填补江西半导体晶圆生产线空白!200亿元芯片项目落户赣州

填补江西半导体晶圆生产线空白!200亿元芯片项目落户赣州

近日,赣州经开区成功举行名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目签约仪式,与名芯有限公司(香港)、电子科技大学广东电子信息工程研究院正式签订功率芯片项目投资合同。

据赣州经开区微新闻报道,名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目由名芯有限公司(香港)、赣州经开区管委会、电子科技大学广东电子信息工程研究院共同投资,项目总投资约200亿元,用地550亩。

据了解,该项目共分两期建设:项目一期建设一条8英寸0.09-0.11μm功率晶圆生产线,投资约65亿元(其中进口晶圆制造设备约36亿元、厂房约15亿元),目标产能8万片/月,目标年产值40亿元;项目二期规划建设第三代6/8英寸晶圆制造生产线或12英寸硅基晶圆制造生产线,投资约140亿元,项目整体达产达标后年产值过百亿元。

项目涉及产品类型包括IGBT、功率MOS、功率IC、电源管理芯片等,覆盖全球功率器件领域全部类别中80%品种。项目建成后,将填补全省半导体晶圆生产线空白,也是全市首个总投资超200亿元的电子信息产业项目。

赣州市委常委、赣州经开区党工委书记李明生表示,赣州经开区是赣州“赣粤电子信息产业带”的核心区和龙头,规划建设了总面积32.5平方公里的电子信息产业园,推进了一大批项目投产达产,已具备较好的产业发展基础和较完备的产业链条。

比亚迪微电子与蓝海华腾签订合作协议

比亚迪微电子与蓝海华腾签订合作协议

11月22日,深圳市蓝海华腾技术股份有限公司(以下简称“蓝海华腾”)发布《关于与深圳比亚迪微电子有限公司签署战略合作框架协议的公告》。公司于深圳比亚迪微电子有限公司(以下简称“比亚迪微电子”)就电机控制器单元、集成式电控、IGBT模块及晶圆、SiC模块及晶圆、电流传感器等产品的应用与推广达成合作共识,共同拟定战略合作框架协议书。

资料显示,蓝海华腾成立于2006年,2016年3月登陆深交所创业板。公司主营业务从事工业自动化控制产品的研发、生产和销售,掌握电机驱动的核心控制技术,同时具有完善的产业化设计和生产能力。截至2019年上半年,公司电动汽车电机控制器产品实现营业收入7086.10万元,在营业收入总额中占比57.71%;中低压变频器产品实现营业收入5193.21万元,在营业收入总额中占比42.29%。

比亚迪微电子成立于2004年,专注于新型电力电子器件及模块的开发与生产。目前已形成包括功率半导体器件、IGBT功率模块、电源管理IC、CMOS图像传感器、指纹识别芯片、触摸控制IC、LED、智能安防监控在内的完整产业链布局,产品已广泛应用于汽车、能源、工业、通讯和消费类电子多个领域。

蓝海华腾指出,公司与比亚迪微电子开启战略合作,有利于实现公司向上游核心原材料如IGBT模块及晶圆、SiC模块及晶圆等关键技术领域的战略延伸,实现成本优化控制和原材料供给保障,此外,双方合作有利于公司在电动汽车电机控制器及相关产品的技术推动和产业布局。

二度闯关成功!IGBT厂商斯达股份IPO过会

二度闯关成功!IGBT厂商斯达股份IPO过会

11月21日,证监会第十八届发审委会议审核结果显示,嘉兴斯达半导体股份有限公司(以下简称“斯达股份”)(首发)获通过,意味着斯达股份即将在上海主板上市。

2018年10月,证监会披露了斯达股份的招股书;今年10月,斯达股份更新招股书。招股书显示,公司拟在上交所主板发行股份数不超过4000万股,募集资金8.20亿元用于新能源汽车用IGBT模块扩产项目等。

发审会上,发审委就斯达股份的收入和费用、自主研发芯片采购金额及数量占芯片采购总额比例快速增长、实际控制人及副总经理均具有同行业公司从业经历等相关问题提出询问,要求斯达股份代表说明情况。

