Q2中芯国际营收环比增长18% 14nm风险量产年底贡献营收

Q2中芯国际营收环比增长18% 14nm风险量产年底贡献营收

中芯国际8月8日晚发布2019年二季度财报,二季度公司实现营收7.909亿美元,环比增长18.2%,同比减少11.2%;实现净利润1853.9万美元,环比增长51.1%,同比减少64.1%;毛利率19.1%,环比上升0.9个百分点,而上年同期为24.5%。

二季度,从应用类型来看,来自通讯领域收入占比达到48.9%,同比增加8.5个百分点,环比增加5.9个百分点;从地区分类来看,来自美国的收入占比下滑至27.5%,中国及欧亚地区收入占比提升,中国区收入占比达到56.9%,欧亚区收入占比达到15.8%;从各技术制程来看,28nm技术收入占比达到3.8%,40/45nm技术收入占比达到19.2%,55/65nm技术收入占比达到26.2%。

对于2019年第三季度,公司预计收入增加0%至2%,毛利率介于19%至21%的范围内。

中芯国际联合首席执行官,赵海军博士和梁孟松博士评论说:“世界整体局势仍存在不确定性,但伴随产业回暖与公司内部改革,我们逐步走出调整期,成熟工艺平台显著增长,先进技术发展持续突破。公司二季度业绩成长强劲,智能手机、物联网及相关应用带动需求,营收环比增长18%;来自中国和欧亚区客户营收增幅明显,环比成长分别为25%和34%。”

中芯国际介绍,公司FinFET工艺研发持续加速,14nm进入客户风险量产,预期在今年底贡献有意义的营收。第二代FinFET N+1技术平台已开始进入客户导入,公司将与客户保持长远稳健的合作关系,把握5G、物联网、车用电子等产业发展机遇。

华虹半导体整体产能利用率达90% 无锡厂Q4试生产12英寸晶圆

华虹半导体整体产能利用率达90% 无锡厂Q4试生产12英寸晶圆

8月6日,华虹半导体公布其2019年第二季度及上半年的经营业绩。得益于其销售策略及部分特色工艺的优势等,华虹半导体第二季度及上半年销售额均有所成长。

销售额小幅增长,产能利用率回升

数据显示,2019年第二季度华虹半导体实现销售收入2.3亿美元,同比持平、环比增长4.2%;期内溢利4990万美元,同比增长8.7%、环比增长7.0%;归母公司拥有人应占利润4336万美元,同比下降5.3%、环比下降8.7%;毛利率31.0%,同比下降2.6个百分点、环比下降1.2个百分点。

第二季度华虹半导体97.8%的销售收入来源于半导体晶圆的直接销售,本季度末月产能为 17.5万片,本季度产能利用率为93.2%。

按地区划分,第二季度华虹半导体来自于中国的销售收入1.3亿美元,占销售收入总额的55.4%,同比下降5.3%,主要由于智能卡芯片的需求减少,部分被超级结产品的需求增加所抵消。此外,来自于日本的销售收入同比增长43.9%,主要得益于MCU和逻辑产品的需求增加。

按技术平台划分,第二季度华虹半导体嵌入式非易失性存储器销售收入7960万美元,同比下降10.2%;分立器件销售收入9250万美元,同比增长21.7%;模拟与电源管理销售收入3340万美元,同比下降11.0%;逻辑及射频销售收入2160万美元,同比持平;独立非易失性存储器销售收入270万美元,同比下降55.1%。

从终端市场划分,第二季度华虹半导体销售收入1.5亿美元,占销售收入总额的64.0%,是其第一大终端市场;工业及汽车产品销售收入4430万美元,同比减少6.4%;通讯产品销售收入2810 万美元,同比增长9.3%;计算机产品销售收入1050万美元,同比减少5.8%。

华虹半导体总裁兼执行董事唐均君在评价第二季度经营业绩时表示,第二季度分立器件平台继续显示出巨大的优势,各产品的需求都在增加,尤其是超级结、IGBT和通用MOSFET,并预计分立器件在未来的需求仍将持续增长。此外,得益于中国、北美和其他亚洲国家市场的强劲表现,来自模拟与电源管理平台的销售收入环比增长近41%。

综合今年上半年,华虹半导体实现销售收入4.5亿美元,同比增长2.5%;期内溢利为9650万美元,同比增长12.1%;母公司拥有人应占期内溢利9082.6万美元,同比增长5.7%;毛利率为31.6%,同比下降1.3个百分点;月产能由17.2万片增至17.5万片。

华虹半导体在报告中指出,上半年华虹半导体销售收入增长主要得益于平均销售单价上升;毛利率下降主要由于产能利用率较低、原材料的单位成本及折旧成本增加,部分被平均销售单价上升所抵销。

回顾上半年,全球半导体市场形势受到上半年较高库存的影响,晶圆代工普遍表现不佳,华虹半导体得益于其销售策略及部分特色工艺的优势等,第二季度及上半年销售额均有所成长。

唐均君指出,尽管同时面临来自市场、技术、客户以及即将投入使用的新12英寸晶圆厂等诸多挑战,但经过努力付出,华虹半导体的整体产能利用率已回升到90%以上,“我们非常有信心2019年下半年的表现将比上半年更为强劲。”

无锡工厂Q4试生产300mm晶圆

展望第三季度及下半年,华虹半导体持乐观态度。据其预计,第三季度销售收入约2.38亿美元,毛利率约31%。

在二季报及半年报中,华虹半导体重点提到了华虹无锡300mm晶圆制造工厂。报告指出,300mm晶圆项目正按计划平稳推进,厂房和洁净室已完成建设,洁净室于第二季度通过认证。同时,第一批1万片产能所需的大部分机器设备已搬入,目前正处于安装和测试阶段。

在技术方面,55纳米逻辑与射频CMOS技术、90纳米嵌入式闪存技术与90纳米BCD技术前期研发顺利;同时,根据市场研究与技术评估情况,通过了开发12英寸功率器件工艺方案,确定了华虹无锡12英寸项目IC + Power的规划。

无锡工厂将于2019年第四季度开始试生产300mm晶圆,55纳米逻辑与射频CMOS技术将率先在第四季度进入量产。工程师团队和客户正密切合作开发几个新产品,为初期爬坡试生产作准备。

商务合作请加微信:izziezeng

加入集邦半导体交流群,请加微信:DRAMeXchange2019

陕西:华天封测项目Q3投产;三星二期项目年内完成设备调试

陕西:华天封测项目Q3投产;三星二期项目年内完成设备调试

据陕西日报报道,受益于中兴智能终端产能恢复、以及重大项目产能开始释放等因素,上半年陕西省电子信息制造业工业总产值同比增长35.1%。

上半年,三星芯片二期项目、奕斯伟硅片基地项目、以及华天集成电路封测项目等进展顺利。

三星芯片二期项目

2012年,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,其一期项目总投资达100亿美元,于2014年5月竣工投产,该项目也成为三星海外投资历史上投资规模最大的项目。

2017年8月30日,为满足全球IT市场对高端3D NAND产品需求的增加,三星电子株式会社与陕西省政府签署了投资合作协议,决定在西安高新综合保税区内建设三星(中国)半导体有限公司存储芯片二期项目。

2018年3月,三星芯片二期项目正式开工建设,三星(中国)半导体有限公司副总裁池贤基此前曾表示,三星半导体的存储芯片二期项目分为两个阶段,总投资将超过140亿美元,其中第一阶段投资70亿美元。

陕西日报指出,目前,三星芯片二期项目基础设施建设已接近尾声,主厂房和附属设施进入试运行状态,预计今年内完成设备调试等工作。

华天集成电路封测项目

2018年3月28日,为配套集成电路产业发展,完善战略布局,华天科技在陕西省宝鸡市高新开发区设立全资子公司华天科技(宝鸡)有限公司,从事半导体引线框架及封装测试设备的生产及销售业务,注册资本1亿元。

