EUV技术创新绘制半导体蓝图

EUV技术创新绘制半导体蓝图

半导体细微化(Scaling)是目前半导体行业最热门的话题之一。随着DRAM等的芯片元器件在内的大部分电子元器件和存储单元趋于超小型化,对于高度集成技术的需求也逐渐提高,超小型芯片将可以储存并快速处理天文数字般的数据量。

如今,半导体细微化(Scaling)最为核心的是新一代曝光技术——极紫外光刻(Extreme Ultra Violet,简称EUV)技术。现在,SK海力士正致力于实现新一代DRAM的量产化,并已在韩国利川正式开工新建一座尖端的储存类半导体工厂“M16”。这座全新工厂将为EUV光刻工艺开设单独厂间。

“摩尔定律(Moore’s Law)已经终结” 半导体细微化技术陷入瓶颈

半导体细微化已进入10纳米时代,之前的“多重成像(Multi Patterning)”技术已不再奏效。因为,在10纳米级芯片制程中,之前的氟化氩曝光技术(Argon Fluoride, 简称ArF )已经陷入瓶颈。迄今为止,半导体行业一直遵循每隔24个月芯片集成度翻一番的“摩尔定律”。然而,如今随着光刻工艺难度越来越高,曾经辉煌沿用的摩尔定律也终将被淘汰。

光刻工艺是用激光在晶圆上绘制超微电路的半导体制造流程之一,其电路图案转移到晶圆的过程与传统相片的制作过程类似,故“光刻工艺”的英文有“Photo”一词。“光刻法(Photolithography)”是一种图案转移及复印技术,通过把光照射在包含电路图形信息并预制成金属图案的掩膜版(Mask)或原装玻璃板上,从而实现将出现的影子复制转移到晶圆上。这种在晶圆上形成预设计的图案为半导体制造的关键工艺。在此过程中,电路图案的细微程度是半导体技术竞争力的决定性因素。

“细微化(Scaling)”,即缩小半导体电路晶体管器件电门的长度的,一直被视作业界最为重要的课题。晶体管电门就如同一座连接源级和漏级的桥梁,是调节电流的阀门。因此,电门长度越短,从源极流向漏极的电子数量也就越大,电路运行速度也相应越快。

近年以来,半导体曝光设备进展迅速,均使用带有高数值孔径(numerical aperture,简称NA)的较大透镜或短波光源。但当栅极长度缩小到30纳米以下后,现有的液体浸没式氟化氩曝光设备(ArF)将会达到极限。到18纳米的DRAM芯片采用的是多重成像技术,但这会造成工序增加、生产率下降、材料费上升的问题,从而导致成本上升。当处理工序数量多达500-600道时,可见该技术已走到了尽头。解决这一问题的唯一办法取决于短波光,利用更加“纤细的笔触”精细地绘制电路。

EUV成为救星

为了顺应10纳米时代对工艺的要求,半导体行业孕育了全新半导体曝光技术——EUV。EUV设备由荷兰ASML公司独家生产,每台设备约为0.81-1.22亿美元。EUV的光波长为13.5纳米,大大小于之前的氟化氩(ArF)激光波长(193纳米),可在不多重成像的情况下绘制更加细微的半导体电路。而且这项技术还能简化成像工艺流程,因此目前被视为唯一的突破口。除此之外,EUV相较于目前的四重构图(Quadruple Patterning Technique,简称QPT)等多重成像技术,大幅度缩短了制造时间。

然而,在DRAM芯片采用EUV技术是一项难度极高的工艺,这往往需要最高端的技术支持。也正因如此,业界正在密切关注首批基于EUV技术的DRAM量产投入产出效率。据预测,到2020年,EUV技术将部分适用于1Y纳米级以下的DRAM芯片中。

关键在于攻克EUV工艺的技术难关

攻克EUV工艺的技术难关对于行业未来至关重要。EUV具有被包括气体在内的大部分物质吸收的特性。为此,开发与整个曝光工艺流程相关的新技术,包括全新的掩膜版(Mask)、光阻(Photoresist)和光学系统等,成为了一项必不可少的前提条件。此外,我们还需要开发无缺陷的掩膜版和新的掩膜版检测设备。

