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日前，材料厂商鼎龙股份发布公告，旗下全资子公司湖北鼎汇微电子材料有限公司（以下简称“鼎汇微电子”）拟通过增资扩股引入战略投资者——湖北省高新产业投资集团有限公司（以下简称“湖北高投集团”）。

公告显示，为深化鼎汇微电子CMP抛光垫项目的下游市场拓展需求及未来业务发展需求，提升公司CMP 抛光垫产品的品牌影响力及拓宽项目融资渠道，鼎汇微电子拟引入国有大型投资公司资本，以增资扩股的方式引入战略股东湖北高投集团。

湖北高投集团以鼎汇微电子投资前估值7.5亿元的价格向其增资3000万元，其中400万元计入鼎汇微电子注册资本，余下2600万元计入鼎汇微电子资本公积。本次增资完成后，湖北高投集团持有鼎汇微电子3.85%的股份比例，鼎汇微电子注册资本共计增加400万元。

公告介绍称，鼎汇微电子是鼎龙股份利用首发超募资金于2015年12月投资设立，投入首发超募资金1亿元用于实施集成电路芯片抛光工艺材料的产业化一期项目。2017年7月，鼎龙股份再投入7600万元募集资金，继续由鼎汇微电子实施“集成电路芯片（IC）抛光工艺材料的产业化二期项目”。

截至2018 年12月，用于上述项目的首发超募资金及非公开募集资金已经全部使用完毕，集成电路芯片一二期项目已经建设完成并投产使用。公告显示，鼎汇微电子2018年营业收入为16.57万元，净利润为-471.78万元；2019年第一季度营业收入为41.56万元，净利润为-281.62万元。

这次的战略投资方——湖北高投集团成立于2005年，注册资本7.2亿元，总资产80多亿元。该公司是经湖北省政府同意，由湖北省科技厅联合襄阳、宜昌、黄石、鄂州葛店四个高新区共同发起成立，目前湖北省国资委持有其58.33%股份。

据官网介绍，湖北高投集团先后累计组建了50多支不同定位的股权投资基金，累计投资支持了近300多家创业企业，已投项目中有20多家企业通过IPO、借壳及并购等方式成功上市，40多家企业完成新三板挂牌。

值得一提的是，此次湖北高投集团投资鼎汇微电子也有意推动又一家企业IPO。双方签署的协议核心条款之一显示，若鼎汇微电子未能在2022年12月31日之前申报科创板的材料，并获得上交所的受理，湖北高投集团将有权要求原股东鼎龙股份进行股份回购。

核心条款还指出，若鼎汇微电子发生重大环保事故或安全生产事故，严重影响公司生产经营或成为公司IPO实质性障碍的；或鼎汇微电子、鼎龙股份因违反法律法规而遭受重大行政处罚或刑事处罚，以致鼎汇微电子IPO目的无法实现或使甲方的利益遭受重大损失的，湖北高投集团也有权要求原股东鼎龙股份进行股份回购。

可见，推动鼎汇微电子在科创板上市，是湖北高投集团与鼎龙股份此番达投资成协议的重要目标。

鼎龙股份表示，此次交易旨在进一步调整鼎汇微电子的股权结构，深化CMP抛光垫项目的下游市场拓展需求及未来业务发展需求，提升公司抛光垫产品的品牌影响力及拓宽项目融资渠道。本次股份增资后，鼎汇微电子将获得融资资金保障项目后续需求，将进一步充实其现金储备，为后续重点研发及市场拓展工作提供资金保障。

据了解，CMP即化学机械抛光（Chemical-MechanicalPlanarization），是在晶圆制造过程中使用化学及机械力对晶圆进行平坦化处理的过程。相关数据显示，CMP材料在半导体材料中整体占比高达7%，其中抛光垫在CMP材料中的价值量占比约60%。目前为止，我国集成电路制造环节所使用的CMP抛光垫几乎100%依赖进口，国产化势在必行。

鼎龙股份于2015年投资设立鼎汇微电子并正式启动CMP产业化项目，据其2018年年报显示，其CMP抛光垫已经实现销售，并获得了多家主流客户的认证和订单。

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近日，国家工信部副部长王志军在接受媒体采访时谈及中国芯片产业发展时表示，我国集成电路产业自2012年以来，以年均20%以上的速度快速增长，2018年全行业销售额6532亿元，技术水平也不断提高。