资料显示,斯达股份成立2005年4月,2011年11月底整体变更设立为股份公司,其主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产,并以IGBT模块形式对外实现销售。斯达股份分别于2011年和2015年成功独立地研发出NPT型芯片和FS-Trench芯片,并量产制造成模块,应用于工业控制及电源、新能源、变频白色家电等行业。

招股书指出,目前国内IGBT模块至今仍几乎全部依赖进口,市场主要由欧洲、日本及美国企业占领。相关数据显示,斯达股份2017年在IGBT模块全球市场份额占有率国际排名第10位,在中国企业中排名第1位;在IGBT行业,斯达股份占全球市场份额比率约为2.0%,相比排名第一的英飞凌22.4%的市场份额仍有较大的差距。

随着全球制造业向中国的转移,中国已逐渐成为全球最大的IGBT市场,IGBT国产化需求刻不容缓。目前,我国IGBT产业化水平有了一定提升、部分企业已实现量产,如斯达股份自主研发的第二代芯片(国际第六代芯片FS-Trench)已实现量产,成功打破了国外跨国企业长期以来对IGBT芯片的垄断。

经营业绩方面,2016年至2019年1-6月,斯达股份实现营业收入分别为3.01亿元、4.38亿元、6.75亿元、3.66亿元;实现归母净利润分别为2146.47万元、5271.96万元、9674.28万元、6438.43万元;综合毛利率分别为27.97%、30.60%、29.41%、30.24%。

这次申请登陆上交所,斯达股份拟发行股份数不超过4000万股,募集资金8.20亿元,将投资于以下项目:新能源汽车用IGBT模块扩产项目、IPM模块项目(年产700万个)、技术研发中心扩建项目、补充流动资金。

其中,新能源汽车用IGBT模块扩产项目总投资规模2.50亿元,拟投入募集资金2.50亿元,将形成年产120万个新能源汽车用IGBT模块的生产能力;IPM模块项目(年产700万个)总投资规模2.20亿元,拟投入募集资金2.20亿元,将形成年产700万个IPM模块的生产能力。

技术研发中心扩建项目总投资规模1.50亿元,拟投入募集资金1.50亿元,将建立具有IGBT 芯片设计和后道工艺研发能力的技术研发中心。补充流动资金总投资规模2.00亿元,拟投入募集资金2.00亿元,有利于保证公司生产经营所需资金、进一步优化资产负债结构及降低财务风险。

斯达股份表示,此次募集资金运用全部围绕主营业务进行,以增强本公司在IGBT领域的竞争优势和市场地位,丰富完善本公司产品结构、提升产能及提高新技术和新产品的研发能力,满足客户对产品的需求。项目的实施将进一步提高本公司盈利能力和市场竞争地位,确保本公司持续稳定发展。

事实上,2012年斯达股份曾向证监会申请IPO,但最后于2013年宣布终止审查。如今二度闯关终于成功过会,斯达股份表示发行后未来三年,将持续投入研发经费,加强自主创新的研发能力,开拓产品线、提升产品性能和拓宽产品应用领域,提升公司核心竞争力,不断完善和优化专业化营销体系和管理流程,提升企业的品牌知名度,扩大区域及行业的覆盖,积极开拓国内外市场。

11月27日,由集邦咨询旗下DRAMeXchange主办的“2020存储产业趋势峰会”即将在深圳举办,欢迎参会。

总投资1亿美元的中芯圆综合半导体生产基地项目落户山东德州

总投资1亿美元的中芯圆综合半导体生产基地项目落户山东德州

近日,中芯圆综合半导体生产基地项目签约仪式在山东德州经开区举行。

据悉,该项目由深圳熠宇科技有限公司投资1亿美元建设,将成为开发区发展外向型经济的生动实践。项目占地面积50亩,总规划建筑面积4万平方米,将购置国际先进的生产及检测、研发设备617台/套,主要生产半导体芯片等产品。

该项目在技术方面拥有最新SJMOS芯片及IGBT芯片研发制造技术,能够攻克现有中国半导体市场货源不稳定、产品分散、电子波问题及应用方面常见问题,预计前四年销售额分别达到12亿元、26亿元、38亿元和51亿元,解决就业300人以上,经济效益和社会效益明显。

德州经开区指出,中芯圆综合半导体生产基地项目属于新旧动能转换范畴,是山东省支持产业,作为有研半导体的下游企业,能够充分利用资源优势,促进半导体上下游企业的引进,具有良好的产业价值。