扩大每小时晶圆产量(wafer per hour,简称WPH)也是业界内一大重要挑战。ASML公司的每小时晶圆产量于2018年达到125张目标,并计划将在2020年达到155张。而在光源功率方面,根据DRAM厂商的测试结果显示,该公司已达到250瓦。同时,一些半导体厂商从ASML公司引进EUV设备后已经投入开发相关工艺,正处于各项设备的开发和测试阶段。业界则在积极研发下一代曝光技术—高数值孔径工艺,这项技术或将数值孔径从目前开发中的0.33NA增加到0.55NA。

一名半导体业内人士透露:“EUV曝光技术要想投入量产,我们在保证有曝光机内部硬件、光源、光阻(Photoresist)、掩膜版膜(Pellicle)的制造技术的同时,还必须要有零缺陷的EUV掩膜版制作技术”。他还强调:“业界正在研究各种检测EUV掩膜版内部缺陷的技术,为了改善检测器的分辨率,我们对于更短的光源波长和更高的数值孔径的要求也至关重要。”

128层4D NAND下半年量产 2TB容量5G手机即将问世

128层4D NAND下半年量产 2TB容量5G手机即将问世

随着苹果、华为和小米等主要智能手机制造商推出一系列高规格的新产品,市场对大容量存储设备的需求正与日俱增。SK海力士在该领域处于领先地位,所推出的世界上首款128层4D NAND闪存,将于2019年下半年投入量产,获得了业界广泛赞誉。

该128层NAND闪存即将应用于下一代容量超过1Terabyte(TB,太字节)的存储设备,包括通用闪存(Universal Flash Storage, UFS)和固态硬盘(Solid State Drive, SSD)。随着该最新的进展,2TB(Terabytes,太字节)容量的5G智能手机即将问世。

行业领先技术实现最高密度容量

2019年6月,SK海力士成功研发并量产全球首款128层的1Tb(Terabit,兆兆位) 三层单元(Triple Level Cell, TLC) 4D NAND闪存。

这款128层NAND闪存是业界主流的三层单元(TLC)闪存芯片,该闪存芯片占据NAND市场85%以上的份额,并支持目前业界最高的1Tb容量。当其他公司正通过构建96层四层单元(Quadruple Level Cell, QLC)实现1Tb NAND闪存产品的开发,SK海力士已经率先通过TLC实现超大容量NAND闪存的商业化,并取得了比QLC更好的性能和更快的处理速度。

SK海力士的独家产品还实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度,单颗芯片集成超过3,600亿个NAND单元,每个单元可存储3比特(bit)。与现有的96层4D NAND芯片相比,相同面积的存储容量提高了30%,数据读写耗时降低了16%。此外,每颗晶圆可生产的比特容量也增加了40%,与以往技术转移相比,96层NAND向128层NAND过渡的投资成本降低了60%。

仅历时八个月,实现下一代升级

作为96层TLC 4D NAND 的前代,SK海力士于2018年10月成功开发出世界首款基于电荷捕获型(Charge Trap Flash, CTF)的4D NAND闪存*平台。随后仅仅过了8个月,SK海力士又在该领域迈进了一大步。

通过这个创新平台,SK海力士将开发新产品的所需时间显著缩短至8个月。SK海力士采用与96层4D NAND工艺相同的平台,专注于核心工艺和增加层数所必需的设计技术,使得产品在如此短的时间内开发成功。SK海力士计划采用相同平台进一步研发176层4D NAND。作为SK海力士最大的成果之一,该创新平台在提升公司生产和投资效率的同时,更确保了SK海力士在NAND领域的核心竞争力。

特别适用于高速和大容量的储存设备

SK海力士计划基于128层4D NAND闪存,从2020年开始推出各种前沿解决方案。
 
明年上半年,SK海力士计划开发下一代通用闪存(UFS) 3.1产品,实现与5G旗舰智能手机的全面兼容。借此,制造1TB(迄今智能手机的最大容量)产品所需的NANDs数量,将比制造512Gb(Gigabit,千兆位)产品所需的NANDs数量减少一半。这使得移动解决方案的功耗降低了20%,而厚度仅为1毫米。如果128层1Tb 4D NAND的16个单元形成单一的半导体封装,那么2TB存储容量的5G智能手机(业界迄今最大容量)的实现也指日可待。