根据华天科技此前在其投资者关系活动记录表中透露的信息,华天宝鸡的引线框架及封装测试设备产业基地项目,主要进行厂房和动力配套等基础设施建设以及生产线的购建。预计宝鸡项目今年10月投产。

陕西日报指出,华天集成电路封测项目一期建设已按计划完成,预计三季度开始投产。

奕斯伟硅片基地项目

2017年12月9日,西安高新区与北京芯动能公司、北京奕斯伟公司三方共同签署了硅产业基地项目投资合作意向书,宣布硅产业基地项目落户西安高新区。

据悉,该项目总投资超过100亿元人民币,建筑面积达20万平方米,由生产厂房、拉晶厂房、综合动力站、废水处理站、固体站、气体库以及综合配套区构成。

该项目一期总投资30亿元,建设内容包括300毫米(12英寸)硅片材料生产线,主要工序包括拉晶、成型、抛光、清洗工序,以及外延片对应的外延工序,一期计划投产规模50万片/月。

项目建成后将成为研发生产300mm(12英寸)硅片,建设月产能50万片、年产值约45亿元的生产基地,最终目标成为月产能100万片、年产值超百亿元的12英寸硅材料企业。

2019年1月17日,西安奕斯伟硅产业基地项目正式封顶,6月5日正式启动设备搬入工作,计划年内交付认证产品,2020年将实现批量生产。

此外,中兴智能终端二期项目B1、B2厂房已经封顶,综合楼二层主体正在施工,预计2019年年底竣工,项目建成后将新增年产智能终端1500万部的生产能力。

商务合作请加微信:izziezeng

加入集邦半导体交流群,请加微信:DRAMeXchange2019

总投资114.8亿元的12个半导体及ICT产业项目签约徐州

总投资114.8亿元的12个半导体及ICT产业项目签约徐州

日前结束的中国·徐州2019半导体集成电路产业金龙湖峰会取得丰硕成果,总投资114.8亿元的12个半导体集成电路及ICT产业项目现场签约。这是我市聚力主导产业、加大招商引资取得的又一重要成果,也是我市加快发展半导体集成电路产业、打造淮海经济区中心城市产业高地的有力举措。

此次签约的12个项目主要集中在半导体产业的投资、研发和制造领域,涉及半导体设备材料、第三代半导体、下游终端、产业基金、研发实验等,包括中科芯韵半导体产业投资基金、加拿大UBC大学ADAMIST(艾达米斯特)联合实验室、天和通讯第三代半导体产业基地、先导高效太阳能电池片生产及智能装备制造、国人通信5G小基站研发生产等一批重大项目。

集成电路与ICT产业是我市重点发展的战略性新兴产业。近两年来,我市坚定不移推动产业集群发展、创新发展,全力打造具有示范性、引领性的产业集聚“芯”高地,一批投资体量大、科技含量高、带动能力强的半导体集成电路产业项目洽谈招商取得了突破性进展。此次峰会优选了12个产业项目现场签约,是我市在集成电路及ICT产业领域取得的最新成果,对于进一步丰富全市半导体集成电路产业发展前景广阔、未来可期。

如先导高效太阳能电池片生产及智能装备制造项目,一期总投资13亿元,生产2GW单晶PERC高效电池,计划今年底前投产;二期总投资15亿元生产2GW单晶TOPCon高效电池,计划明年中期投产;一期、二期项目投产后预计年产值约30亿元,利润约两亿元。天和通讯第三代半导体产业基地项目投资30亿元,用于大功率硅基LED芯片大规模制造,重点打造以硅基氮化镓为核心的第三代半导体产业集聚园区。

近两年来,我市始终坚持工业强市、产业强市,先后落地了鑫晶半导体大硅片、英国NBL电子束光刻机、飞纳半导体高速激光影像设备等材料设备项目,华进半导体、爱矽半导体、联立半导体等封装测试项目,台湾正崴高端手机供应链、徐工信息国家级工业互联网研发中心、南京点盈网络游戏等下游应用项目,台湾捷笠氮化镓外延片、中科汉韵碳化硅功率器件、天科合达碳化硅晶片等第三代半导体项目;填补国内空白的鑫华半导体电子级晶硅实现量产,具有完全独立自主知识产权的芯思杰5G高端光芯片项目签约入驻,一大批半导体集成电路行业领军企业迅速集聚。

364.95亿元!张江集成电路产业半年度成绩又亮了!

364.95亿元!张江集成电路产业半年度成绩又亮了!

上海市集成电路行业协会最新发布数据显示:本市集成电路产业上半年销售收入合计为586.65亿元,同比增长12.9%。其中,浦东占比73.4%,同比增幅达到21.5%。综合张江核心区1-6月份的销售收入情况来看,上海集成电路产业张江核心区销售收入合计为364.95亿元,同比增长15.6%,占上海比重为62%,占浦东比重为84.7%。

张江集电港

上海市集成电路行业协会指出,2019年是一个半导体产业周期性调整的年份,加之外部环境的影响,张江的芯片制造业和封装业有所下滑。但值得欣慰的是,芯片设计业、设备材料业增幅较大,分别增长17.5%和15%。

性能比肩世界水平

说到芯片设计,目前张江已经集聚了239家芯片设计企业,出品了100余项国内领先的产品。就在6月19日,位于张江核心区的上海兆芯发布了新一代16nm 3.0GHz x86 CPU产品——开先KX-6000和开胜KH-30000系列处理器。这是国内首款主频达到3.0GHz(吉赫兹)的国产通用处理器,与国际先进水平的差距进一步缩小。据悉,KX-6000系列产品在性能跑分方面已经和Intel的第七代桌面i5处理器相当。

除了发布新品,性能不断提升,追赶国际先进水平。在各大榜单上,张江芯片企业也正在努力跻身世界一流。7月30日,苏黎世联邦理工学院AI Benchmark公布的市场主流AI芯片测试榜单上,紫光展锐虎贲T710赫然跃居榜首,总分达到了28097,远远超过了高通新发布的骁龙855plus和华为麒麟810。目前,紫光展锐还没正式发布这款虎贲T710芯片平台,采用的制程工艺也未可知。

此外,在设计领域,上海已有部分企业研发能力达到7nm,紫光展锐手机基带芯片市场份额更是位居世界第三,在电视芯片全球市场亦占据领先位置。

而在设备材料领域,张江更是涌现出一大批国内知名设备厂商。其中,中微半导体14-5nm等离子刻蚀机国际先进水平、MOCVD设备销售额全球第1;上海微电子90nm光刻机研制成功;盛美半导体兆声波清洗机,达到国际先进水平;凯世通半导体的先进离子注入机,更是填补了国内空白。

抢先布局5G芯片

在科技领域,5G已经成为新一代热词,各大芯片制造商均在摩拳擦掌,提前布局。张江企业紫光展锐目前已经推出5G通信技术平台“马卡鲁”及其首款5G基带芯片“春藤510”。这是继华为发布国内首款5G芯片后,我国企业自主研发成功的第二款5G芯片。据介绍,展锐春藤510是一颗可支持2G/3G/4G/5G的多模5G芯片,可同时支持SA和NSA。

此外,近期完成数千万元新一轮融资的芯朴科技也正深耕5G。芯朴科技拥有完整的手机射频前端研发团队,覆盖GaAs、RF SOI、CMOS Analog和Digital等各个领域。未来公司会根据客户需求,专注5G射频前端芯片开发,定位产品性能比肩欧美国家同类型产品,助力5G智能终端快速起量加快普及。

说到在5G方面的布局,张江还有不少企业正在努力担当5G前沿性企业。比如ASR,其产品线覆盖2G、3G、4G、5G以及IoT在内的多制式通讯标准。公司创始股东兼CEO戴保家则表示,未来公司将更加注重5G应用场景、5G技术开发链。在上海设立了研发中心的中兴通讯则拥有完整的5G端到端解决方案,也是5G技术研究、 5G标准、专利主要贡献者。在5G基站芯片方面,中兴公司7nm工艺的芯片已经完成设计并量产,目前正在研发5nm工艺的5G芯片。