当前，我国芯片设计水平提升3代以上，海思麒麟980手机芯片采用了全球最先进的7纳米工艺；制造工艺提升了1.5代，32/28纳米工艺实现规模量产，16/14纳米工艺进入客户导入阶段；存储芯片进行了初步布局，64层3D NAND闪存芯片预计今年下半年量产；先进封装测试规模在封测业中占比达到约30%；刻蚀机等高端装备和靶材等关键材料取得突破。

不过，王志军也表示，与国际先进水平相比，我国集成电路的总体设计、制造、检测及相关设备、原材料生产还有相当的差距。

王志军指出，下一步，我国将更大范围更深层次地融入全球集成电路产业生态体系。坚持开放创新合作发展，推进产业链各环节开放式创新发展。坚持优化环境、机遇共享，对内外资一视同仁，加强知识产权保护，与全球集成电路产业界共同分享中国市场带来的发展机遇。

摩尔定律的延伸受到物理极限、巨额资金投入等多重压力，迫切需要别开蹊径延续工艺进步。而通过先进封装集成技术，可以更轻松地实现高密度集成、体积微型化和更低的成本。封装行业将在集成电路整体系统整合中扮演更重要的角色，也将对产业的格局形成更多影响。随着先进封装的推进，集成电路产业将展现出一些新的发展趋势，有先进封装的集成电路产业样貎将会有所不同。

先进封装增速远超传统封装

当前社会正处于新技术与新应用全面爆发的背景下，移动设备、大数据、人工智能、5G通信、高性能计算、物联网、智能汽车、智能工业等快速发展。这些技术与应用必将对底层芯片技术产生新的需求。据麦姆斯咨询的介绍，支持这些新兴大趋势的电子硬件需要高计算能力、高速度、更多带宽、低延迟、低功耗、更多功能、更多内存、系统级集成、更精密的传感器，以及最重要的低成本。这些新兴趋势将为各种封装平台创造商机，而先进封装技术是满足各种性能要求和复杂异构集成需求的理想选择。

目前来看，扇出型封装(FOWLP/)、系统级封装(SiP)、3D封装是最受关注的三种先进封装技术。扇出型封装是晶圆级封装中的一种，相对于传统封装具有不需要引线框、基板等介质的特点，因此可以实现更轻薄短小的封装。根据IC Insight预计，在未来数年之内，利用扇出型封装技术生产的芯片，每年将以32%的增长率持续扩大，2023年扇出型封装市场规模将超过55亿美元。

系统级封装可以将一个或多个IC芯片及被动元件整合在一个模块中，从而实现具有完整功能的电路集成，它也可以降低成本，缩短上市时间，同时克服了SoC中诸如工艺兼容、信号混合、噪声干扰、电磁干扰等难题。

3D封装通过晶圆级互连技术实现芯片间的高密度封装，可以有效满足高功能芯片超轻、超薄、高性能、低功耗及低成本的需求，被大多半导体厂商认为是最具有潜力的封装方法。

总之，在市场需求的带动下，越来越多先进封装技术被开发出来，先进封装的市场占比将会进一步扩大。统计数据显示，从2017年到2023年，整个半导体封装市场的营收将以5.2%的年复合增长率增长，而先进封装市场将以7%的年复合增长率增长，市场规模到2023年将增长至390亿美元，传统封装市场的复合年增长率则低于3.3%。

展现三大发展趋势

随着先进封装技术的发展以及市场规模的扩大，其对于整个集成电路产业结构将产生越来越大的影响。首先是中段工艺的出现并逐渐形成规模。随着传统封装技术向先进封装过渡，有别于传统封装技术的凸块(Bumping)、再布线(RDL)、硅通孔(TSV)等中段工艺被开发出来，并且开始发挥重要作用。中芯长电半导体首席执行官崔东表示，仅靠缩小线宽的办法已经无法同时满足性能、功耗、面积，以及信号传输速度等多方面的要求，因此半导体企业开始把注意力放在系统集成层面来寻找解决方案，也就是通过先进的硅片级封装技术，把不同工艺技术代的裸芯封装在一个硅片级的系统里，兼顾性能、功耗和传输速度的要求。这就产生了在硅片级进行芯片之间互联的需要，进而产生了凸块、再布线、硅通孔等中段工艺。而中段硅片加工的出现，也打破了前后段芯片加工的传统分工方式。