此外,SK海力士将在明年上半年,开始大规模生产配备2TB内置控制器和软件的消费级固态硬盘。16TB和32TB非易失性存储器标准(Non Volatile Memory Express, NVMe)的固态硬盘功耗比上一代降低了20%,可用于前沿云数据中心,以优化人工智能和大数据。该固态硬盘预计将于明年发布。

【盘点】电子氢氟酸迎市场机遇 本土企业有哪些?

【盘点】电子氢氟酸迎市场机遇 本土企业有哪些?

作为产业基石,材料在半导体生产制造中扮演着重要角色。前段时间,日本对韩国收紧半导体材料的出口限制让半导体材料一时成为业界关注焦点,亦为中国半导体材料企业带来商机。

据外媒报道,在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等半导体材料一个半月后,韩国三星电子、SK海力士等半导体大厂开始重新考虑供应商体系搭建并寻求使用替代品,并有传闻称SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已完全使用中国大陆生产的氟化氢。

据了解,氟化氢溶于水形成氢氟酸,电子级氢氟酸是由无水氢氟酸经进一步处理得到的高端氢氟酸产品,对金属、玻璃、混凝土等具有强烈腐蚀性,主要运用在集成电路、太阳能、液晶显示等领域,在集成电路领域用于芯片的清洗和腐蚀,是微电子行业生产所需的关键基础化工原材料之一。

纵观全球市场,日本是最重要的电子级氢氟酸生产国,主要供应商包括Stella Chemifa、昭和电工、关东电化、大阳日酸和中央硝子等,其中Stella Chemifa是全球最大的电子级氢氟酸供应商;欧美企业有SOVAY、HONEYWEL;中国台湾地区企业有台塑大金、侨力化工等。

中国大陆电子氢氟酸产业发展起步较晚,此前几乎全部依赖进口。随着近年本土半导体产业不断发展,电子级氢氟酸的年需求量不断提升,近年来已有多氟多等不少本土企业加码布局,并相继有项目上马在建或投产,逐渐打破电子级氢氟酸完全依赖进口的局面。

不过,目前中国大陆电子级氢氟酸产业整体尚处于中低级阶段,能达到半导体所用UP-SS级别(即G4级)的企业屈指可数,仍存在较大的进口替代空间。这次日韩管制事件将为大陆电子级氢氟酸企业造就有利市场契机,助推产业发展。

那么,中国大陆有哪些企业在布局电子级氢氟酸?下面来盘点一下主要几家本土企业——

1.多氟多化工股份有限公司

多氟多化工股份有限公司成立于1999年12月,产品布局高性能无机氟化物、电子化学品、锂离子电池及材料、新能源汽车生产研发四大板块。2011年,多氟多投资建设年产1万吨超净高纯电子级氢氟酸项目,2013年8月该项目试车成功。

目前,多氟多的电子级氢氟酸产品品质已达到UP—SSS级。官方消息称,2018年多氟多电子级氢氟酸与国内多家8英寸寸和12英寸半导体客户建立合作关系,包括长江存储、中芯国际等,并成功进入美国、韩国等半导体跨国公司供应链,稳定实现进口替代。

多氟多2019年半年报显示,目前其电子级氢氟酸产能为5000吨,基本已实现满产,预计2019年底将新建成5000吨产能,并计划2020年投产,届时达到万吨生产规模。今年7月,多氟多旗下控股子公司盈氟金和位于石嘴山的年产20000吨电子级氢氟酸项目开工。

2.福建省邵武市永飞化工有限公司

福建省邵武市永飞化工有限公司于2001年由国有企业福建省邵武市氟化厂改制而成,现为福建永晶科技股份有限公司的全资子公司,是国内建厂最早的氟化工企业之一,主要生产无水氟化氢、工业氢氟酸、试剂级氢氟酸、电子级氢氟酸。

