标签：DRAM

2019年9月19日、9月20日、9月23日，北京兆易创新科技股份有限公司（以下简称“兆易创新”）股票交易连续三个交易日内收盘价格涨幅偏离值累计超过20%，根据《上海证券交易所交易规则》的有关规定，属于股票交易异常波动情形。

对此，兆易创新9月23日发布公告称，经公司自查，公司拟筹划非公开发行股份事项，募集资金总额约43亿元，主要用于公司DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金。本次非公开发行的发行对象为不超过10名特定投资者，发行方式为竞价发行。

公告同时指出，经向公司控股股东及实际控制人朱一明先生书面征询核实：截至公告披露日，公司控股股东、实际控制人不存在影响公司股票交易价格异常波动的重大事宜；控股股东、实际控制人不存在涉及公司应披露而未披露的重大信息，包括但不限于重大资产重组、发行股份、上市公司收购、债务重组、业务重组、资产剥离和资产注入等重大事项。

目前，兆易创新接到较多投资者有关合肥12英寸晶圆存储器研发项目的咨询。兆易创新与合肥市产业投资控股（集团）有限公司（以下简称“合肥产投”）于2017年10月26日签署《关于存储器研发项目之合作协议》（以下简称“《合作协议》”），约定合作开展12英寸晶圆存储器研发项目，该项目预算约为180亿元人民币，兆易创新负责筹集约36亿元。

2019年4月26日，兆易创新与合肥产投、合肥长鑫集成电路有限责任公司（以下简称“合肥长鑫”）签署《可转股债权投资协议》，以可转股债权方式对本项目投资3亿元，履行《合作协议》中约定的部分筹资义务。目前上述3亿元可转股债权尚未转股，兆易创新对该项目尚无其他出资。

兆易创新指出，公司正在筹划的用于DRAM芯片自主研发及产业化项目的非公开发行股份募集资金与本项目投资无关。目前，公司未收到合肥产投关于收购其在本项目权益的要求，公司也无收购合肥产投在12英寸晶圆存储器研发项目权益的规划。兆易创新与合肥长鑫等项目实施主体以各自独立发展模式运营。在业务合作上，兆易创新与合肥长鑫等项目实施主体将按照市场化方式合作。

值得注意的是，兆易创新提醒，公司非公开发行股份事项尚处于筹划阶段，本次非公开发行股份方案尚未经公司董事会、股东大会审议，本次发行后续也需获得中国证监会的核准。上述事项能否获得相关批准或核准，以及获得相关批准或核准的时间，均存在不确定性。而公司按照《可转股债权投资协议》以可转股债权方式对本项目投资3亿元，也因为不确定因素影响，存在可转股借款无法在约定期限内转为项目公司股权的风险。

此外，兆易创新在合肥12英寸晶圆存储器研发项目的后续筹资规模及投入方案尚未最终确定。该项目运营过程中，因研发进度、市场环境、宏观政策等因素影响，项目进展存在不确定性。

9月21日，在2019世界制造业大会上，合肥市政府与长鑫存储技术有限公司、华侨城集团有限公司、北方华创科技集团股份有限公司等举行了合肥长鑫集成电路制造基地项目签约仪式，该项目主要围绕长鑫存储项目布局上下游产业链配套，提供生活服务设施，致力于打造产城融合国家存储产业基地、世界一流的存储产业集群。

据了解，合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元，选址位于合肥空港经济示范区，占地面积月15.2平方公里，由长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目、空港集成电路配套产业园和合肥空港国际小镇三个片区组成。

其中长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资1500亿元，是安徽省单体投资最大的工业项目；空港集成电路配套产业园总投资超过200亿元，位于长鑫存储项目以西；合肥空港国际小镇总投资约500亿元，规划面积9.2平方公里，总建筑面积420万平方米，位于长鑫存储项目以北。

值得注意的是，据新华网报道，就在签约的前一天（9月20日），长鑫存储内存芯片自主制造项目正式宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。而长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明也表示，投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