根据规划,未来上海还将打造5G“五极”产业基地,分别位于浦东的金桥、张江、青浦的华为园区,徐汇的漕河泾和松江的g60科创走廊,其中浦东张江聚焦5G芯片的发展。

重大平台的支撑

目前张江从设计、到制造、封测、再到材料,均已建立最完善、最齐全IC产业链,成为上海集成电路产业链最完备,综合技术水平最先进,自主创新能力最强的地方。当然,除了在产业链各个版图上涌现出一批优质企业,张江核心区内还集聚了一些集成电路公共服务平台,包括国家集成电路创新中心、上海集成电路研发中心等,为企业搭建专业平台,汇聚多方资源。

就在今年6月份,国家“芯火”双创平台(张江)基地在张江科学城正式启动运营。基地将重点关注物联网、汽车电子、人工智能等领域,重点建设芯片整机对接服务子平台、智能硬件产学研合作服务子平台、“双创”孵化服务子平台、共性技术转化服务子平台、集成电路设计功能性服务子平台等五大子平台,推动上海乃至全国集成电路相关产业的升级与发展,未来将把上海集成电路设计产业推向一个新的高度,进一步巩固上海在全国集成电路产业的领先地位。

此外,教育部也发文,正式批复同意复旦大学承担的”国家集成电路产教融合创新平台”项目科研报告。该项目以位于张江科学城的复旦大学微电子学院为建设主体,联合国内龙头企业,建立合作共赢的融合模式,打造长三角地区新型产教融合创新平台。

聚焦“中国芯”,腾飞“张江梦”。对于张江集成电路的发展而言,更为宏远的未来则是张江将要打造世界级产业园——上海集成电路设计产业园。上海集成电路设计产业园位于张江核心区域,面积约3平方公里,目前正在实施“千亿百万”工程,集聚千家企业、形成千亿规模、汇聚十万人才、打造百万空间,力争打造成为世界先进水平的集成电路专业园区。

除了硬核平台支撑外,张江集成电路企业还将迎来一大利好。据悉,目前国家集成电路产业投资基金(俗称“国家大基金”)二期的募资工作已接近完成,规模在2000亿元左右。此前一期基金的投资企业中,有不少来自张江,比如制造领域的中芯国际、华力微电子;设计领域的紫光展锐;设备领域的中微半导体;材料领域的安集微电子等。

而对于第二期,有不少消息称,重点投向芯片制造以及设备材料、芯片设计、封装测试等产业链各环节,支持行业内骨干龙头企业做大做强。此外,国家大基金二期也将围绕国家战略和新兴行业进行投资规划,比如智能汽车、智能电网、人工智能、物联网、5G等。相信在这新一轮中国芯片产业布局中,张江将迎来新的发展机遇!

注:文章数据来源于浦东时报

这次,中国芯片业的机会来了

这次,中国芯片业的机会来了

最近几天,日韩之间再度散发出关系紧张的气息。大韩航空公司7月29日确认,将暂停运营韩国釜山和日本札幌之间的航线,原因是韩日关系紧张导致客流量减少。舆论认为,上述现象是日韩贸易争端升级的又一证据。

当前,尽管有关各方正在寻求解决途径,然而鉴于日韩分歧关乎历史问题,实属“冰冻三尺,非一日之寒”,因此,即便短期内日韩关系不排除好转的可能性,一些日韩企业也已开始在为自身发展作长期打算,最近,就有一些企业将目光投向中国。

据韩国KBS电视台报道,韩国半导体企业纷纷寻找替代供应商谋求供应渠道多元化。三星电子和SK海力士等企业近日派出高管前往中国,寻找新供货商,并陆续向一些中国企业开出半导体产业重要原料——电子级氢氟酸的订单。《日本经济新闻》则称,三星电子、SK海力士已着手对非日本厂商的氟化氢进行性能试验,供应商很可能是中国企业。

有分析认为,日韩在全球半导体芯片产业链中占据上游地位,以往,两国已形成相对稳定的产业链,即日本提供原材料,韩国则从事加工、制造及设计。因此,此次日韩争端将对全球半导体芯片产业链造成广泛影响。中国在受到波及的同时,也迎来了半导体芯片行业的机遇。随着日韩贸易战给产业链格局带来的新变化,中国企业有望破局。

浦东开启“中国芯”征程

浦东开启“中国芯”征程

“如果将未来智能化社会比作一座大厦,芯片产业就是构成这座大厦的砖石,平台式公司将搭建起这座大厦的钢筋骨架。”在近日举行的第一财经科创大会集成电路行业沙龙上,紫光展锐首席执行官楚庆道出芯片产业在本轮科技革命中的重要作用。

沙龙上嘉宾们认为,智能手机、汽车、物联网、5G、人工智能是未来集成电路产业主要驱动力,拥有集成电路设计、制造、封测、装备完整产业链的浦东将扮演重要角色。与此同时,当前我国集成电路产业在关键核心技术、产业基础、产业投资、产业链整合升级等领域面临激烈的国际竞争。嘉宾还表示,科创板及注册制的推出给产业带来新的想象空间。

行业走向价值链整合 加强“产芯联动”

当前全球半导体市场正处于下行周期。上海集成电路产业投资基金董事长沈伟国表示,集成电路产业竞争愈发激烈,一些在特定市场具有领先优势的企业通过强强联合、并购重组的方式加强价值链和生态环境的控制。集成电路三大产业模式——IDM、产业链垂直分工、价值链整合及生态环境建设将在今后一段时间内处于共同存在的状态。

“集成电路发展的本质是应用联动。好的产品既是设计出来的,更是用出来的。”沈伟国针对当前我国集成电路产业所面临残酷的国际竞争环境,提出应该借鉴国内通讯领域芯片的成功经验(华为+海思),推动工业和汽车领域以资本为纽带,实现“产芯联动”发展。“由国有资本、终端厂商共同投资芯片企业,根据终端需求率先突破1-2款产品,并购整合形成方案能力,打造全球领军企业。”

据悉,我国是最大的集成电路消费市场,初步建立了包括设计、制造、封测、装备、材料在内的完整产业链,其中,华为海思、紫光展锐已跻身全国前十,封测已进入第一梯队。与此同时,我国集成电路产业在技术上仍处于追随阶段,整体上与世界最先进水平还有明显差距。

资本市场改革顺应产业发展需求

我国集成电路产业与发达国家差距大,同时产业投资周期长,产业界纷纷寄希望于科创板及注册制改革带来的资金弹药补给。

华登国际投资的500多家企业中,有120多家为集成电路企业。“半导体产业投资就像鲤鱼跃龙门。”华登国际合伙人张聿坦言,跳过了这道龙门就能迎来快速增长,龙门之外的企业为了生存则往往会寻求外部资源整合。“集成电路行业投资面临着充分而激烈的行业竞争,长期高额的研发投入,挑战摩尔定律的代价是市场增长和研发支出的矛盾。”他说,过去十年全行业销售额增长缓慢,早中期半导体VC投资明显减少。

IC咖啡创始人胡运旺指出,我国2000多家芯片企业中90%以上为中小企业,而投资主要集中在企业中后期。“中美贸易摩擦让我们看到了我国芯片产业与美国相差甚远,差距大并不是没有解决办法。”他呼吁,应该关注集成电路产业中小企业早期成长,为产业培育持续的后备力量。

“科创板及注册制试点非常及时。”在张江扎根18年的芯原微电子(上海)股份有限公司创始人、董事长兼总裁戴伟民在圆桌论坛上表示。据悉,芯原微电子是一家集成电路(IC)设计代工公司,今年4月有媒体报道该公司拟在科创板上市。“科创板应该姓‘科’,就是硬科技,硬科技需要长期的投入,希望科创板能够成为中国的纳斯达克。”

浦东集成电路产值超千亿元

从区域上看,我国形成了京津冀环渤海、长三角、泛珠三角、中西部四个各具特色的产业集聚区。其中,长三角地区是中国集成电路产业基础最扎实、技术最先进的区域,产业规模占全国半壁江山,而上海是集成电路产业的“老牌重镇”。