中芯绍兴8英寸产线最新进展:超150台设备搬入工厂

中芯绍兴8英寸产线最新进展:超150台设备搬入工厂

作为浙江省第一条8英寸晶圆代工生产线,中芯国际绍兴8英寸生产线项目正在有序进行。

绍兴集成电路产业园官方平台消息,据中芯国际绍兴8英寸生产线项目方负责人介绍,目前已经有超过150台设备搬入工厂,单机调试已经完成50%,下个月进行联机调试,根据计划将于2020年投产。

2018年3月1日,绍兴市与国内晶圆代工龙头中芯国际签署协议,5月18日正式奠基开工,仅用79天。2019年3月,项目完成厂房结构封顶,6月19日,中芯绍兴MEMS和功率器件芯片制造及封装测试生产基地项目举行主体工程结顶仪式。

资料显示,中芯绍兴项目已经被列入浙江省市两级重点项目,位于绍兴集成电路小镇,是绍兴集成电路小镇全产业链发展的关键性项目,最终将打造成为国内领先,世界一流的特色工艺半导体企业。

该首期总投资58.8亿元,占地207.6亩,总建筑面积14.6万平方米,引进一条51万片8英寸特色集成电路制造生产线和一条年产模组19.95亿颗封装测试生产线。项目一期达产后,可实现年产值45亿元。主要产品包括MEMS、IGBT、MOSFET、RF等产品线。

10亿元 国电南瑞拟与联研院合资设立功率半导体公司

10亿元 国电南瑞拟与联研院合资设立功率半导体公司

10月17日,国电南瑞科技股份有限公司(以下简称“国电南瑞”)发布公告称,拟与国家电网有限公司(以下简称“国网公司”)下属科研单位全球能源互联网研究院有限公司(以下简称“联研院”)共同投资设立南瑞联研功率半导体有限责任公司(以工商部门核准名称为准,以下简称“合资公司”),由该合资公司实施IGBT模块产业化项目的部分投资。

公告指出,国电南瑞拟以IGBT模块产业化项目的部分募集资金55,864.45万元出资,占合资公司69.8305625%股权,联研院以技术作价出资24,135.55万元(该出资技术的评估值已经国有资产管理单位备案),占合资公司30.17%股权。涉及变更实施主体的计划投资额55,864.45万元,占IGBT模块产业化项目投资额的33.98%,占公司募集资金总筹资额的9.15%,相关募集资金用途、建设内容、地点等不变。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是国家产业政策重点支持发展的功率半导体器件,技术难度大、研发及产线建设周期长、资金投入大,核心技术一直被国外企业垄断,目前国内高端人才缺乏,国内仅有少量厂商开展高压IGBT研制业务。联研院是国家电网公司直属科研单位,国内首家专业从事全球能源互联网关键技术和设备开发的高端科研机构。

联研院于2010年开始研究功率半导体器件,拥有100多人的技术团队和先进的功率器件中试线,是国内少数掌握高压IGBT芯片设计技术的单位之一。在功率半导体器件领域,联研院承担国家科技重大专项(02专项)“国产高压大功率IGBT模块电力系统应用工程”等攻关任务,自主研发了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件,其中3300V/1500A压接式和焊接式IGBT器件,掌握成套的设计、制备等核心技术,打破了国外技术垄断,成功研制1200V至6500V碳化硅二极管样品,实现了新一代电力电子器件的重大创新突破。

国电南瑞指出,通过与联研院合作,有利于公司降低IGBT等功率器件技术研发及产品批量化生产的风险,保障中低压、加快高压IGBT等功率半导体芯片及模块研制和产业化进程。为加快公司产业链延伸和产业升级,增强企业核心竞争力,提高公司募集资金使用效率和效果,降低公司募投项目投资风险,公司拟以“IGBT模块产业化项目”部分募集资金出资与联研院共同设立合资公司,并增加合资公司为该项目的实施主体。

公告显示,经中国证券监督管理委员会《关于核准国电南瑞科技股份有限公司向南瑞集团有限公司等发行股份购买资产并募集配套资金的批复》(证监许可[2017]2224号)核准,公司以非公开发行股份方式向7名特定投资者发行了人民币普通股381,693,558股,发行价格为15.99元/股,本次发行募集资金总额为61.03亿元元,扣除各项发行费用83,23.94万元,实际募集资金净额为60.2亿元。上述募集资金已于2018年4月8日全部到位。

