中的确大幅度地推动了三星在市场中的出色表现。但是，未来的云端运算服务着重的是软件的优化，而不是增加购买存储器，因此需求几乎不可能反弹。

最后，该报导指出，由于三星在平泽的第二家工厂投资了30万亿韩元，可以开发基于EUV技术的DRAM生产，并且扩大晶圆代工方面的产能。因此，在该工厂建成后，该公司将根据市场情况弹性应用。市场人士也指出，目前存储器的生产芯片需要考虑的因素很多，除设厂状况之外，还包括美中贸易摩擦的后续，甚至是2020年美国总统大选的结果等。因此，现阶段要厂商做出是否启动新产线的决定并不容易。

9月23日，北京兆易创新科技股份有限公司（以下简称“兆易创新”）在股票交易异常波动公告中表示，拟定增43亿元，筹划DRAM芯片自研及产业化项目。如今，此次非公开发行A股相关事项已经获得兆易创新第三届董事会第八次会议审议通过，但尚需公司股东大会审议批准及中国证监会核准。

10月1日，兆易创新发布非公开发行A股股票预案公告。公告指出，本次非公开发行A股股票的发行对象为不超过10名特定投资者，发行的股票数量不超过本次发行前公司股份总数的20%，即不超过64,224,315股（含本数）。

预案显示，兆易创新本次发行募集资金总额（含发行费用）不超过人民币432,402.36万元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额将用于DRAM芯片研发及产业化项目及补充流动资金。

其中，DRAM芯片研发及产业化项目计划投资39.92亿元，拟投入募集资金33.24亿元。兆易创新拟通过本项目，研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本项目的成功实施，有助于公司丰富自身产品线，有效整合产业资源，巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。

资料显示，兆易创新自2005年设立并进入闪存芯片设计行业，通过技术开拓、业务并购，目前已成为中国大陆最为领先的芯片设计企业之一，主营业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品、传感器模块的研发、技术支持和销售。

兆易创新指出，通过本次非公开发行，公司将以募集资金投入DRAM芯片的研发及产业化，积极推进产业整合，加快业务发展，拓展战略布局。本次非公开发行是公司打造国内领先存储器厂商、全球领先芯片设计公司的关键战略，发行完成后，公司在存储器领域将成为覆盖Flash、DRAM的领军企业。

上述项目的实施能够丰富公司的产品结构，深入公司在存储器行业的布局，成为国内高端通用存储器领域领军企业，并能够在公司业务不断爬升、日益发展壮大的过程中补充营运资金。

DRAM作为集成电路领域通用芯片，产品标准化，非常适宜于迅速扩张，本次非公开发行完成及募集资金投资项目实施完毕后，公司在存储器领域的产品结构将得到进一步丰富，在NOR Flash、NAND Flash基础上切入DRAM存储芯片。项目完成后，兆易创新将掌握DRAM技术、具备DRAM产品设计能力。

DRAM 大厂南亚科本周将公告 9 月与第 3 季营收，由于第 3 季旺季效应优于预期，南亚科已上调位元销售量季增幅至逾 25%，外资看好，南亚科 9 月营收将较 8 月持续走扬，第 3 季营收上看 150 亿（新台币，下同）。

南亚科 7、8 月营收共达 97.98 亿元，其中，8 月受惠旺季需求增温，销售量月增 7-9%，使营收月增 14%，达 52.22 亿元，创近 9 个月高点，也因 DRAM 供需逐步平稳，南亚科 9 月初时，上调第 3 季位元销售量季增幅度，由 14-16% 上调至逾 25%。

不过，美系外资指出，从通路消息来看，中国市场新笔电与智能型手机订单动能强，南亚科第 3 季位元销售量表现可望更强劲，季增幅上看 3 成，预估南亚科 9 月营收将较 8 月进一步攀扬，第 3 季单季营收上看 150 亿元，每股纯益估将超过 0.9 元，稍优于第 2 季表现。

南亚科总经理李培瑛日前也说，第 3 季旺季效应优于预期，包括服务器、PC、消费型电子终端产品及手机等各应用领域，需求均相当不错，第 4 季需求也可望与第 3 季持平，对后市营运乐观看待，并看好第 4 季 DRAM 合约价有机会较第 3 季反弹走强。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，八月DRAM合约价与前月持平，DDR4 8GB均价来到25.5美元，而九月合约价格虽然仍在议定当中，但继续持平的可能性高。

从市场面来观察，随着日本政府批准关键半导体原料出口，七月开始的日韩贸易问题已正式落幕。但期间OEM客户受不确定因素与预期心理影响，已纷纷拉高备货库存，使得DRAM原厂的高库存水位逐步下降，并往正常水位迈进。

此外，第三季适逢传统旺季，再加上美国将在12月初开始对部分中国出口的电子产品课征关税，也产生提前出货的效应，需求力道超过预期，这让DRAM原厂在价格议定时态度更为坚定，亦让整体第三季价格扭转原先的跌势，转为持平。

原厂调整资本支出以稳固获利，明年DRAM产出增幅创十年新低

展望2020年，由于三大DRAM原厂仍以获利为导向，资本支出预估将较今年减少至少10%，明年的产出年成长亦是近十年来新低，仅12.5%，为价格反弹奠定一定的基础。

集邦咨询调查显示，DRAM原厂的扩厂计划转趋保守，如三星的平泽二厂已经接近完工，但最快要到2020年第二季才会进入商转，且新增的设备仅是支持未来1Znm制程的转进，整体投片量将与今年大致相同。

SK海力士最新M16工厂最快明年下半年完工，产出增加最快要等到2021年，加上旧工厂M10逐步转做代工，预估明年整体DRAM投片量将不增反减。

美光今年在广岛厂旁增设的F栋工厂，也是为了支援1Znm制程转进，整体广岛厂产能并无增加。而台湾美光内存目前正在兴建的A3新厂，初期也是支援1Znm制程转进，短期增产机会并不大。但A3厂基地面积不小，未来还是有新增产能的可能。

明年中国DRAM投片占全球不到3%，对产业长期影响仍待观察

中国目前有两个DRAM生产基地，规模较大的合肥长鑫存储(CXMT)已经初步投产，初期产品以DDR4 8Gb为主，明年上半年将会有LPDDR4 8Gb的产品，持续往量产迈进，但预计要到2021年，产能才有机会达到满载的100K甚至以上。

福建晋华(JHICC)虽然受到美国禁令影响，美系设备无法有工程人员驻厂维护，但内部仍尝试自行将参数调整至最佳化，预计明年投片有10K之内的水平。

因此集邦咨询预估，2020年中国DRAM投片量占全球投片量的比重低于3%，自主生产成果仍有限。展望未来，中国内存产业仍需克服良率、机台建置以及IP相关限制等挑战，对整体DRAM供给产生明显冲击的确切时间点，仍需持续观察。

展望2020年，全球存储市场产能、价格又将出现哪些变化？存储产业又将迎来哪些新的机遇与挑战？

为了更快更好地推动存储市场发展，增强业界对2020年存储产业的深入了解，促进产业上下游交流与互动，由集邦咨询旗下DRAMeXchange主办的“2020存储产业趋势峰会”将于2019年11月27日在深圳举办。