其次，制造与封装将形成新的竞合关系。由于先进封装带来的中段工艺，封测业和晶圆制造业有了更紧密的联系，在带来发展机遇的同时，也面临着新的挑战。中段封装的崛起必然挤压晶圆制造或者封装测试业的份额。有迹象表明，部分晶圆厂已加大在中段封装工艺上的布局。晶圆厂有着技术和资本的领先优势，将对封测厂形成较大的竞争压力。传统封测厂较晶圆制造业相比属于轻资产，引入中段工艺后，设备资产比重较传统封装大大增加，封测业的先进技术研发和扩产将面临较大的资金压力。

最后，推动集成电路整体实力的提升。后摩尔时代的集成电路产业更强调产业链的紧密合作，强化产业链上下游之间的内在联系，要求各个环节不再是割裂地单独进行生产加工，而是要求从系统设计、产品设计、前段工艺技术和封测各个环节开展更加紧密的合作。企业对于先进封装业务的竞争，最终还需表现为产业链之间综合实力的竞争。

中国应加快虚拟IDM生态链建设

近几年中国集成电路封测产业实现了高速发展，有了长足的进步，然而国内集成电路封测产业链整体技术水平不高也是不争的事实。半导体专家莫大康认为，中国现在非常重视集成电路产业，推动先进封装业的发展就是非常必要的了。中国的封装测试是集成电路三业(设计、制造、封测)中起步最早的，与国际水平差距也比较小，因此完全有能力发展起来。

华进半导体总经理曹立强在近日的演讲中再次提出，推动国内“EDA软件—芯片设计—芯片制造—芯片封测—整机应用”集成电路产业链虚拟IDM生态链的建设，以市场需求牵引我国集成电路封测产业快速发展。集成电路的竞争最终会表现为产业链之间综合实力的竞争，先进封装的发展需要从工艺、设备和材料等方面的协同。

在新的技术趋势和竞争环境下，集成电路产业越来越表现为产业链整体实力的竞争。过去几年，国际半导体制造公司纷纷加大力度向先进工艺挺进，在持续大规模资本投入扩建产能的带动下，一些半导体制造大厂同样具备了完整的先进封装制造能力。

应对这样的产业形势，曹立强指出，重点在于突破一些关键性技术，如高密度封装关键工艺、三维封装关键技术、多功能芯片叠层集成关键技术、系统级封装关键技术等。建设立足应用、重在转化、多功能、高起点的虚拟IDM产业链，解决集成电路产业领域的关键技术，突破技术瓶颈。

清华控股对紫光集团的股权转让事宜有了新进展。

2018年10月，紫光集团的实际控制人清华控股与深圳市投资控股有限公司（以下简称“深投控”）及紫光集团共同签署《合作框架协议》，清华控股拟向深投控转让所持有的紫光集团36%股权，深投控以现金支付对价。股权转让完成后，深投控、清华控股将在紫光集团分别持股36%、15%。

公告显示，《合作框架协议》签订后，清华控股、深投控、紫光集团将在上述合作原则的基础上推进相关工作，深投控安排专业机构对紫光集团进行尽职调查，力争自《合作框架协议》签订之日起1个月内签订正式交易文件。 

如今距协议签订之日已过去3个月时间，终于传来进展消息。

1月28日，紫光集团旗下港股上市公司紫光控股发布公告称，截至本公告日期，深投控仍在对紫光集团进行尽职调查，但该项工作已接近尾声。同时，清华控股、紫光集团及深投控仍在就将签署的转让协议及一致行动协议的内容进行协商，暂无其他进展。

根据此前公告，清华控股和深投控应在签署股权转让协议的当天，签署《一致行动协议》或作出其他安排，约定本次股权转让完成后由清华控股和深投控一致行动或作出类似安排，达到将紫光集团纳入深投控合并报表范围的条件，以实现深投控对紫光集团的实际控制。