在电子级氢氟酸方面,永飞化工是国内少数的全部指标达UP-SS级的厂家,正逐步替代进口产品、填补国内空白。2013年5月,永飞化工年产6000吨电子级氢氟酸(UP-SS级)生产线顺利投产,电子级氢氟酸总产能达到12000吨。有消息称,目前永飞化工的电子级氢氟酸生产能力约50000吨/年。

3.索尔维蓝天(衢州)化学品有限公司

索尔维蓝天(衢州)化学品有限公司(原浙江蓝苏氟化有限公司)成立于2006年,是由索尔维集团与中化蓝天集团组建的中外合资企业,?专业从事氟化学品的生产和销售,其电子级氢氟酸引进德国索尔维氟有限公司技术,2011年1月索尔维蓝天年产5000吨电子级氢氟酸新装置成功投入生产。

2018年12月,政府环评报告显示,索尔维蓝天拟投资2515.97万元,在位于衢州市绿色产业聚集区高新片区华阳路39号厂区内现有电子级氢氟酸车间,对已建年产5000吨电子级氢氟酸装置进行技改扩建,对现有生产线技改更新冷凝器设备,使产能提升至15000吨/年,并新增一套年产15000吨/年电子级氢氟酸生产线,使现有电子级氢氟酸总产能达到30000吨/年。

4.滨化集团股份有限公司

滨化集团股份有限公司始建于1968年,是一家综合型化工企业集团,产品包括化工产品、环保化学品、油田化学品级工业助剂系列产品等。滨化股份2019年半年报显示,报告期内公司电子级氢氟酸装置顺利开车,生产运行保持总体稳定。根据其官方消息,其电子级氢氟酸的设计产能是6000吨/年,开工负荷根据市场情况调整。

7月中旬,有消息称,滨化股份的电子级氢氟酸已成功打入韩国市场。滨化股份在互动平台上表示,公司电子级氢氟酸已销售给国内客户使用,正在办理电子级氢氟酸向韩国发货出口手续。不过目前其电子级氢氟酸产量较小, 预计不会对2019年业绩造成重大影响。

5.浙江巨化股份有限公司

巨化股份是国内一家氟化工企业,已形成包括基础配套原料、新型氟 致冷剂、有机氟单体、含氟聚合物、精细化学品等在内的完整的氟化工产业链,近年来其积极布局电子化学材料产业,其曾经的全资子公司浙江凯圣氟化学有限公司是国内主要电子级氢氟酸生产企业之一。

2018年3月,巨化股份宣布将旗下两大子公司浙江博瑞电子科技有限公司100%股权和浙江凯圣氟化学有限公司100%股权转让中巨芯科技有限公司,后者为巨化股份与大基金等单位共同合资设立,其中巨化股份持股比例39%。

近期,巨化股份在互动平台上表示,中巨芯科技旗下的凯圣公司PPT级氢氟酸目前订单饱满,生产满负荷。为了满足市场需求,扩建项目正抓紧收尾,预计第四季度投产,投产后产能将增加一倍,并表示三星为凯圣公司重要客户。

6.广州天赐高新材料股份有限公司

广州天赐高新材料股份有限公司成立于2000年,致力于精细化工新材料的研发、生产和销售,目前拥有锂离子电池材料、日化材料和特种化学品两大业务板块。天赐材料旗下控股子公司安徽天孚氟材料有限公司主要生产和销售氟化氢、氟化氢铵、氟化铵等氟化工产品,建有1万吨/年无水氟化氢产线。

2018年1月,天赐材料董事会同意公司控股子公司安徽天孚使用自筹资金投资建设年产5万吨氟化氢、年产2.5万吨电子级氢氟酸改扩建项目,项目总投资1.22亿元,今年1月宣布将该项目总投资变更为1.5亿元。

今年7月,天赐材料在互动平台上表示,安徽天孚现有的无水氟化氢主要为公司六氟磷酸锂的主要原料,为工业级;而安徽天孚年产5万吨氟化氢、年产2.5万吨电子级氢氟酸改扩建项目目前处于前期设计阶段。

7.浙江三美化工股份有限公司

浙江三美化工股份有限公司成立于2001年,主要从事氟碳化学品和无机氟产品等氟化工产品的研发、生产和销售,其中无机氟产品主要包括无水氟化氢、氢氟酸等,主要用于氟化工行业的基础原材料或刻蚀玻璃、金属清洗及表面处理等。