2018年,浦东新区集成电路产值突破1000亿元,占到全市的73%。

目前,浦东集成电路产业已覆盖设计、制造、封装测试、装备材料等各环节,形成了一批国内龙头企业和有潜质的“独角兽”企业。张江是上海集成电路产业链最完备、综合技术水平最先进、自主创新能力最强的地方。紫光展锐的手机基带芯片市场份额已位居世界第三,张江集成电路设计园全面启动建设。中芯国际、华虹集团这两家浦东企业的年销售额在国内位居前两位。

浦东新区科技和经济委员会主任唐石青表示,未来浦东在集成电路产业发展中将更加注重集成电路设计的产业先导地位。浦东正在推进的集成电路设计产业园将力争集聚千家企业、形成千亿规模、汇聚十万人才、新增百万空间。

武汉规划8大重点产业 力争到2020年IC主营收入达1000亿

武汉规划8大重点产业 力争到2020年IC主营收入达1000亿

据荆楚网报道,为推进高质量发展,武汉市拟重点发展集成电路、光电子信息、汽车、大健康、数字、航空航天、智能制造、新能源与新材料等8大重点产业。

预计到2022年,重点产业主营收入1.7万亿元,境内外上市公司150家。其中集成电路产业主营业务收入到2022年力争达到1000亿元,光电子信息产业主营业务收入到2022年力争突破1500亿元。

据报道,武汉市将依托国家存储器基地,重点发展存储芯片、光通信芯片和卫星导航芯片,形成以芯片设计为引领、芯片制造为核心、封装测试与材料为配套较完整的集成电路产业链。

此外,武汉市还将发挥信息光电子、5G等研发和产业化优势,重点培育细分领域龙头企业,建成具有国际影响力的新一代信息产业基地。深度参与北斗全球卫星导航系统建设,加快卫星遥感、通信与导航融合化应用,打造全球有影响力的地球空间信息及应用服务创新型产业集群。

【盘点】国内在建晶圆生产线项目

【盘点】国内在建晶圆生产线项目

近年来,随着国内积极发展集成电路产业以及市场需求提升,各地出现了不少晶圆生产线扩产项目及新项目,以下将盘点目前国内各地在建晶圆生产线项目情况——

北京

燕东微电子8英寸集成电路研发产业化及封测平台建设项目(8英寸)

项目单位:北京燕东微电子科技有限公司

项目内容:燕东微电子8英寸集成电路研发产业化及封测平台建设项目总投资48亿元,以研发自主可控的8英寸LCD驱动IC、LDMOS、IGBT等产品为主要目标,建成后将形成月产5万片晶圆芯片、年封装超过23亿只集成电路产品的产业化能力。

项目进展:2016年9月,燕东微电子正式启动8英寸集成电路研发产业化及封测平台建设项目;2018年6月,该项目主体结构FAB1厂房封顶;2019年6月25日,该项目迎来首台设备搬入。

赛莱克斯北京8英寸MEMS国际代工线建设项目(8英寸)

项目单位:赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司

项目内容:赛莱克斯北京8英寸MEMS国际代工线建设项目总投资近26亿元,建设内容包括一座8英寸晶圆生产厂房以及研发楼,此外还将建设动力厂房、化学品库、危险品库、硅烷站等配套设施。该项目主要开展8英寸MEMS半导体晶圆加工工艺,项目最终达产后将形成年投片3万片/月的生产能力。

项目进展:2018年11月,赛莱克斯北京8英寸MEMS国际代工线建设项目进行主厂房上梁,有望在2019年12月建成通线,进行产品试生产。

无锡

华虹无锡集成电路研发和制造基地(一期)(12英寸)

项目单位:华虹半导体(无锡)有限公司

项目内容:华虹无锡集成电路研发和制造基地项目占地约700亩,总投资100亿美元,一期项目总投资约25亿美元,新建一条工艺等级90~65纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线,支持5G和物联网等新兴领域的应用。华虹无锡基地项目将分期建设数条12英寸集成电路生产线,首期项目实施后将适时启动第二条生产线建设。

项目进展:华虹无锡集成电路研发和制造基地项目(一期)于2018年3月2日正式启动建设,2019年6月6日实现首批光刻机搬入,预计将于2019年9月建成投片。

海辰半导体新建8英寸非存储晶圆厂房项目(8英寸)

项目单位:海辰半导体(无锡)有限公司

项目内容:海辰半导体是由SK海力士旗下晶圆代工厂SK海力士System IC公司与无锡产业发展集团有限公司合资建立,主要由SK海力士System IC提供8英寸晶圆生产设备等有形与无形资产,无锡产业集团则主要提供厂房、用水等必要基础设施,规划月产能为10万片8英寸晶圆。

项目进展:海辰半导体新建8英寸非存储晶圆厂房项目于2018年5月23日开工,2019年2月28日厂房封顶。

淮安

德淮半导体年产24万片12英寸集成电路芯片生产线项目(12英寸)

项目单位:德淮半导体有限公司

项目内容:德淮半导体有限公司成立于2016年1月,总投资450亿元,项目首期预计投入120亿元,为年产24万片的12英寸晶圆厂,占地257亩,是第一家专注于CMOS影像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)的半导体公司。

项目进展:2018年12月,报道称德淮半导体项目一期厂房工程顺利通过消防验收;今年3月,淮安日报报道称德淮半导体项目处于设备进场调试阶段。

江苏时代芯存相变存储器项目(12英寸)

项目单位:江苏时代芯存半导体有限公司

项目内容:江苏时代芯存相变存储器项目总投资130亿元,一期投资43亿元,占地276亩。全面建成后将达到年产10万片12英寸相变存储器的产能,预计年可实现销售45亿元,利税3亿元。

项目进展:江苏时代芯存相变存储器项目于2017年3月动工,2017年11月主厂房封顶,2018年3月工厂竣工运营;今年3月,淮安日报报道称该项目部分产品的前端工艺已在代工方投片,今年第三季度将正式下线。

中璟航天半导体全产业链项目(8英寸)

项目单位:江苏中璟航天半导体实业发展有限公司

项目内容:中璟航天半导体全产业链项目总投资120亿元,占地703亩。其中将建设2条年产24万片8英寸CMOS图像传感器晶圆厂,总投资60亿元,占地203亩,厂房面积为13.71万平方米,其中最大单体厂房面积为3.96万平方米,同时设立CMOS图像传感器设计公司以及相关封装测试厂和模组厂。

项目进展:中璟航天半导体全产业链项目于2017年12月10日正式开工奠基,目前正在建设第一条生产线。

武汉

长江存储国家存储器基地项目(12英寸)

项目单位:长江存储科技有限责任公司

项目内容:长江存储国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城,项目总投资240亿美元,占地面积1968亩,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash 生产厂房,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。该项目将分三期建设,其中一期项目产能规划为10万片/月,整个项目完成后总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

项目进展:长江存储国家存储器基地项目(一期)于2016年12月30日正式开工建设,2017年9月一号生产及动力厂房,2018年4月生产机台正式进场安装,32层3D NAND闪存芯片已研发成功,预计将于今年年底量产64层3D NAND闪存芯片。

武汉弘芯半导体制造项目(12英寸)

项目单位:武汉弘芯半导体制造有限公司

项目内容:武汉弘芯半导体制造有限公司是目前全国半导体逻辑制程单厂中投资规?模最大,技术水平最先进的12英寸晶圆片生产基地。其中项目一期设计月产能4.5?万片,预计2019年底投产;二期采用最新的制程工艺技术,设计月产能4.5万?片,预计2021年第四季度投产。?

