紫光集团多个项目落户重庆

紫光集团多个项目落户重庆

4月18日,随着紫光集团重庆大楼正式投用,以及紫光数字工厂项目、紫光数字重庆项目、战略合作单位等签约活动集中举行,重庆直辖以来最重要的工业项目之一,有了多项新进展。

集成电路领军企业布局 成为重庆重磅工业项目

紫光集团是中国大型综合性集成电路领军企业、全球第三大手机芯片设计企业。

2018年2月12日,重庆市政府与紫光集团签署了战略合作协议及入驻两江新区的落地协议。

截至目前,紫光集团7个项目中的5个项目已签订投资协议,包括“智能安防+AI”、紫光云南方总部、金融科技、数字电视核心芯片全球总部及设计研发中心、移动智能终端芯片设计研发中心等,均在如期稳步推进中。

未来,紫光集团还将在渝布局高端芯片制造、无人驾驶等项目,涉及领域之广,让紫光项目成为重庆直辖以来最重磅的工业项目之一。

近千名员工入驻大楼 打造千亿“智能安防+AI”生态圈

记者在紫光集团重庆大楼投用现场了解到,紫光集团重庆大楼涵盖近2.2万平方米的办公区域和近千平方米的创新体验中心。

目前,紫光集团旗下的重庆紫光华山智安科技有限公司(下称紫光华智)、紫光南方云技术有限公司、紫光数字重庆技术有限公司、紫光金融信息服务有限公司4家子公司,及新华三集团重庆办事处等近千名员工均已正式入驻该大楼。

该项目的落地将有助于吸引更多高科技企业进驻重庆,推动重庆数字经济产业发展。

紫光华智是紫光集团入渝的“智能安防+AI”公司,也是紫光集团重庆大楼首批入驻的企业。

未来,紫光华智将作为相关“智能安防+AI”产品及解决方案的全球研发中心、运营及结算总部,打造千亿“智能安防+AI”生态圈,助力重庆建设成为具有国际竞争力的公共安全融合技术和智能安防的研发中心及产业基地。

多个项目集中签约 紫光入渝迅速拓展朋友圈

在昨日活动现场,紫光数字工厂、紫光数字重庆等多个项目集中签约。

重庆紫光数字工厂主要生产智能安防、服务器等产品,前期生产智能终端摄像头、智能硬盘录像机、智能视频分析服务器等产品,目标是成为一座全面信息化的智能制造样板工厂。

紫光数字重庆技术有限公司是两江新区云计算公司与紫光南方云技术有限公司共同成立的合资公司,将为重庆提供智慧城市、政务云、工业云、产业云等解决方案及服务,打造新型智慧城市重庆样板。

紫光旗下新华三集团与重庆交通开发投资集团宣布建立长期战略合作关系,将在智慧轨道、融合城轨云、智慧安防等领域展开全面合作。

此外,新华三集团与中冶赛迪集团宣布建立长期战略合作关系,将在云计算、大数据、物联网、信息安全、视频安防等技术领域开展创新合作。

联合创新中心揭牌 赋能重庆警务数字创新

2018年8月,紫光集团与重庆市公安局签订战略合作协议,共同成立重庆市公安局-新华三智慧公安联合创新中心和重庆市公安局-新华三智慧公安培训学院,在警务数字化建设、警务科技人才培养等方面开展广泛合作。

在活动现场,重庆市公安局-新华三智慧公安联合创新中心揭牌。

记者了解到,该联合创新中心将以服务实战为目标,开展警务联合创新和试点建设,包括“以预警为核心的人员精细刻画”“自动化数字办案”“智慧交通流量预测”“重庆公安大数据智能化和视频云试点建设”等,为重庆公安大数据智能化建设争创全国一流提供支撑和服务。

我国科学家另辟蹊径造出9纳米光刻试验样机

我国科学家另辟蹊径造出9纳米光刻试验样机

4月10日记者从武汉光电国家研究中心获悉,该中心甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制,采用远场光学的办法,光刻出最小9纳米线宽的线段,实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。