2018年10月,三美股份招股书显示,拟募集资金投资新建江苏三美1万吨高纯电子级氢氟酸项目等多个项目,正式进入高纯电子级氢氟酸领域。今年7月,三美股份在互动平台上透露,江苏三美1万吨高纯电子级氢氟酸项目尚未开工建设。

三美股份2019年半年报显示,公司与日本森田通过参股公司浙江森田新材料有限公司合作开展蚀刻级氢氟酸、氟化铵研发和产能建设,产品可用于半导体领域,有望打破国际垄断,森田新材料在建的2万吨/年蚀刻级氢氟酸项目已进入设备安装阶段,预计本年底完成项目建设,进入试生产准备阶段。

8.湖北兴力电子材料有限公司

湖北兴力电子材料有限公司成立于2018年11月,是由是湖北兴发化工集团股份有限公司和Forerunner Vision Holding Limited出资设立的合资企业,主要从事电子级氢氟酸、氟化铵、无水氟化氢、缓冲氢氟酸蚀刻液的生产、研发、销售。

兴发集团是中国大陆主要电子化学品生产企业之一,其将通过与Forerunner合资成立兴力电子,引进Forerunner关联企业——中国台湾企业侨力化工股份有限公司的电子级氢氟酸等技术,建设3万吨/年电子级氢氟酸项目。

该项目总投资3.65亿元,建成后总生产规模将为电子级氢氟酸3万吨/年、电子级氟化铵1.2万吨/年、BHF1.2万吨/年。项目分两期建设,一期投资2亿元,将具备年产1.5万吨电子级氢氟酸、6千吨电子级氟化铵、6千吨BHF、6千吨工业级氢氟酸生产能力。2019年5月,该项目正式开工。

9.鹰鹏化工有限公司

鹰鹏化工有限公司是中国氟化工主要企业之一,是鹰鹏集团的核心企业,主要产品有无水氟化氢、工业氢氟酸、二氟一氯甲烷、ODS替代品等。官网显示,鹰鹏集团以氟化工产业为基石,已形成了具有规模化、产品种类齐全的产业链,成功开发了电子级氢氟酸、电子级硫酸等产品。

2009年,鹰鹏化工与中国鹰鹏集团控股有限公司共同出资组建宣城亨泰电子化学材料有限公司,该公司投资新建12000吨电子级氢氟酸项目。2013年项目一期建设完毕并于2014年验收,建设一条年产6000吨电子级氢氟酸生产线,并配套的公用和辅助工程可满足12000吨电子级氢氟酸生产能力要求。

2018年,宣城亨泰电子拟启动年产12000吨电子级氢氟酸(二期6000吨)项目建设。环评公示显示,宣城亨泰电子将在一期厂址预留区域建设二期年产6000吨电子级氢氟酸生产线,项目建设完成后,计划年产6000吨ppb级氢氟酸,届时全厂可达12000吨电子级氢氟酸生产规模。

10.苏州晶瑞化学股份有限公司

苏州晶瑞化学股份有限公司成立于2001年,是一家生产销售微电子业用超纯化学材料和其他精细化工产品的企业,主导产品包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料和锂电池粘结剂四大类微电子化学品,超净高纯试剂主要包括超纯氢氟酸、硝酸、双氧水、盐酸、硫酸等。

氢氟酸方面,晶瑞股份公告显示其拥有自主开发的超大规模集成电路用超纯氢氟酸技术,承担了国家火炬计划“微电子用超净超纯氢氟酸”。官方消息显示,其超净高纯试剂中氟化铵、硝酸、盐酸、氢氟酸达到G3、G4等级,可满足光伏太阳能、LED和面板行业的客户需求。

SK海力士公布新产品规划:2030年推800+层堆叠NAND Flash,届时SSD可达200TB

SK海力士公布新产品规划:2030年推800+层堆叠NAND Flash,届时SSD可达200TB

目前,两大韩系NAND Flash厂商──三星及SK海力士已经公布了新NAND Flash产品的发展规划。其中,三星宣布推出136层堆叠的第6代V-NAND Flash,SK海力士则是宣布成功开发出128层堆叠的4D NAND Flash,并已经进入量产阶段。