项目进展:媒体报道称,弘芯半导体项目一期、二期相继于2018年4月、2018年9月开工;2019年7月4日,武汉弘芯半导体制造项目103厂房主体结构封顶。

上海

积塔半导体特色工艺生产线项目(8英寸&12英寸)

项目单位:上海积塔半导体有限公司

项目内容:积塔半导体特色工艺生产线项目占地面积23万平方米,项目总投资359亿元,目标是建设月产能6万片的8英寸生产线和5万片12英寸特色工艺生产线。产品重点面向工控、汽车、电力、能源等领域,将显著提升中国功率器件(IGBT)、电源管理、传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。

项目进展:积塔半导体特色工艺生产线项目于2018年8月正式开工,2019年5月21日该项目厂房结构封顶,力争今年年底前完成设备搬入。

天津

中芯国际天津产能扩充项目(8英寸)

项目单位:中芯国际集成电路制造(天津)有限公司

项目内容:中芯国际天津产能扩充项目是对中芯国际天津晶圆厂原有产能4.5万/月产能的8英寸集成电路生产线进行产能扩充,该扩建项目预计投资金额15亿美元,项目全部达产后,中芯天津8英寸晶圆月产能将达15万片,产品主要应用方向包括物联网相关、指纹识别、电源管理、数模信号处理、汽车电子等。

项目进展:2016年10月,中芯国际正式启动中芯天津产能扩充项目;2017年7月,该产能扩充项目中体量最大的单体项目T1B主生产厂房正式破土动工;2018年4年,T1B主生产厂房正式封顶,2018年7月首台设备进驻。

南京

紫光南京集成电路基地项目一期(12英寸)

项目单位:南京紫光存储科技有限公司

项目内容:南京紫光存储器生产线项目将分为一期、二期、三期三个建设阶段,本项目建设阶段为一期,是紫光集团的第2条存储芯片生产线。本项目将建成12英寸(3D NAND)存储器生产线,并开展存储器及关联产品(模块、解决方案的研发、制造和销售),设计产能为10万片/月。

项目进展:紫光南京集成电路基地项目一期已于2018年9月30日进行桩基工程开工,根据规划,2019年该项目将进行主体施工建设。

成都

紫光成都集成电路基地项目(一期)(12英寸)

项目单位:成都紫光国芯存储科技有限公司

项目内容:紫光成都集成电路基地项目(一期)总投资702.31亿元,主要新建1条12英寸晶圆代工生产线,主要从事12英寸存储器芯片3D NAND生产,本项目建成后,将形成年产12英寸存储器芯片(3D NAND Flash储存器芯片)120万片的生产能力。

项目进展:紫光成都集成电路基地项目(一期)于2018年10月正式开工建设。

青岛

芯恩(青岛)集成电路项目(8英寸&12英寸)

项目单位:芯恩(青岛)集成电路有限公司

项目内容:芯恩(青岛)集成电路项目是中国首个协同式集成电路制造(CIDM)项目,总投资约150亿元,该项目建成后可实现8英寸芯片、12英寸芯片、光掩膜版等集成电路产品的量产。其中一期总投资约81亿元,将新建8英寸集成电路生产线1条、12英寸集成电路生产线1条、光掩膜版生产线1条,规划年产8英寸芯片36万片、12英寸芯片3.6万片、光掩膜版1.2万片。

项目进展:2018年5月,芯恩(青岛)集成电路项目一期正式开工,项目计划2019年底一期整线投产、2022年满产。

重庆

重庆万国半导体12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地项目(12英寸)

项目单位:重庆万国半导体科技有限公司

项目内容:重庆万国半导体项目于2016年由美国AOS、重庆战略性新兴产业股权投资基金和重庆两江新区战略性新兴产业股权投资基金共同出资组建。该项目一期投资5亿美元,主要建设规模为月产2万片12英寸功率半导体芯片、月产500KK功率半导体芯片封装测试。二期计划投资5亿美元,建设月产5万片12英寸功率半导体芯片、月产1250KK功率半导体芯片封装测试。

项目进展:重庆万国半导体项目于2017年2月动工建设,其中封测厂于2018年1月开始搬入设备并装机,晶圆厂于2018年3月开始搬入设备并装机,项目现已进入试生产。

广州

粤芯半导体12英寸集成电路生产线项目(12英寸)

项目单位:广州粤芯半导体技术有限公司

项目内容:粤芯半导体项目投资70亿元,新建厂房及配套设施共占地14万平方米。建成达产后,粤芯半导体将实现月产40000片12英寸晶圆的生产能力,产品包括微处理器、电源管理芯片、模拟芯片、功率分立器件等,满足物联网、汽车电子、人工智能、5G等创新应用的模拟芯片需求。

项目进展:粤芯半导体项目于2018年3月开始打桩,2018年10月完成主厂封顶,目前粤芯半导体第一阶段的生产线调试已完成,首批样品已出货,按计划将于9月量产。

厦门

士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线(12英寸)

项目单位:厦门士兰集科微电子有限公司

项目内容:士兰微与厦门半导体投资集团有限公司共同投资220亿元人民币,在厦门规划建设两条12英寸90~65nm的特色工艺芯片生产线和一条4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线。其中两条12英寸特色工艺芯片生产线总投资170亿元,第一条总投资70亿元,规划产能8万片/月,分两期实施;第二条芯片制造生产线预计总投资100亿元。

项目进展:该项目于2018年10月正式开工建设,半化合物半导体芯片及12英寸特色工艺半导体芯片制造生产线分别计划在今年第四季度和明年试投产。

宁波

中芯国际8英寸特种工艺产线项目(8英寸)

项目单位:中芯集成电路(宁波)有限公司

项目内容:中芯国际8英寸特种工艺产线项目总投资额约55亿元人民币,规划用地约192亩,目前有N1(小港)与N2(柴桥)两个项目,将建成中国最大的模拟半导体特种工艺的研发、制造产业基地,采用专业化晶圆代工与定制产品代工相结合的新型商业模式,并提供相关产品设计服务平台。

项目进展:中芯集成电路(宁波)有限公司正式揭牌于2016年11月正式揭牌成立,2018年11月中芯宁波N1项目正式投产,N2项目也已开工建设。

绍兴

中芯集成电路制造(绍兴)项目(8英寸)

项目单位:中芯集成电路制造(绍兴)有限公司

项目内容:中芯集成电路制造(绍兴)项目总投资58.8亿元,用地207.6亩,新建14.65万平米的厂房,建设一条集成电路8寸芯片制造生产线和一条模组封装生产线,一期规划建设总用地面积138386平方米,建成达产后将形成芯片年出货51万片和模组年出货19.95亿颗的产业规模,规模化量产麦克风、惯性、射频、MOSFET以及IGBT等产品的芯片和模组。

项目进展:2018年5月18日,中芯集成电路制造(绍兴)项目正式开工奠基,主体工程今年6月已结顶,媒体报道称将于明年3月实现主要产品量产。

济南

富能高功率芯片生产项目(8英寸&6英寸)

项目单位:济南富能半导体有限公司

项目内容:富能高功率芯片生产项目将建设8英寸晶圆厂功率半导体器件(主要生产MOSFET、CoolMos、IGBT器件)和6英寸晶圆厂碳化硅器件的研发、生产基地,项目一期用地317.92亩,建筑面积约24.5万平方米,投资50.53亿元。

项目进展:今年3月15日,富能半导体高功率器件项目开工。

合肥

长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目(300mm)

项目单位:合肥长鑫集成电路有限责任公司

项目内容:长鑫12吋存储器研发项目总占地1582亩,总投资约80亿美元(约550亿元),规划月产12.5万片DRAM存储器晶圆。项目采取一次规划、分三期实施,首期计划投资约180亿元,建设12吋存储器研发线。

项目进展:合肥长鑫项目一期已于2018年1月完成建设一厂并开始安装设备,2018年7月16日项目投片。按照规划,该项目将于2019年末实现产能每月2万片。

大连

宇宙半导体8英寸功率半导体器件生产线项目(8英寸)

项目单位:大连宇宙半导体有限公司

项目内容:宇宙半导体8英寸功率半导体器件生产线项目投资24亿元,计划年产24万片8英寸功率半导体器件芯片,产品主要应用于新能源发电、储能、超级计算机、云计算网络、服务器、个人电脑、UPS电源、物联网等领域。