合肥长鑫集成电路制造基地全部建成后，预计可形成产值规模超2000亿元，集聚上下游龙头企业超200家，吸引各类人才超20万人。

安徽日报指出，长鑫晶圆项目由合肥市产业投资(控股)集团有限公司和北京兆易创新科技股份有限公司合作投资，长鑫存储负责管理和运营，是中国大陆唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的DRAM项目。该项目建设3座12英寸DRAM存储器晶圆工厂，打造研发、生产、销售于一体的存储器芯片国产化生产基地，预计三期满产后，产能达每月36万片。

20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。

该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。目前，项目已通过层层评审，并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

国家重大专项01专项专家组组长、清华大学微电子所所长魏少军，国家重大专项01专项专家组专家、中国科学技术大学特聘教授陈军宁等业内权威专家表示，这标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。

DRAM即动态随机存取存储器，是芯片产业中产值占比最大的单一品类。2018年，中国芯片进口额超过3000亿美元，这个单一品类就占到了其中的两成以上。其作为最常见的内存芯片，被喻为连接中央处理器的“数据高速公路”，广泛应用于高性能计算、工业设备、消费电子等电子产品之中。

据魏少军等专家介绍，我国虽是该芯片的最大应用市场，此前却始终未能出现实现量产的国产项目，没有掌握自主产能。

长鑫存储投产的产品是现在全球市场上的主流产品。“投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。”大会现场，长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明手持一颗指甲盖大小的芯片说。

昨日，长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。作为中国DRAM产业的领导者，长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变，用自主研发的DRAM技术和专利，引领中国实现DRAM零的突破。

DRAM技术的发展现状
 
平尔萱博士表示，我们现在所处的数据社会是在IC的支撑下建立起来的，其中冯诺依曼架构则是这些数据计算的基础。这个架构的一个特点是数据存储在存储器DRAM中，CPU以一定的规则获取存储器中的数据，并进行运算，然后将结果通过外围设备，比如显示器呈现出来。

“随着数据量的增加，处理数据的能力要加强，因此需要强大的CPU，同时存储器的数据容量也要增强，并且读写速度也要增加。因此近来对DRAM的要求也必须持续提高。DRAM的前景是十分看好”，平尔萱博士强调。IBS首席执行官 Handel Jones日前在上海出席一场技术论坛时也表示，DRAM将于2020年迎来复苏，增长9.87%，这也从侧面印证了平博士的观点。

平博士介绍，所谓DRAM，是基于电容存储电荷为原理的紧密铺排的阵列。这个阵列通过一系列外围电路管理从而读写里面存储的数据。自上世纪60年代发明以来，DRAM容量和尺寸获得了飞速的发展。与过往相比，今天，一个面积小于指甲盖的DRAM里可容纳80亿存储单元，按照8个存储单元存储一个字母，那就意味着一个芯片可能存8亿个字母。并且这些数据可以以6Gb/sec 的速度，在几秒内完成读写。而在这些改变背后，是DRAM技术多次“进化”的结果。

从平博士的介绍我们得知，DRAM技术在发明之后的几十年里，经历了从早期简单的平面结构，变化成为了向空间争取表面积的沟槽式电容及堆叠式电容的架构。这主要与容量的提升需求和制造方法的局限性有关。

平博士解释道，早期的DRAM芯片，由于线宽比较大，因此有足够的平面面积可制造出足够的电容值。然而随着线宽的减少，表面积逐渐减少，过往的技术不能满足所需电容值，因此DRAM开始走向空间结构，争取更多的表面积，演变出向上和向下两种技术发展路线，并且共存了接近三十年。而最终以堆叠式架构胜出。

“造成这个结局的一个重要原因是沟槽式架构面临几个技术难点：其一是沟槽式只限于单面表面积，堆叠式可用双面表面积，沟槽式架构很快就达到了刻蚀深宽比极限；其二是高介质材料的应用受到沟槽式中高温制程的限制。传统材料SiO ，Al2O3可以在高温下有低漏电的特性，因此比较适合沟槽式架构，但像HfO，ZrO这些高介解常数材料漏电在高于600℃的温度下增加许多，不能用于沟槽式架构中需高温处理的三极管制造中。”