深投控是深圳市人民政府国有资产监督管理委员会全资子公司，据悉是深圳国资旗下六大投资平台之一，是深圳最大的国资运作平台、国有资本投资界的“巨无霸”，集中了深圳市属国有主要金融资产，资产规模高达数千亿。

这次股份转让被业界看做是紫光集团的第三次改革。清华控股表示，通过跨地域国有产权的合作，可以进一步提升紫光集团的发展潜力和竞争力，更好地发挥协同和整合效应，从而实现强强联合，进一步促进公司的健康发展。

尽管相关协议仍在协商，但随着尽职调查工作进入尾声，紫光集团纳入深圳国资旗下的时间将越来越近。

1月9日，耐威科技发布公告称，旗下全资子公司将对外投资设立参股子公司，专门从事导航与DSP芯片。

根据公告，耐威科技全资子公司北京微芯科技有限公司（以下简称“微芯科技”）与北京中自投资管理有限公司（以下简称“中自投资”）、北京顶芯科技中心（有限合伙）（以下简称“顶芯科技”）签订《投资协议书》，共同投资设立参股子公司北京中科昊芯科技有限公司（暂定名，以下简称“中科昊芯”）。

其中，微芯科技拟使用自有资金人民币1000万元投资中科昊芯，持有中科昊芯34%的股权；中自投资以及顶芯科技则分别持有中科昊芯9.75%、56.25%的股权，中自投资是中国科学院自动化研究所独资设立的资产管理公司，而顶芯科技的三位主要核心人员亦均在中国科学院自动化研究所工作。

耐威科技指出，根据公司的发展战略与规划，此次微芯科技投资设立的参股子公司主要从事 导航与DSP芯片的研发设计，有利于促进公司与中国科学院自动化研究所在相关业务领域的合作，充分发挥各方的技术及资金、市场等优势，聚合资源，促进公司相关业务的长远发展。

据了解，DSP芯片（Digital Signal Processor，高性能数字信号处理器）可将模拟信号转换成数字信号，用于专用处理器的高速实时处理，具有高速、灵活、可编程等功能，在图形图像处理、语音处理、信号处理等通信领域起到越来越重要的作用。目前，全球DSP芯片大部分市场份额被TI、ADI、摩托罗拉等国际厂商所占有。

中国科学院自动化研究所于1985年即成立了国家专用集成电路设计工程技术研究中心，自上世纪九十年代即开始致力于DSP领域的研究工作。2000年起，该中心承担了多项国家重大任务，自主研制成功一系列具有国内领先、国际先进水平的DSP芯片产品。

目前，耐威科技一方面大力发展导航、MEMS、航空电子三大核心业务，一方面积极布局智能制造、无人系统、第三代半导体材料和器件等业务。公告称，中科昊芯若能顺畅运营并充分发挥各项优势，成功推动自主导航与DSP芯片的研发及产业化，将对公司相关业务的发展产生积极影响。

日前耐威科技发布业绩预告，预计2018年1-12月归属上市公司股东的净利润9202.53万元至1.07亿元，同比上升90.00%~120.00%。

日前，设备厂商北方华创拟募资21亿元投建两大项目，其中5/7纳米集成电路设备为建设重点，大基金、北京集成电路等参与认购。

募资21亿元，大基金等参与认购

1月4日，北方华创公告称，公司拟向国家集成电路产业投资基金股份有限公司（以下简称“大基金”）、北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）、北京京国瑞国企改革发展基金（有限合伙）（以下简称“京国瑞基金”）、北京集成电路制造和装备股权投资中心（有限合伙）（以下简称“北京集成电路基金”）共4名符合中国证监会规定的特定对象非公开发行股票募集资金，募集资金总额不超过21亿元。

上述4名认购方均以现金方式认购，其中大基金认购金额为9.2亿元、北京电控认购金额为6亿元、京国瑞基金认购金额为5亿元、北京集成电路基金认购金额为8000万元。北方华创于2019年1月4日与上述发行对象签署了附条件生效的《股份认购协议》。