项目进展:该项目于2016年9月开工,2017年3月进入土地夯实平整阶段,暂未搜索到更多信息。

如有遗漏欢迎在公众号后台留言。

集邦咨询最新《中国半导体产业深度分析报告》内容涵盖了中国半导体产业全产业链,如需了解请根据下方联系方式联系我们。

商务合作请加微信:izziezeng

晋江市集成电路产业人才优惠政策与认定标准(2019年修订版)

晋江市集成电路产业人才优惠政策与认定标准(2019年修订版)

2019年6月晋江市出台《晋江市加快培育集成电路全产业链的若干意见的补充意见》,对现行集成电路产业人才优惠政策及认定标准进行修订,现将晋江市集成电路产业人才优惠政策与认定标准(2019年修订版)公布如下:

主要含以下内容:

1、集成电路产业人才优惠政策

2、高层次人才“海峡计划”

3、集成电路产业优秀人才认定标准

集成电路产业人才优惠政策

(一)人才津贴

集成电路优秀人才(以下简称“优秀人才”)按1-7层次发放工作津贴或交通补贴,工作津贴分别为15000、12000、8000、5000、3000、1000、500元/人·月,交通补贴分别为15000、13000、11000、9000、6000、3000、1000元/人·次。

(二)培训补贴

对企业聘用的、年薪达个税自行申报额的高端人才,自达自行申报额年度起,三年内参照实缴个税地方留成部分的100%发放培训补贴,之后两年按50%标准发放。

(三)高端人才配套奖励

对入选国家千人计划、国家万人计划、福建省百人计划、福建省台湾百人计划的优秀人才,分别按国家级资助额的100%、省级资助额的50%一次性配套奖励。

(四)住房保障

对租住本市国际人才社区和高端人才社区人才房的优秀人才,按合同租金50%给予房租补助。其中,为本地企业服务满5年(时间可累计)且承租满5年的,根据个人意愿可申请购买所租住房,按购房时房产评估价的40%与5年合同租金50%之和给予购房补助;在本市其他社区购置商品房的,1—7层次分别按100、60、30、20、15、10、5万元的标准给予购房补贴,分三年兑现,但不与上述人才房购房政策重复享受。

(五)子女就学

根据调查摸底情况,每年单列安排公办优质中小学和幼儿园学位,专项用于保障优秀人才子女就学;优秀人才的子女就读本市国际(双语)学校的,1-4层次按实缴学杂费的30%补助,5-7层次分别按实缴学杂费的20%、15%、10%补助。

(六)医疗服务

优秀人才在本市公立医院就医,可享受绿色通道、先诊疗后付费特别服务;已参加医疗保险的,在扣除医疗保险报销部分后按30%的比例补助,1—7层次优秀人才年度最高限额分别为25、20、15、10、5、3、1万元。

高层次人才“海峡计划”

实施高层次人才“海峡计划”,推行“人才+项目”引才模式。经评审入后入选晋江市高层次人才“海峡计划”的创业团队和项目,按一类至五类,分别享受政策待遇。

(一)创业启动资金

按一类至五类,分别享受750万元、300万元、150万元、75万元、30万元的启动资金。

(二)成果转化资金

项目成果完成小批试制、成果鉴定并经客户使用认可的,按一类至四类,分别享受300万元、200万元、150万元、100万元的成果转化资金。

(三)社会风险投资

提供最高300万元社会风险投资。

(四)重大专项经费配套

福建省“百人计划”团队 1:0.5 。

(五)办公场所保障

按一类至五类,免费提供500平方米、300平方米、200平方米、100平方米、50平方米的工作场所,或享受12万元、8万元、5万元、3万元、2万元的场租补贴,连续补助3年。

(六)政府风险投资

经认定后3年内,项目任意年度销售额达到3000万元以上的,按一类至五类,分别享受500万元、300万元、250万元、200万元、150万元的政府风险投资。

(七)贷款贴息

对实现产业化的项目,按一类至五类,分别提供300万元、150万元、60万元、30万元、10万元的贷款贴息。

认定标准

晋江市集成电路产业优秀人才分为七层次,符合《晋江市知识产权优秀人才专项认定标准(试行)》和下列任一条目的人才均可认定为我市集成电路产业对应层次优秀人才。对于同时符合多个层次或条目的,按从高从优不重复原则确定优秀人才层次。对于未涵盖的其他相应层次的人才,由市委人才办会相关部门组织专家组或委托专业机构评定后报市委人才工作领导小组批准可纳入相应优秀人才层次。

第一层次

(一)国际顶级知名奖项获得者:诺贝尔奖、中国国家最高科学技术奖、美国国家科学奖章(总统科学奖)、美国国家技术创新奖章、法国全国科研中心科研奖章、英国皇家金质奖章、科普利奖章、图灵奖、菲尔兹奖、沃尔夫奖、阿贝尔奖、克拉福德奖、日本国际奖、京都奖、邵逸夫奖;

(二)国际电气和电子工程师协会(IEEE)奖章获得者;

(三)国际电气和电子工程师协会会士(IEEE Fellow)、国际计算机学会会士(ACM Fellow)、国际工程技术学会会士(IET Fellow)、美国物理学会会士(APS Fellow);

(四)美国工程界三大最高奖项:德雷铂奖(Charles Stark Draper Prize)、拉斯奖(Fritz J. and Dolores H. Russ Prize)、戈登奖(Bernard M. Gordon Prize)获得者;

(五)中国、美国、英国、德国、法国、日本、意大利、加拿大、瑞典、丹麦、挪威、芬兰、比利时、瑞士、奥地利、荷兰、西班牙、澳大利亚、新西兰、俄罗斯、以色列、印度、乌克兰、新加坡、韩国等的科学院院士、工程院院士(即成员member或高级成员fellow,见中国科学院国际合作局网站http://www.bic.cas.cn),台湾中央研究院院士;

(六)国家“千人计划”创新人才长期项目、创业人才项目、外国专家项目、顶尖人才与创新团队项目的入选者、国家“万人计划”杰出人才;

(七)中华人民共和国国际科学技术合作奖获得者;

(八)中国机械工程学会科技成就奖、青年科技成就奖获得者;

(九)中国机械工业科学技术奖特等奖前3位完成人;

(十)近10年,获得以下奖项之一者:

1. 国家自然科学奖、技术发明奖一等奖前3位完成人,国家科技进步奖特等奖前5位完成人,国家科技进步奖一等奖前3位完成人,省科学技术奖重大贡献奖获得者;

2. 中国青年科学家奖;

3. 长江学者成就奖。

(十一)近10年,担任以下职务之一者:

1. 国家科技重大专项专家组组长,且项目(课题)通过验收;

2. 国家科技支撑(攻关)计划项目负责人;

3. 国家重点研发计划重点专项项目组负责人;

4. 国家“973计划”项目首席科学家;

5. 国家“863计划”领域主题专家组组长;

6. 国家级人工智能或机器人领域大赛专家组组长;

7. 国家重点学科、重点实验室、国家级企业技术中心、工程技术研究中心首席专家、国家制造业创新中心技术委员会主任,且年薪高于6倍以上;

8. 八国集团成员国(美国、英国、德国、法国、日本、意大利、加拿大、俄罗斯)国家级重大科技计划项目负责人或首席科学家。

(十二)近10年,在《Nature》、《Science》或《Reviews of Modern Physics》杂志上以第一作者或通讯作者发表集成电路相关论文者;

(十三)在全球前25大半导体公司担任副总经理、副总裁或首席科学家以上职务累计5年以上者;

(十四)近10年,担任过世界500强企业及中国50强企业总部董事长(或总裁)、首席执行官、首席技术官(技术研发部门第一负责人)、首席设计官(工艺设计部门第一负责人)、首席质量官。

第二层次

(一)国际电气和电子工程师协会(IEEE)技术奖获得者;

(二)国家“千人计划”创新人才短期项目、青年项目、新疆西藏项目入选者;国家“万人计划”领军人才(包括科技创新领军人才、科技创业领军人才和百千万工程领军人才)、国家“万人计划”青年拔尖人才、“新世纪百千万人才工程”国家级人选、国家有突出贡献的中青年专家、全国杰出专业技术人才;