光刻机是集成电路生产制造过程中的关键设备,主流深紫外(DUV)和极紫外(EUV)光刻机主要由荷兰ASML公司垄断生产,属于国内集成电路制造业的“卡脖子”技术。2009年甘棕松团队遵循诺贝尔化学奖得主德国科学家斯特凡·W·赫尔的超分辨荧光成像的基本原理,在没有任何可借鉴的技术情况下,开拓了一条光制造新的路径。

9nm线宽双光束超衍射极限光刻试验样机

双光束超衍射极限光刻技术完全不同于目前主流集成电路光刻机不断降低光刻波长,从193纳米波长的深紫外(DUV)过渡到13.5纳米波长的极紫外(EUV)的技术路线。甘棕松团队利用光刻胶材料对不同波长光束能够产生不同的光化学反应,经过精心的设计,让自主研发的光刻胶能够在第一个波长的激光光束下产生固化,在第二个波长的激光光束下破坏固化;将第二束光调制成中心光强为零的空心光与第一束光形成一个重合的光斑,同时作用于光刻胶,于是只有第二束光中心空心部分的光刻胶最终被固化,从而远场突破衍射极限。

纳米加工三维结构的设计及实际光刻效果图

该技术原理自2013年被甘棕松等验证以来,一直面临从原理验证样机到可商用化的工程样机的开发困难。团队经过2年的工程技术开发,分别克服了材料,软件和零部件国产化等三个方面的难题。开发了综合性能超过国外的包括有机树脂、半导体材料、金属等多类光刻胶,采用更具有普适性的双光束超分辨光刻原理解决了该技术所配套光刻胶种类单一的问题。实现了微纳三维器件结构设计和制造软件一体化,可无人值守智能制造。

同时通过合作实现了样机系统关键零部件包括飞秒激光器、聚焦物镜等的国产化,在整机设备上验证了国产零部件具有甚至超越国外同类产品的性能。双光束超衍射极限光刻系统目前主要应用于微纳器件的三维光制造,未来随着进一步提升设备性能,在解决制造速度等关键问题后,该技术将有望应用于集成电路制造。甘棕松说,最关键的是,我们打破了三维微纳光制造的国外技术垄断,在这个领域,从材料、软件到光机电零部件,我们都将不再受制于人。

2018年中国集成电路产业销售额达6532亿元,产业结构趋于优化

2018年中国集成电路产业销售额达6532亿元,产业结构趋于优化

新华网报道,4月8日,工信部电子信息司集成电路处处长任爱光介绍了中国集成电路产业发展的最新情况。

2018年中国集成电路产业销售额6532亿元,2012年到2018年的复合增长率20.3%。

其中,中国集成电路设计业销售收入2519.3亿元,所占比重从2012年的35%增加到38%;制造业销售收入1818.2亿元,所占比重从23%增加到28%;封测业销售收入2193.9亿元,所占比重从42%变为34%,中国集成电路产业结构趋于优化。

与全球半导体市场比较,2018年全球半导体市场规模4779.4亿美元,2012年到2018年的复合增长率为7.3%,中国集成电路产业规模复合增长率是全球的近三倍。

不过,在设计、制造与封测产业链上,我国集成电路仍有需要做强的地方。

任爱光介绍,我国集成电路设计业产业规模不断壮大,先进设计水平达到7纳米,但仍以中低端产品为主;集成电路制造业,存储器工艺实现突破,14纳米逻辑工艺即将量产,但与国外仍有两代差距;集成电路封装测试业是与国际差距最小的环节,高端封装业务占比约为30%,但产业集中度需进一步提高。

安徽:先进制造业项目补助最高可达三千万元

安徽:先进制造业项目补助最高可达三千万元

今年,制造业获得的财政支持力度进一步加大。安徽省明确,支持符合年度重大支持方向且总投资1亿元以上(不含土地价款)的战略性新兴产业制造类项目,补助比例为项目核定关键设备投资的5%,单个项目补助最高可达3000万元。对实际总投资20亿元以上、引领发展方向、具有先发优势、填补省内空白的战略性新兴产业制造业项目,以及关键技术研发产业化和产业公共服务项目,省、市联合采取“一事一议”方式给予支持。