不过,虽然两家厂商竞相推出NAND Flash的新产品,但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以,SK海力士日前在一场会议上就公布了公司的规划,预计在2030年推出800+层的NAND Flash,届时将可轻松打造出100到200TB容量的SSD。

在日前举行的“Flash Memory Summit”大会上,SK海力士公布旗下新产品的规划以及公司的相关布局。根据内容指出,目前SK海力士正在开发128层堆叠的4D NAND Flash,其量产时间将落在2019年第4季。

另外,SK海力士还展示了一款“PE8030”的全新SSD,采用PCIe 4.0×4介面连接,提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB容量,连续读写速度最高可达6200MB/s、3300MB/s,而4KB随机读写最高可达950K IOPS、260K IOPS。

在研发发展方面,目前SK海力士正在研发176层NAND Flash,而其他产品的发展,包括72层堆叠的4D NAND Flash目前在大规模量产中,96层堆叠的4D NAND Flash目前也在大规模量产中,而且未来产能即将超越72层堆叠的4D NAND Flash。

128层堆叠的4D NAND Flash将于2019年第4季量产,176层堆叠产品2020年问世、500层堆叠产品则将于2025年问世,其TB/wafer容量比将可提升30%。而800+堆叠的4D NAND Flash则是预计2030年问世,TB/wafer容量比提升到100到200TB的大小。

据了解,目前SK海力士生产的128层堆叠NAND Flash核心容量是1Tbit,176层堆叠的核心容量则是来到1.38Tbit,预计500层堆叠时核心容量可达3.9Tbit,到800层堆叠时则会高达6.25Tbit,是现在的6倍多。

若以当前SSD固态硬盘的容量计算,目前最大容量约在15到16TB左右。而依照6倍核心容量的成长幅度来计算,未来SSD容量可达200TB左右,这个容量要比当前的HDD还要更大。

日韩贸易战升温,三星与海力士相关原料库存恐仅剩1.5个月

日韩贸易战升温,三星与海力士相关原料库存恐仅剩1.5个月

根据韩国媒体报导,自7月初日本宣布半导体材料管制出口韩国,韩国主要半导体厂商至今已一个月未能从日本进口高纯度氟化氢及光阻剂等材料。市场预计,韩国三星电子与SK海力士原料库存仅能维持2.5个月,目前剩下1.5个月库存,日本对韩国原料管制出口措施影响力,预计将在第3季末开始发酵。

由于日本对韩国的外销审查已实施一个月,韩国业界推测,SK海力士剩下的高纯度氟化氢与光阻剂库存只剩下1.5个月分量,三星电子的情况也大致相同,虽然三星电子副会长李在熔曾于7月中旬访日,当时传出已取得相关原料供应管道。不过,如今库存仍不足,显见当时并未顺利解决原料取得问题。

尽管如此艰难,韩国半导体制造公司也仍在寻求其他国家相关原料进口,不过,寻找另外供应商还要一些时间,即便找到合适的外部供应商,半导体公司还要测试这些原料,并花时间转换生产线。这对半导体行业影响极巨大。

《科技新报》日前曾独家报导,这次日本控管3项高科技原物料出口韩国,并非完全针对韩国的经济制裁,而是日本政府担心,这些原物料有可能非法出口到朝鲜或伊朗受管制的国家或地区,因此要求严格控管查核申报的内容。此前的审核流程是一次查核后就可多次进口产品,如今每次进口都要查核,三星也证实的确没有受日本政府刁难进口原料。并非日本禁止这些原物料出口韩国,而是查核时间拉长,导致出口时间延后。

不过8月2日,日本宣布将韩国踢出简化出口手续的白名单,为了应对日本,韩国也将日本移出白名单,贸易战开始升温。日本会不会因此收紧控管出口韩国,目前不得而知。

目前日本每批原物料出口查核时间约45天,以日本政府自7月初开始严格控管出口韩国计算,预计8月中若第一批产品可出口,则状况就能解决。反之,韩国半导体生产恐将面临压力。