(三)国家杰出青年基金获得者、中国青年科技奖获得者、中国青年女科学家奖、享受国务院政府特殊津贴人员、全国优秀科技工作者、福建省引才“百人计划”入选者(含团队带头人)、福建省引进台湾高层次人才“百人计划”入选者;

(四)中国机械工业科学技术奖一等奖前2位完成人;

(五)近10年,获得以下奖项之一者:

1.国家自然科学奖、技术发明奖二等奖前3位完成人,国家科技进步奖二等奖第1完成人;

2. 国际发明展览会金奖第1完成人,同时是国家科技进步奖二等奖第2、3完成人;

3. 中国专利金奖前3位专利发明人(设计人);

4. 全国科技工作者创新创业大赛金奖项目前3位完成人;

5. 美国、英国、德国、法国、日本、意大利、加拿大科学基金杰出青年类资助奖之一者;

6. 全国质量奖个人奖(中国杰出质量人);

7. 泉州杰出人才奖。

(六)近10年,担任以下职务之一者:

1. 国家科技重大专项专家组副组长、项目(课题)组长,且项目(课题)通过验收;

2. 国家重点研发计划重点专项项目组副组长;

3. 国家“973计划”项目承担研究任务的项目专家组成员;

4. 国家“863计划”领域主题专家组副组长、召集人;

5. 国家自然科学基金重大项目资助的项目主持人、国家自然科学基金创新研究群体项目的项目负责人、国家重大科研仪器研制项目的项目负责人,且项目已结题;

6. 国家实验室主任、学术委员会主任,国家重点实验室主任、学术委员会主任,国家工程实验室主任、国家工程研究中心主任、国家工程技术研究中心主任、国家能源研发(实验)中心主任、国家级质检中心主任,且年薪高于6倍以上;国家制造业创新中心技术委员会副主任,且年薪高于4倍以上;

7. 八国集团成员国(美国、英国、德国、法国、日本、意大利、加拿大、俄罗斯)国立研究所所长、副所长、首席研究员或国家实验室主任、副主任、首席研究员;

8. 国际著名学术组织副主席、国际标准化组织(ISO)标样委员会委员;

9. 国际高水平科技期刊(《期刊分区》一、二区)正、副总编(主编)。

(七)在全球前25大半导体公司担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者;

(八)在集成电路设计、制造、集成器件制造(IDM)、封测、装备等领域全球前10大公司担任副总经理、副总裁或首席科学家以上职务累计5年以上者;

(九)在集成电路材料、电子设计自动化(EDA)工具软件、硅智财(SIP)全球前5大公司担任副总经理、副总裁或首席科学家以上职务累计5年以上者;

(十)担任过世界500强企业及中国50强企业总部副董事长、副总裁、副总经理或总部直属一级子公司(大洲级区域部门)主要负责人3年以上者;

(十一)在世界大学排名前200名的学校获评教授,并从事集成电路相关研究或教学者;

(十二)“长江学者奖励计划”特聘教授、讲座教授,并从事集成电路相关研究或教学者;

(十三)取得“985工程”高校和中国科学院大学博士研究生导师资格3年以上且取得正高级专业技术职务者,并从事集成电路相关研究或教学者;

(十四)获得全国集成电路“创业之芯”大赛特等奖项目的第1负责人。

第三层次

(一)科技部创新人才推进计划入选者、国家产业技术体系岗位专家、“新世纪百千万人才工程”省级人选、省部级有突出贡献的中青年专家、省(含副省级市)级以上优秀专家、省特支人才“双百计划”、省产业人才高地领军人才、省杰出青年科学基金获得者;

(二)中国机械工业科学技术奖二等奖第1位完成人;

(三)近10年,获得以下奖项之一者:

1. 国家科技进步奖二等奖第2、3位完成人,省科学技术突出贡献奖,省级科学技术进步奖、技术发明奖、自然科学奖一等奖前3位完成人;

2. 国际发明展览会金奖第2、3完成人或国际发明展览会银奖第1完成人,且同时符合以下条件之一:①省科技进步奖二等奖前3位完成人及以上,②取得正高级专业技术资格,③取得博士学历;

3. 中国专利优秀奖;省级专利金奖或特等奖、一等奖;

4. 中国人民解放军科学技术进步奖一等奖前3位完成人;

5. 全国科技工作者创新创业大赛银奖项目前3位完成人;

6. 国家部委主办的创新创业大赛行业总决赛特等奖的获奖项目核心团队前3位完成人,国家部委主办的创新创业大赛行业总决赛一等奖的获奖项目核心团队第1负责人;

7. 台湾工业总会、商业总会、工商协进会、中小企业总会、工业协进会、电电公会等六大工商团体评选或授予的最高奖项(行业公认奖项);

8. 中国科学院“百人计划”入选者。

(四)近5年,担任以下职务之一者:

1. 国家科技重大专项专家组成员、项目(课题)第1副组长、分课题组长,且项目(课题)通过验收;

2. 国家科技支撑(攻关)计划课题第1负责人且课题通过结题验收;

3. 国家重点研发计划重点专项任务(或课题)负责人;

4. 国家“973计划”项目首席科学家助理、课题组第1负责人,且课题通过结题验收;

5. 国家“863计划”主题项目或重大项目首席专家,且项目通过验收;

6. 国家“863计划”专题组组长、副组长,且专题通过验收;

7. “国家软科学研究计划”重大项目第1负责人且项目通过验收;

8. 科技部国际科技合作计划项目中方项目第1负责人且项目通过验收;

9. 国家自然科学基金的重点项目、重大研究计划项目、重点国际(地区)合作研究项目、组织间国际(地区)合作与交流项目、联合基金或优秀青年科学基金项目资助的项目总负责人(不含子项目),且项目通过结题验收;

10. 国家重点实验室、国家工程实验室、国家级企业技术中心、国家工程研究中心、国家工程技术研究中心、国家能源研发(实验)中心、国家级质检中心前2位副主任或工程学术(技术)委员会主任、国家能源研发(实验)中心学术委员会主任,且年薪高于4倍以上;

11. 全国专业标准化技术委员会副主任委员;参与国家标准制(修)订排名第2位起草人;行业标准制(修)订排名第1位起草人;

12. “闽江学者”特聘教授、“桐江学者”特聘教授入选者,并从事集成电路相关研究或教学者;

13. 高等院校国家重点学科带头人、国家精品课程负责人、教育部“211工程”高校国家重点学科博士生导师,并从事集成电路相关研究或教学者。

(五)在全球前25大半导体公司担任二级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者;

(六)在集成电路设计、制造、集成器件制造(IDM)、封测、装备等领域全球前10大公司担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者;

(七)在集成电路材料、电子设计自动化(EDA)工具软件、硅智财(SIP)全球前5大公司担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者;

(八)在集成电路设计、制造、封测等领域大陆或台湾前10大公司担任副总经理、副总裁或首席科学家以上职务累计5年以上者;

(九)在集成电路装备、材料等领域大陆或台湾前5大公司担任副总经理、副总裁或首席科学家以上职务累计5年以上者;

(十)担任过世界500强企业及中国50强企业总部副董事长、副总裁、副总经理或总部直属一级子公司(大洲级区域部门)主要负责人1年以上者;

(十一)在世界大学排名前200名的学校获评副教授,并从事集成电路相关研究或教学者;

(十二)在世界大学排名201-500名的学校获评教授,并从事集成电路相关研究或教学者;

(十三)取得“985工程”高校和中国科学院大学硕士研究生导师资格3年以上且取得正高级专业技术职务任职资格,并从事集成电路相关研究或教学者;

(十四)取得博士学位,且近5年在期刊分区表中列入大类一区的学术期刊上以第一作者或通讯作者发表2篇以上集成电路相关论文者;

(十五)获得全国集成电路“创业之芯”大赛一等奖项目的第1负责人。

第四层次

(一)国际电气和电子工程师协会(IEEE)、国际计算机学会(ACM)、 国际工程技术学会(IET)、美国物理学会(APS)等国际知名学会高级会员或资深会员;