据了解,2017年至2018年,安徽财政厅连续两年每年安排“三重一创”建设专项引导资金60亿元,用于加快推进重大新兴产业基地、重大新兴产业工程、重大新兴产业专项建设,构建创新型现代产业体系,培育壮大经济发展新动能,主要包括支持新建项目、支持企业境外并购、补助研发生产设备投入、支持高新技术企业成长、支持创新平台建设、运用基金支持等10条措施。

去年,安徽省财政还下达制造强省建设资金,重点支持数字经济、机器人、集成电路、现代医疗医药等产业。 今年,在推动制造业高质量发展上,安徽省提出,采取设备补助、贷款贴息等方式引导和支持技术改造,实施亿元以上重点技改项目1000项。持续推进“三重一创”建设,支持符合条件的重大工程和产业园区升级为重大基地,培育打造智能家电、新型显示、新能源汽车、工业机器人等一批先进制造业集群。

宜兴中环领先8英寸大硅片将实现试生产,剑指世界前三

宜兴中环领先8英寸大硅片将实现试生产,剑指世界前三

3月13日,宜兴市人民政府官网透露,宜兴中环领先集成电路用大直径硅片项目入围江苏省级重大产业项目。

该项目总投资30亿美元,占地405亩,建筑面积21.7万平方米。其中,一期投资15亿美元,装备投入60亿元。项目满产后将可实现8英寸大硅片75万片、12英寸大硅片60万片的月产能。

此外,项目满产后还将实现8英寸大硅片进入世界前三、12英寸大硅片进入世界前五的目标,突破国外公司对大硅片的技术封锁和市场垄断。

该项目实施后,也将与无锡集成电路研发制造、江阴芯片封装形成产业配套,为集成电路“南方基地”回归提供支撑。

目前,项目一期生产8英寸大硅片的厂房已经封顶,今年上半年将实现试生产;生产12英寸大硅片的厂房已经开工,预计今年能够开展设备安装。

中芯宁波与宜确半导体联合宣布首次实现砷化镓射频前端模组晶圆级微系统异质集成

中芯宁波与宜确半导体联合宣布首次实现砷化镓射频前端模组晶圆级微系统异质集成

2019年1月30日,采用中芯集成电路(宁波)有限公司(以下简称“中芯宁波”)特有的晶圆级微系统集成技术(uWLSI®),中芯宁波和宜确半导体(苏州)有限公司(以下简称“宜确”)联合发布业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组。宜确也首次展示了封装尺寸仅为2.5×1.5×0.25立方毫米的射频前端模组,这也是目前业界最紧凑的射频前端器件;其第一个系列的产品预计将于2019年上半年在中芯宁波N1工厂投产,主要面向4G和5G智能手机市场,满足其对射频前端模组进一步微型化的需求。

“uWLSI®是一个先进的晶圆制造技术平台,不仅助力宜确的砷化镓pHEMT射频前端模组产品实现出众的微型化,而且显著提高其核心组件间互连的射频特性。”宜确表示:“这一关键性的晶圆级制造和系统测试技术,也有助于进一步简化芯片设计和制造流程。”

uWLSI®为中芯宁波的注册商标,意指“晶圆级微系统集成”;它是中芯宁波自主开发的一种特种中后段晶圆制造技术,尤其适用于实现多个异质芯片的晶圆级系统集成以及晶圆级系统测试,同时也消除了在传统的系统封装中所需的凸块和倒装焊工艺流程。

中芯宁波表示:“中芯宁波所开发的uWLSI®技术平台,正是为了满足多个异质芯片通过更多的晶圆级制造工艺来实现高密度微系统集成的迫切需求。uWLSI®技术不仅能够支持多种射频核心组件(包括砷化镓或氮化镓功放器件、射频滤波器、集成被动器件)的晶圆级异质微系统集成,支持下一代高性能、超紧凑的射频前端模组产品的要求,还将针对更广泛的系统芯片应用,成为一种新的有竞争力的微系统集成方案,包括微控制器、物联网和传感器融合。”