“IGBT模块产业化项目”是上述募集资金投资项目之一,根据原计划,“IGBT模块产业化项目”全部由国电南瑞母公司实施,项目投资总额为164,388万元,项目建设期42个月,项目投产后第7年达到本项目预计的生产能力。截止2019年8月31日,该项目已累计使用募集资金2,370.53万元,占总投资1.44%,剩余募集资金162,017.47万元(不含利息)。

公告指出,公司本次拟增加“IGBT模块产业化项目”的实施主体,以计划用于该项目设备投资的部分募集资金出资,与联研院以技术作价出资共同投资设立合资公司,即由该合资公司实施IGBT模块产业化项目的部分投资。涉及变更实施主体的计划投资额为55864.45万元,占“IGBT模块产业化项目”投资额的33.98%,占公司募集资金总筹资额的9.15%,相关募集资金用途、建设内容、地点等不变。

国电南瑞表示,本次交易有利于募集资金投资项目的运作和实施、提高募集资金的使用效率、加快募集资金投资项目的实施进度。

思源电气拟1000万元增资陆芯科技

思源电气拟1000万元增资陆芯科技

10月15日,思源电气发布公告,以上海陆芯电子科技有限公司(下称“陆芯科技”)投前整体估值1.75亿元人民币向该公司增资共计1000万元人民币,本次增资后公司预计将持有陆芯科技4.444%的股份(最终持股比例以最终签署的增资协议为准)。

据介绍,陆芯科技成立于2017年5月,聚焦于功率半导体的设计和应用,设计高性能、低成本、覆盖全电压段的功率器件,产品拟覆盖全电压段的MOSFET、IGBT、Diodes、Power IC 以及宽禁带功率器件(SiC、GaN),并提供整体的电源管理解决方案。

本次增资前上海武岳峰集成电路股权投资合伙企业(有限合伙)(下称“上海武岳峰”)持股陆芯科技14.894%。上海武岳峰与上海承芯企业管理合伙企业(有限合伙)(下称“上海承芯”)均为武岳峰资本平台的下属企业。上海承芯目前持有公司总股份的9.08%,公司董事 PETER QUAN XIONG(熊泉)先生目前为陆芯科技董事。本次投资属关联投资,本次交易构成关联交易。

思源电气表示,这几年公司无功补偿大类中电力电子产品订单和收入增长良好,公司对功率半导体器件(如IGBT等)的需求随之增大。目前功率半导体器件依赖进口,存在供给不足的问题。公司通过本次投资,有助于提升功率半导体器件的市场供给,有助于公司与目标公司建立在功率半导体应用方向的长期稳定合作关系。

资料显示,思源电气成立于1993年12月,是国内知名专业从事电力技术研发、设备制造、工程服务的上市公司,主要提供电气设备与服务。此前思源电气曾筹划收购北京矽成41.65%股权以转型半导体领域,后来宣布终止收购。

总投资达25亿元的广东芯聚能半导体项目奠基

总投资达25亿元的广东芯聚能半导体项目奠基

据南沙投资报道,近日,广东芯聚能半导体有限公司在广州南沙举行奠基活动。

资料显示,芯聚能半导体有限公司聚焦车规级功率半导体元器件研发、生产和销售,将建成面向新能源汽车主驱动器的核心功率半导体芯片设计、器件与模块产品的研发与产业化基地。

2018年9月,广州南沙开发区管委会和芯聚能半导体有限公司签订投资协议,标志着这家企业正式落户南沙,也标志着应用第三代半导体技术产业化基地在南沙落地。芯聚能将建设IGBT模块和传感器设计、研发与生产基地,IGBT模块被业内称之为新能源汽车的“CPU”,即是控制新能源汽车电能的“大脑”。

据金羊网此前报道,芯聚能项目总投资达25亿元。项目第一阶段将建设用于新能源汽车的IGBT和SiC功率器件与模块生产基地,同时实现工业级功率器件规模化生产。第二阶段将面向新能源汽车和自动驾驶的汽车功率模块、半导体器件和系统产品,延伸并形成从芯片到封装、模块的产业链聚集。