公告显示，在本次非公开发行前，大基金持有公司7.50%股份，本次发行完成后预计仍持有公司 5%以上的股份；北京电控持有公司48.13%股份，为公司实际控制人，本次发行完成后北京电控仍为公司实际控制人。

北方华创表示，公司通过本次非公开发行，积极布局新技术，提升公司集成电路设备技术水平；增强核心竞争力，进一步实现公司战略目标；发挥资本的作用，加速公司规模化发展的步伐。

投建两大项目，发力5/7纳米

这次非公开发行股票所募集资金扣除发行费用后，将全部用于“高端集成电路装备研发及产业化项目”和“高精密电子元器件产业化基地扩产项目”的建设。其中，高端集成电路装备研发及产业化项目预计投资总额20.05亿元，拟使用募集资金18.80亿元；高精密电子元器件产业化基地扩产项目预计投资总额2.42亿元，拟使用募集资金2.20亿元。

报告显示，高端集成电路装备研发及产业化项目的建设内容包括：28纳米以下集成电路装备搭建产业化工艺验证环境和实现产业化；建造集成电路装备创新中心楼及购置5/7纳米关键测试设备和搭建测试验证平台；开展5/7纳米关键集成电路装备的研发并实现产业化应用。

该项目设计产能为年产刻蚀装备30台、PVD装备30台、单片退火装备15台、ALD装备30台、立式炉装备30台、清洗装备30台。项目总计划工期25个月，完全达产后预计达产年年平均销售收入为 26.38亿元。

从建设内容可见，5/7纳米集成电路装备为该项目的建设重点。北方华创指出，5纳米技术代优势明显，将成为集成电路制造技术发展的必然趋势，AI、5G等先进技术对芯片高性能、低功耗提出的更高要求也将带动集成电路芯片向 5/7 纳米发展。

这种发展趋势对于集成电路设备产业有着很大的影响，一方面，为了满足制造工艺的苛刻要求，设备研发中需要攻克的技术难点更多、研发投入更大、研发周期更长， 需要有充足的核心技术研发储备；另一方面，如果设备研发成功，设备的售价将较以往技术代的设备售价更高，投资回报更加可观。 

目前，北方华创的14纳米设备已交付至客户端进行工艺验证，这次募投项目将在28纳米的基础上，进一步实现14纳米设备的产业化，开展5/7纳米设备的关键技术研发。

此外，高精密电子元器件产业化基地扩产项目预计投资总额2.42亿元，拟使用募集资金2.20亿元。项目建设内容包括厂房建设、生产设施、辅助动力设施、环保设施、安全设施、消防设施、管理设施等。项目设计产能为年产模块电源5.8万只，总计划工期24个月，完全达产后预计达产年年平均销售收入为 1.62亿元。

北方华创表示，本次募投项目顺利实施后，公司整体技术实力将进一步提高，主营业务优势将进一步加强，高端半导体装备的产业化能力也将实现快速发展，有利于进一步提升公司的市场影响力、提高盈利水平。

日前上海新昇大硅片刚通过了中芯国际的认证，如今另一家大硅片企业杭州立昂微电子股份有限公司（以下简称“立昂微电”）亦递交了IPO招股书，拟登陆A股。

招股书显示，立昂微电拟在上海证券交易所首次公开发行新股4058万股，占发行后总股本的比例不低于10.00%、不超过10.131%，募集资金13.5亿元用于年产120万片集成电路8英寸硅片项目和年产12万片6英寸第二代半导体射频集成电路芯片项目。

横跨分立器件、硅片两大细分领域

资料显示，立昂微电成立于2002年3月，是一家专注于集成电路用半导体材料和半导体功率芯片设计、开发、制造、销售的高新技术企业。

立昂微电自身主要从事半导体分立器件业务，主要产品包括肖特基二极管芯片、MOSFET芯片、肖特基二极管等。据悉，立昂微电成立之初引进安森美的全套肖特基芯片工艺技术、生产设备及质量管理体系，建立了6英寸半导体生产线，随后于2012年收购日本三洋半导体和日本旭化成MOSFET功率器件生产线。