(二)中国机械工业科学技术奖三等奖第1位完成人;

(三)近5年,获得以下项目之一者:

1. 省级科学技术进步奖、技术发明奖、自然科学奖二等奖前3位完成人、三等奖第1位完成人,地市级科学技术奖一等奖前3位完成人;

2. 国际发明展览会银奖第2、3完成人或国际发明展览会铜奖第1完成人,且同时符合以下条件之一:①省科技进步奖三等奖前3位完成人及以上, ②取得副高级以上专业技术职务任职资格,③取得国家一级职业资格;

3. 省级专利二、三等奖前3位专利发明人(设计人),地市级专利金奖或一等奖前3位专利发明人或设计人;

4. 中国人民解放军科学技术进步奖二等奖前3位完成人、三等奖第1位完成人;

5. 全国科技工作者创新创业大赛铜奖项目前3位完成人;

6. 国家部委主办的创新创业大赛行业总决赛二、三等奖的获奖项目核心团队的第1负责人,获得福建省创新创业大赛总决赛一等奖的获奖项目核心团队的第1负责人;

7. 福建青年科技奖;

8. 福建省优秀科技工作者;

(四)近5年,担任以下职务之一者:

1. 国家科技重大专项分课题前2位副组长,且项目(课题)通过验收;

2. 国家科技支撑(攻关)计划课题第2、3负责人,且课题通过结题验收;

3. 国家重点研发计划专题负责人;

4. 国家“973计划”课题组第2、3负责人,且课题通过结题验收;

5. 国家“863计划”课题组组长、副组长,子课题负责人,且课题通过结题验收;

6. “国家软科学研究计划”面上项目第1负责人,且课题通过结题验收;

7. 科技部国际科技合作计划项目中方主要参加人员前3位,且完成项目通过验收;

8. 国家自然科学基金年度项目、青年科学基金项目资助的项目第1负责人,且项目通过结题验收;

9. 省部级工程实验室主任、学术委员会主任,省部级(重点)实验室主任、学术委员会主任,省部级工程研究中心主任、省级企业技术中心主任、省级制造业创新中心技术委员会主任,且年薪高于4倍以上;

10. 全国专业标准化技术委员会分技术委员会主任委员;

11. 国家级服务型制造示范企业、国家级服务型制造示范项目实施主体企业总经理,国家级服务型制造示范平台负责人、省级服务型制造公共服务平台负责人,省级中小企业公共服务示范平台运营负责人、省级小微企业创业创新示范基地运营负责人,且年薪高于4倍以上;

12. 教育部“211工程”高校国家重点学科教授或研究员,并从事集成电路相关研究或教学者;

13. 福建省高校新世纪优秀人才计划入选者,并从事集成电路相关研究或教学者;

14. “省级制造业单项冠军产品”第1研发人员。

(五)在全球前25大半导体公司技术研发、工程部门、管理部门担任经理、功能主管、主任工程师、资深工程师、高级工程师或其他相应职务以上累计5年以上者;

(六)在集成电路设计、制造、集成器件制造(IDM)、封测、装备等领域全球前10大公司担任二级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者;

(七)在集成电路材料、电子设计自动化(EDA)工具软件、硅智财(SIP)全球前5大公司担任二级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者;

(八)在集成电路设计、制造、封测等领域大陆或台湾前10大公司担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者;

(九)在集成电路装备、材料等领域大陆或台湾前5大公司担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者;

(十)担任过世界500强企业或中国50强总部一级部门负责人或与之级别相当的专业技术人员、总部直属一级子公司(大洲级区域部门)副总或与之级别相当的专业技术人员等职务3年以上者;

(十一)取得“985工程”高校和中国科学院大学硕士研究生导师资格3年以上且取得副高级专业技术职务任职资格,并从事集成电路相关研究或教学者;

(十二)博士后出站留(来)晋江创业或工作者;

(十三)晋江市博士后科研工作站在站博士后;

(十四)取得世界大学排名前200名学校的博士学位,所学专业学科门类为理学、工学,且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者;

(十五)取得正高级专业技术职务任职资格者;

(十六)获得全国集成电路“创业之芯”大赛二等奖项目的第1负责人。

第五层次

(一)近5年,获得以下奖项之一者:

1. 省级科学技术进步奖、技术发明奖、自然科学奖三等奖第2、3位完成人,地市级科学技术奖二等奖前2位完成人、三等奖第1位完成人;

2. 国际发明展览会铜奖第2、3完成人,且同时符合以下条件之一:①地市级科技进步奖三等奖前3位完成人及以上,②取得副高级以上专业技术任职资格,③取得国家一级以上职业资格;

3. 地市级专利银奖、优秀奖或二、三等奖前3位专利发明人或设计人;

4. 中国人民解放军科学技术进步奖三等奖第2位完成人;

5. 福建省创新创业大赛总决赛二等奖的获奖项目核心团队的第1负责人。

(二)近5年,担任以下职务之一者:

1. 省部级(重点)实验室、学术委员会、省部级工程实验室、省部级工程研究中心、省级企业技术中心、省级制造业创新中心技术委员会副主任,且年薪高于2倍以上;

2. 全国专业标准化技术委员会分技术委员会副主任委员;

3. 担任国家级服务型制造示范企业、国家级服务型制造示范项目实施主体企业、省级服务型制造示范企业总经理,省级服务型制造示范平台负责人,且年薪高于2倍以上;

4. 省级学科(教学)、专业带头人,并从事集成电路相关研究或教学者;省级精品在线开放课程、共享课程负责人且项目通过验收,并从事集成电路相关研究或教学者。

(三)在集成电路设计、制造、集成器件制造(IDM)、封测、装备等领域全球前10大公司技术研发、工程部门、管理部门担任经理、功能主管、主任工程师、资深工程师、高级工程师或其他相应职务以上累计5年以上者;

(四)在集成电路材料、电子设计自动化(EDA)工具软件、硅智财(SIP)全球前5大公司技术研发、工程部门、管理部门担任经理、功能主管、主任工程师、资深工程师、高级工程师或其他相应职务以上累计5年以上者;

(五)在集成电路设计、制造、封测等领域大陆或台湾前10大公司担任二级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者;

(六)在集成电路装备、材料等领域大陆或台湾前5大公司担任二级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应职务以上累计5年以上者;

(七)取得国家一级职业资格的技术类人员或经全国统考取得国家最高等级职业资格的管理类人员,且从事职业资格所在领域工作2年以上,年薪高于2倍以上;

(八)取得博士学位者;

(九)取得世界大学排名前200名学校的硕士学位,所学专业学科门类为理学、工学或相关国家部委支持(筹备)建设示范性微电子学院的硕士学位,且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者;

(十)取得副高级专业技术职务任职资格者;

(十一)获得全国集成电路“创业之芯”大赛三等奖项目的第1负责人。

第六层次

(一)在国家鼓励的集成电路企业担任一级部门的部门负责人、技术负责人、总工程师或其他相应科研技术职务以上累计5年以上者;

(二)取得国家一级职业资格的技术类人员或经全国统考取得国家最高等级职业资格的管理类人员,且从事职业资格所在领域工作2年以上,年薪高于1倍以上;

(三)取得全日制硕士研究生学位;

(四)取得非全日制硕士研究生学位,所学专业学科门类为理学、工学,且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者;

(五)取得世界大学排名前500名学校的学士学位,所学专业学科门类为理学、工学,且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者;

(六)取得“985工程”高校、中国科学院大学的理学、工学学士学位,且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者;

(七)取得相关国家部委支持(筹备)建设示范性微电子学院的学士学位,且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者。

第七层次

(一)取得国家二级职业资格的技术类人员或经全国统考取得国家二级职业资格的管理类人员,且从事职业资格所在专业领域工作2年以上,年薪高于1.5倍以上;

(二)取得国家相关部委发布的“双一流”建设学科名单所属学科的理学、工学学士学位,且从事集成电路科研、技术、工程相关工作者。