中芯宁波是一家特种工艺半导体制造公司,由中芯国际集成电路制造(上海)有限公司(SMIC)、中国集成电路产业投资基金以及其它集成电路产业基金共同投资。公司总部位于中国浙江省宁波市,拥有自己的特种工艺半导体晶圆制造工厂,为全球集成电路和系统客户提供高压模拟、射频前端以及光电系统集成领域的专业晶圆制造和产品设计服务。

宜确半导体是一家位于中国苏州的高科技企业。该公司不仅拥有开关、功率放大器和滤波器等高性能、高性价比的射频前端集成电路产品,而且能够提供创新的微波和毫米波无线通信专用集成电路和系统解决方案。

联电预计Q1客户晶圆需求将进一步减缓

联电预计Q1客户晶圆需求将进一步减缓

晶圆代工大厂联电 29 日公布 2018 年第 4 季营收。根据资料显示,2019 年第 4 季合并营收为355.2 亿元(新台币,下同),较第 3 季 393.9 亿元减少 9.8%,与 2017 年同期的 366.3 亿元相较,减少 3%。本季毛利率为 13%,归属母公司亏损为17.1 亿元,每股普通股亏损为0.14 元。

联电总经理王石表示,在 2018 年第 4 季,联电晶圆专工营收达到 354.9 亿元,较第 3 季减少 9.8%,营业亏损率为 1.3%。整体的产能利用率来到 88%,出货量为 171 万片约当 8 吋晶圆。虽然,第 4 季晶圆需求减缓,但是联电在 8 吋和成熟 12 吋制程仍继续保持稳定的产能利用率。在 2018 年第 4 季营收数字出炉之后,累计 2018 年全年营收 1,512.55 亿元,较 2017 年的 1,492.85 亿元,成长了 1.3%。

而针对 2019 年第 1 季展望,联电预计,本季晶圆出货量将比上季下滑 6% 到 7%,以美元计产品平均单价将季减 1% 到 2%。产能利用率从上季 88% 再降到介于 81% 到 83%,毛利率约 5%,也比上季的 13% 持续下降。此外,2019 年资本支出为 10 亿美元,较 2018 年资本支出的 7 亿美元有所增加。

王石对此指出,「由于入门款和中阶智能型手机前景低于预期、以及加密电子货币价值持续下跌,我们预计客户晶圆需求将进一步减缓。虽然正在进行的公司转型需要些时间才能发挥完整的综效与潜力。但到目前为止,我们策略执行的进展使公司更能够承受目前的挑战。」

台积电14B厂晶圆瑕疵,光阻原料不符规格造成

台积电14B厂晶圆瑕疵,光阻原料不符规格造成

晶圆代工厂台积电今天针对晶圆 14B 厂发生晶圆良率偏低问题再次发表声明,表示主要是 12 纳米及 16 纳米晶圆良率出问题,是供应商供应的光阻原料不符规格造成。

台积电指出,内部是在 1 月 19 日发现晶圆 14B 厂的 12 纳米及 16 纳米良率出现问题,经追查后了解问题出在一批光阻原料。

这批原料是来自一个与台积电有多年供货经验优良的厂商,台积电表示,但这批原料与过去供应的原料规格有相当误差。

台积电指出,内部立即停用这批不符规格的原料,并马上通知所有受到影响的客户。

台积电表示,过去 10 天已与所有受影响的客户密切沟通,包含相关补货和交期的细节,以目前 12 纳米与 16 纳米产能利用率估计,受影响的晶圆大部分能在第 1 季补回,这起事件应不影响第 1 季营运目标,季营收将约 73 亿至 74 亿美元,将季减 22%。