招股书显示，2016年立昂微电顺利通过博世和大陆集团的体系认证，成为国内少数获得车载电源开关资格认证的肖特基二极管芯片供应商，2017年立昂微电以委外加工模式将产品线拓展延伸至半导体分立器件成品。根据中国半导体行业协会最新统计，立昂微电在2017年中国半导体功率器件十强企业评选中位列第八名。

2015年，立昂微电全资收购国内半导体硅片制造企业浙江金瑞泓，其主营业务从分立器件延伸至上游半导体硅片。目前拥有浙江金瑞泓、立昂半导体、立昂东芯、衢州金瑞泓、金瑞泓微电子5家控股子公司，以及绿发农银、绿发金瑞泓、绿发立昂3家参股有限合伙企业。

其中，浙江金瑞泓、衢州金瑞泓主要从事半导体硅片业务，主要产品包括硅研磨片、硅抛光片、硅外延片等；金瑞泓微电子主要从事12英寸半导体硅片业务，立昂东芯主要从事微波射频集成电路芯片业务。

2016年12月，在衢州市委、市政府的支持下，立昂微电在衢州投资50亿元，建设集成电路用大硅片基地，成立了金瑞泓科技（衢州）有限公司。今年3月，立昂微电投资的8英寸硅片生产线项目已正式投产；今年5月，立昂微电子与衢州政府签约，在衢州再追加投资83亿元，建设年产360万片集成电路用12英寸硅片项目。

截至2017年底，浙江金瑞泓具备月产12万片8英寸硅抛光片的生产能力，还具有8英寸硅外延片的批量生产能力，并已完成12英寸硅片的相关技术开发，客户群体包括AOS、ONSEMI、日本东芝、中芯国际、华虹宏力、华润上华、华润微电子、士兰微等企业。

根据中国半导体行业协会统计，报告期内浙江金瑞泓在2015年至2017年中国半导体材料十强企业评选中均位列第一名。

立昂微电于2015年、2016年、2017年、2018年1-6月依次实现营收为5.91亿元、6.70亿元、9.32亿元、5.26亿元，实现净利润依次为3824.03万元、6574.29万元、1.05亿元、5601.43万元。分立器件和硅片两大主营业务收入占其营收比重均在98%以上，其中半导体硅片收入占主营业务收入的比例依次为60.11%、57.00%、52.30%、60.71%。

募资13.5亿元用于两大主业

招股书显示，立昂微电本次公开发行不超过4058万股A股普通股，实际募集资金扣除发行费用后的净额将依次用于与公司主营业务相关的两大投资项目：年产120万片集成电路8英寸硅片项目和年产12万片6英寸第二代半导体射频集成电路芯片项目。

这次募投项目总投资约17.12亿元，拟使用募集资金投入不超过13.5亿元，若实际募集资金（扣除发行费用后）不能满足上述项目的投资需要，资金缺口由公司通过自筹方式解决。

其中，8英寸硅片项目总投资约7.04亿元，拟投入募集资金5.5亿元，项目用地约136亩，将新增单晶炉等共计360台（套）设备，项目设计年产能为120万片集成电路用8英寸硅片，项目计划建设期为24个月，项目达产后预计年新增销售收入4.8亿元。

立昂微电表示，该硅片项目是现有业务的扩大再生产，为公司发挥规模效应、提高市场占有率提供有力保障，能快速扩大企业8英寸硅片产品的生产规模，缓解当前产能压力，提升公司盈利能力。

此外，6英寸射频芯片项目总投资约10.08亿元，拟投入募集资金8亿元，将新增刻蚀机等各类生产、检测及辅助设备、仪器共计248台（套），项目设计年产能为12万片6英寸第二代半导体射频集成电路芯片（砷化镓微波射频集成电路芯片），项目建设期为60个月，项目达产后预计年新增销售收入10.08亿元。

立昂微电亦指出，公司现已具备量产砷化镓芯片的能力，相关产品已处于认证阶段，该射频芯片项目是对现已业务的延伸和扩展，将丰富和完善公司的产品结构和业务体系，进一步提升公司的市场竞争力。

近年来不断有半导体企业冲刺IPO，今年更甚。证监会今年曾发声支持国内符合条件的芯片产业企业上市融资，业界认为该表态将明显利好于芯片企业冲刺IPO，此次立昂微电能否顺利过会？我们且拭目以待。