即使最坏的情况下,也就是日本最后决定禁止相关原物料出口韩国,存储器厂商部分也还有海外工厂生产可解套,如三星在中国有西安存储器厂,SK海力士在无锡也有存储器生产线,海外工厂都有办法生产存储器以满足市场的需求。

就晶圆代工方面来说,用于7纳米以下EUV制程的光阻剂遭日本管制,未来发展先进制程就会遭遇困难。因此,日韩双方贸易问题要如何解决,还有待后续观察。

SK海力士第2季净利年衰退88% 将下修产能和投资

SK海力士第2季净利年衰退88% 将下修产能和投资

韩国存储器大厂SK海力士25日公布2019年第2季的获利状况,因为受到存储器价格持续低迷,以及日韩贸易摩擦等因素的冲击,净获利较2018年同期大降了88%之多,使得SK海力士不得不继三星传出要延后平泽P2存储器产线的投资之后,也宣布该公司的生产调整计划。

根据SK海力士所公布的资料显示,2019年第2季的营收为6.5万亿韩元,较2019年下滑38%。营业利益则是来到6,380亿韩元,较2018年同期大幅下滑了89%。净利则是来到5,370亿韩元,较2018年同期的4.3万亿韩元大跌了88%,也低于市场原本预估的8,280亿韩元的金额。

Source:SK海力士

面对2019年第2季成绩单,再加上接下来市场有更多不确定因素围绕之下,SK海力士也宣布,2020年的资本支出将会明显低于2019年。

除此之外,在DRAM产能部分,将自2019年第4季开始下调,至于NAND Flash快闪存储器方面,产能的减幅也会从之前宣布的10%,扩大至15%的比率。而SK海力士的调整产能计划,也将连带重新审视韩国两座晶圆厂的扩产时间。

SK海力士表示,在DRAM方面,由于SK海力士积极的因应行动和PC市场对大容量产品日益增加的需求,DRAM bit出货较上季增加了13%,但是在市场价格持续疲软的情况之下,平均销售价格下降了24%。

另外,2019下半年服务器DRAM需求依然低迷,行动型DRAM市场的不确定性增加。然而,PC对图形DRAM的需求从2019年第2季末开始恢复,预计这种趋势将延续到下半年。

而在NAND Flash快闪存储器方面,因为NAND Flash快闪存储器价格下跌后,刺激需求复苏,bit出货量较第1季成长40%,但平均销售价格下降了25%。预计到2019下半年,随着市场需求的复苏,将加快原厂库存消耗,有助于平衡供需失衡的市况,同时也将减缓价格下滑的速度。

至于,在存储器的技术发展上,SK海力士指出,计划继续开发下一代技术,并大量销售高附加值的产品。其中,DRAM将由10纳米级第一代的1x纳米,向第二代的1y纳米技术精进,到2019年底前生产比例将增加到80%,并开始在下半年销售PC市场所需的10纳米级第二代1y纳米DRAM。

而NAND Flash方面,目前主要技术是72层堆叠的3D NAND Flash,计划在2019下半年透过增加96层4D NAND Flash的比例,专注于高端智能手机和SSD市场需求。此外,128GB(1Tb)TLC 4D NAND将开始大规模生产和销售。

Q2业绩出炉 SK海力士将下修产能和投资

Q2业绩出炉 SK海力士将下修产能和投资

SK海力士今日公布了第二季度业绩,海力士表示将会削减投资和产能,以推动芯片需求的适度反弹。

据英国金融时报、路透社、韩联社报导,SK海力士25日公布的Q2财报显示,营收年减38%至6.45兆韩元(约54.7亿美元);净利润从去年同期的4.3兆韩元大减88%至5,370亿韩元(约4.6亿美元)。

营业利润方面,较去年同期骤减89%至6,376亿韩元 (约5.4亿美元),这一数字低于财务数据公司Refinitiv SmartEstimate预估的8,280亿韩元。

source:SK Hynix

SK海力士一位高管表示:“我们正在尽力保障芯片材料的库存……但如果日本出口管制拖得太久,公司不排除中断生产。”