平博士还提到，在DRAM技术的演进过程中，曾经的DRAM巨头奇梦达提出的埋入式电栅三极管概念也给整个产业带来巨大的贡献。他表示，这个技术同样是利用空间，将三极管的性能提升，这种提升随着线宽的减少越来越被需要。而近代DRAM产品都沿用这个概念。

“回看堆叠式架构的发展历史以及展望将来的发展趋势就可以发现，现在DRAM沿用密集排布电容及埋入式字线三极管，乃至今后3-5代DRAM”，平博士说。

DRAM未来的发展探索

在谈到DRAM技术未来的发展时，平博士首先强调，DRAM是有它的极限的。我们通过改进，可以将极限推迟。如导入EUV及HKMG三极管以缩小线宽及加强外围电路性能，就是DRAM产业的一个选择，这在未来几年将可以维持DRAM技术发展，满足大数据时代的需求。

首先在EUV方面，平博士指出，EUV是继193纳米 Immersion Scanner后又一个光刻机革命。它可满足工艺精准度在持续微缩中不断增加的要求。而DRAM又是一个十分密集堆叠的设计，且对信号要求十分严格，任何小的偏离都会对信号造成损失。那就意味着EUV技术的出现对DRAM技术的延展有很大的作用：如将线宽进一步减少以增加存储密度。

“EUV主要是针对阵列。但外围线路的增强及微缩也是近来DRAM技术发展的另一个机会”，平博士补充说。

他表示，在DRAM几乎一半的外围线路中，有一半是逻辑线路用的。在过往，这部分的CMOS一直都是用传统的SiON/Poly Si Gate堆栈的。但这个堆栈在32/28纳米阶段碰到了瓶颈：一方面是SiON厚度已到极限，不能再薄了；另一方面，Poly Si作为半导体材料，导电率也不足了，出现了严重的元器件性能不足。如在高端的图显DDR中，芯片性能速度明显不足，这就需要引进更先进的HKMG CMOS提供更好性能。随着DDR5的到来，HKMG CMOS的使用会越来越现实。

“由于DRAM制程中有电容这一段，因此HGMG制程的选择需与电容制程匹配。所谓的Gate First制程就可被选择为DRAM逻辑线路CMOS制程”，平博士说。他进一步表示，通过引入HKMG，不但可以推动存储密度进一步提高，接口速度也同步获得了提升。

“为了继续发展DRAM技术，我们还需要在新材料、新架构上进行更多探索，并与相关企业进行合作”，平博士说。他最后指出，回顾过去几十年的DRAM发展，证明IDM是发展DRAM的必然选择，而这正是长鑫存储从一开始建立就坚持的。

从平博士的介绍中我们可以看到，基于授权所得的奇梦达相关技术和从全球招揽的极具丰富经验的人才，长鑫存储借助先进的机台已经把原本奇梦达的46纳米 DRAM平稳推进到了10纳米级别。公司目前也已然开始了在EUV、HKMG和GAA等目前还没有在DRAM上实现的新技术探索。

正如前面所述，这些技术将会给DRAM带来一个巨大的提升。这也会让长鑫存储有机会从一个技术追随者转变为一个技术并驾齐驱、甚至全球领先的中国DRAM玩家

力晶科技成功转型晶圆代工厂，上市计划备受市场关注。力晶昨（18）日表示，现阶段仍以2021年重新上市为目标，并追求获利。

力晶董事长黄崇仁昨（18）天强调，在AI和5G的世代，力晶掌握存储器、逻辑和多元化整合制程技术，已经在AI的领域上贡献了第一步，期许整个产业可以共同努力。

力晶先前因受DRAM市况崩跌导致净值转负、股票下柜，公司转型晶圆代工，截至去年连续六年大赚。不过，今年受美中贸易摩擦、存储器价格下滑等因素影响，上半年合并营收167.57亿元（新台币，下同）、年减36.4%；本业与业外都出现亏损，税后净损26.88亿元，不如去年同期的获利52.12亿元，上半年每股净损0.85元。