中芯国际14纳米2019年量产,首个客户将来自手机产业

中芯国际14纳米2019年量产,首个客户将来自手机产业

目前全球发展 7 纳米及其以下先进制程的只剩下台积电、三星及英特尔 3 家公司。其中,台积电 2019 年最快都要试产 5 纳米制程了。而相对于中国最大的晶圆代工厂中芯国际,虽然也表示也不会放弃先进制程研发。不过,技术水平与业界至少差了两代以上,已量产的最先进制程还是在 28 纳米制程上。对此,参与投资中芯国际的上海市政府日前在工作报告中表示,中芯国际的 14 纳米制程将于 2019 年量产。

中芯国际是目前中国最大的晶圆代工厂,在北京、天津、上海等地设置有 8 寸及 12 寸晶圆厂。其中,上海市的 12 寸晶圆厂建设于 2016 年,整个投资计划共斥资近百亿美元。未来,预计将发展 14 纳米,10 纳米,7 纳米等制程,满载产能可达每月 7 万片。

对此,2018 年 1 月底,中芯国际宣布参与子公司中芯南方的投资,并且导入国家集成电路基金及上海集成电路基金,三方同意向中芯南方分别投资 15.435 亿美元、9.465 亿美元及 8 亿美元,使中芯南方的注册资本额由 2.1 亿美元,增加到 35 亿美元,而三方的持股比例也分别达到 50.1%、27.04% 及 22.86%。累计三方对中芯南方的投资总金额将为 102.4 亿美元,资金主要用于 14 纳米及以下制程的研发生产制造。

根据中芯国际 2018 年第 3 季的财报显示,28 纳米的营收占比下降到了 7.1%,相较 2017 年同期还有 8.8% 的比例。至于,其占比下降的原因是,28 纳米存在全球性产能过剩问题。因此,在产能过剩的状况下,28 纳米制程不会进行更多扩张,预计要到 2019 年下半年才会出现新的 28 纳米产能。

而在 28 纳米制程节点之后,中芯国际还将推出 14 纳米 FinFET 制程。据之前相关媒体的报导指出,在中芯国际找来前三星与台积电高层梁孟松坐镇之后,其 14 纳米制程良率已达 95%,进展符合预期,并且已经进入了客户导入阶段,当前正在进行验证及 IP 设计中。中芯国际也指出,未来首个 14 纳米制程客户将来自手机芯片产业,预计会在 2019 年上半年量产。

台积电Fab 14B厂传晶圆瑕疵,台积电回应:影响评估中,暂不改本季财测

台积电Fab 14B厂传晶圆瑕疵,台积电回应:影响评估中,暂不改本季财测

根据供应链传出的消息,晶圆代工龙头台积电 28 日上午位于南科的 Fab 14 B 厂传出晶圆质量瑕疵问题,受影响的数量有上万片之多,且将在近期举行会议,统计整个损失状况及后续的处理事宜。对此,台积电的发言系统表示,目前查证的结果,Fab 14 B 厂的确有使用不合规格的化学原料,造成晶圆生产瑕疵,影响数量与损失,台积电还在第一时间调查处理。

根据供应链消息,台积电 28 日上午位于南科的 Fab 14 B 厂传出晶圆质量瑕疵。原因在于台积电进口一批不合规格的化学原料,使生产产生晶圆有瑕疵。因生产过程无法检查出来,生产后才有办法确认,预计影响的晶圆数量高达上万片,也造成产线短暂停摆。

消息来源还指出,这次受影响的 Fab 14 B 厂,主要为 12 / 16 纳米制程,客户涵盖 NVIDIA、联发科、华为海思等重量级客户,一旦发生晶圆质量瑕疵,对台积电营运有不小冲击。目前处理状况,台积电表示,正估计受影响晶圆数量,以及弥补措施,希望能将损害控制到最低。

台积电代理发言人孙又文指出,目前正后续统计与处理,也陆续联络客户。台积电应可有效控制到最低影响,现阶段暂时不会改变本季财务预测。后续会不会对供应商求偿,孙又文表示,要看与供应商谈判后的结果再来决定。