SK海力士表示,将从第四季度开始削减DRAM产能,并对NAND晶圆投入减幅从此前的10%修正至15%以上,并且明年的投资将明显低于今年。

由于芯片供过于求,再加上中美贸易摩擦对全球智能手机等电子产品市场造成影响,NAND芯片的价格在过去一年中大幅下跌。

在季度业绩公布后,SK海力士的股价大幅上涨近3%,而大盘股价则下跌0.4%。

SK海力士发布Q2季度财报:盈利暴跌88%

SK海力士发布Q2季度财报:盈利暴跌88%

内存价格下滑已经成为韩国两大半导体巨头三星、SK海力士的头等大事,三星因此推迟了投资高达30万亿韩元的平泽P2工厂建设,SK海力士今天发布的Q2季度财报中也面临业绩暴跌的问题。

根据SK海力士发布的数据,Q2季度中营收6.45万亿韩元,同比下滑38%,运营利润只有6376亿韩元,同比暴跌了89%,净利润仅为5370亿韩元,约合4.6亿美元,同比暴跌了88%,创下了三年来最低记录。

SK海力士业绩暴跌的主要原因还是跟内存价格有关,该公司表示需求复苏没有达到预期,但价格下跌幅度超过了预期。为了应对这一挑战,SK海力士也宣布灵活调整生产和投资计划,确定在Q4季度削减内存产能。

除了内存价格暴跌之外,韩国半导体行业还会紧急应对日本的制裁,本月4日起日本对出口到韩国的三种重要原材料进行管制,其中光刻胶、高纯度氟化氢是芯片生产必不可少的,这方面三星、SK海力士基本上都要依赖日本公司供应,一旦原材料跟不上,韩国公司的存储芯片生产也会受到严重影响。

内存两周涨价23% 三星要在韩国建氟化氢工厂

内存两周涨价23% 三星要在韩国建氟化氢工厂

由于日本本月初开始管制对韩国出口的氟聚酰亚胺、光刻胶及氟化氢三种材料,连跌了3个季度的内存价格走势开始扑朔迷离,因为这三种材料中有两种都会影响到半导体芯片生产,韩国三星、SK海力士等公司都要依赖日本供应。

根据集邦科技旗下的半导体研究中心DRAMeXchange的数据,8Gb DDR4颗粒的现货价格上周末收盘时为3.74美元,比上上周的价格涨了14%,比7月5日的价格涨了23%。

值得注意的是,4日是日本正式管制出口的日子,5日内存价格就开始应声而涨了。在这样的情况下,如何确保公司的内存、闪存芯片生产已经成为三星的头等大事。

日前有传闻称三星将在美国加大投资,建设芯片工厂为苹果提供芯片,这件事还是美国总统访韩国时双方投资谈判计划的一部分,不过三星官方已经否认了在美国建厂的传闻。

三星表示该公司目前不会扩大在美国的工厂,更希望在韩国本土建立高纯度氟化氢工厂。

高纯度氟化氢是半导体制造生产过程中所需的重要材料,700多道工艺中有50多道工艺都要用到氟化氢来清洗或者蚀刻晶圆、设备,目前韩国公司主要依赖日本公司的供应。

原材料供应吃紧 韩国SK海力士CEO赴日本探讨供应问题

原材料供应吃紧 韩国SK海力士CEO赴日本探讨供应问题

北京时间7月22日早间消息,据韩联社报道,韩国芯片制造商SK海力士CEO李锡熙(LeeSeok-hee)周日飞往日本,解决原材料问题。

SK海力士声称,CEO飞往日本只为寻找方法,看看有没有办法确保半导体材料供应。李锡熙将会在日本停留几天,与SK海力士日本合作伙伴的高管会谈,探讨如何获取受限原材料。另外,未来日本有可能进一步加强管制,李锡熙还要寻找应对措施。

一位行业内部人士称:“据悉,在日本宣布限制出口之后,SK海力士立即进入紧急状态……公司CEO介入主要是因为问题似乎没有任何缓和的迹象。”

此前,日本对一些关键半导体材料加强对韩国的出口管制,冲击包括三星电子在内的韩国芯片制造商。月初时,三星电子副会长李在镕飞往日本,希望为能为关键材料找到应急储备货源。