力晶表示，上半年除了受美中贸易摩擦冲击和存储器价格下滑影响，还有转投资的合肥晶合亏损等多重因素拖累，导致业绩下滑。不过，近期存储器价格止跌回稳，预期下半年表现将优于上半年，

针对市场关注的重新挂牌计划，力晶表示，仍维持原先的目标，预计在2021年重返上市，目前先想办法将业绩做好，进行打底的动作，强调虽然现在不直接受存储器产业的循环，但是DRAM代工占总产能五成，客户仍受景气循环影响，因此，如何持续获利，将是上市前的首要目标。

DRAM大厂南亚科董事长吴嘉昭认为，明年第2季起，DRAM市场就会供需平衡，且若市场未有大量新产能开出，下半年DRAM可望再度供不应求。

吴嘉昭认为，从产能与需求分析来看，明年第1季DRAM市场仍将供过于求，但因各厂节制生产，价格可望持稳，他预估，第2季供需就会进入平衡，若各厂均未大量扩建产能，下半年DRAM市场可望再回到供不应求的情况。

由于DRAM供需逐步平稳，南亚科日前上调本季位元销售量季增幅度，由14-16%上调至逾25%。南亚科总经理李培瑛日前也说，第3季旺季效应显现，且较原先预期稍微好一些，目前包括伺服器、PC、消费型电子终端产品及手机等DRAM应用领域，市场需求均相当不错。

展望第4季，李培瑛指出，虽然第3季为传统旺季，但目前看来，第4季需求还算好，可望持平第3季，对第4季营运乐观看待。

受惠DRAM及NAND Flash合约价在7月底与8月底分别落底反弹，存储器模组厂威刚科技营运持续升温，8月合并营收较7月成长14.04%，达新台币23.52亿元。

威刚表示，虽然近期DRAM现货价回跌，但预期下跌幅度有限，DRAM及NAND Flash在2019年价格最低的时机已过。伴随着国际贸易纷争未解、传统新品上市备货需求，以及资料中心布建5G应用需求逐步启动，如同先前预期，公司不仅第3季业绩将逐月走高，整体营运向上成长波段更有机会迎接至第四季的存储器补货潮。

威刚进一步表示，由于NAND Flash历经价格修正时间较长，此波价格触底反弹的时间点相较DRAM来得早，反弹幅度也比DRAM明显，因此客户补货态势积极。

8月包括固态硬盘(SSD)、记忆卡及随身碟等NAND Flash产品营收均创今年单月高点，SSD产品营收攀升至新台币7.37亿元，更为2016年12月以来新高，占整体营收比重达31.35%。

整体而言，威刚8月DRAM产品占整体营收比重41.73%，非DRAM产品占整体营收比重58.27%。

DRAM大厂南亚科总经理李培瑛昨(5)日表示，第3季旺季效应优于预期，各应用领域需求均相当不错，第4季需求也可望与第3季持平，对第4季营运乐观看待，并看好第4季DRAM合约价有机会较第3季反弹走强。

由于DRAM供需逐步平稳，南亚科日前上调本季位元销售量季增幅度，由14-16%上调至逾25%。李培瑛5日表示，第3季旺季效应显现，且较原先预期稍微好一些，目前包括服务器、PC、消费型电子终端产品及手机等DRAM应用领域，市场需求均相当不错。

展望第4季，李培瑛指出，虽然第3季为传统旺季，但目前看来，第4季需求还算好，盼能与第3季持平，对第4季营运乐观看待。他并认为，第4季DRAM合约价有机会较第3季反弹走强。

对于美中贸易摩擦，李培瑛认为，贸易摩擦持续影响整体经济，双方何时能完成协商，还很难说，预期整体经济保守情况将会持续。不过，从DRAM产业来看，重点仍在市场供需，自贸易摩擦开打以来已历经逾1年时间，DRAM原厂会有因应动作，可望使DRAM产业市况渐趋稳定。