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集邦咨询DRAMeXchange研究副总经理：郭祚荣

供给端方面，郭祚荣分析认为全球2020年内存市场的年成长预估仅为12.2%，这个数字在年成长动辄25%、甚至40%-50%的传统内存产业是非常低的。三星、SK海力士、美光等内存厂商明年获利为主要目标，资本支出也会减少。

具体而言，在标准型内存、服务器内存、行动式内存、绘图用内存、利基型内存这5大类产品中，明年份额比重最大的是行动式内存，占比约39.7%，主要因为智能手机本身需求量大，加上明年5G的兴起将带来强劲的换机潮；其次为服务器内存、占比约为34.9%，郭祚荣指出，服务器内存的份额比重每年逐步上升，未来3-5年服务器内存的份额比重可能会超过行动式内存，成为全部内存产品份额比重最高的产品。

其他产品类别的份额比重情况，PC方面（标准型内存）在逐年下降，虽然游戏电脑的需求在提升，但占比不高；绘图用内存目前需求还可以，预估明年状况会很好；利基型内存方面，每年的增长大概是7%-8%。

至于投片情况，郭祚荣指出今年第四季度全球内存厂晶圆投片量预估为1200多K，明年第四季度预计是1300多K，从投片角度看，明年的成长只有5%左右，这其实并不高，与明年的供给成长只有12.2%相呼应。

其中，三星明年第四季度投片量与今年第四季度投片量相比，成长只有大概30K（即3万片左右），以三星的整体规模看相当于几乎没有新产能产出；SK海力士的投片量是不增反减，今年第一季度350K、到明年第四季度只有340K；美光方面，今年第四季度和明年第四季度相比，投片量相差不多。

虽然投片量没有显著增加，但为何明年供给端仍有12.2%的年成长？郭祚荣表示这是因为制程上的提升增加了颗粒的产出量。明年三星、SK海力士、美光等全球三大厂商的产出量仍有成长，三星预估成长12.6%，SK海力士由于今年转1Ynm不顺、把量转到明年，因此明年预估有14.1%的成长，美光预估成长10.3%。

制程转进方面，三星大部分供应已集中在1Xnm，1Ynm也有17%，明年三星将继续转1Ynm，1Xnm则会继续减少。目前，三星也有在做1Znm产品，但还是会先转1Ynm，1Znm的转进会视后面市场情况决定。

郭祚荣认为，制程最先进的是三星、SK海力士次之、美光第三。但据其了解到的新信息，美光的1Znm制程工艺十分先进，甚至可跟三星齐头并进，有可能在明年或者后年、在1Znm变成规模较大时，可能是美光制程工艺的反转点。

再看需求端，郭祚荣分析认为，明年全球内存需求端仍出现微幅衰退，其中笔记本将衰退0.6%、PC将衰退0.7%；服务器和智能手机是明年唯二呈现成长趋势的产品类别，其中服务器这几年都在上升，明年将成长3.8%；智能手机今年是负4%，明年预计为0.1%。

具体而言，全球2020年内存需求达17.5%，其中智能手机和服务器的需求比重最大，无论是今年或是明年，两者需求比重总和都占据了总需求七成左右份额，其他如PC比重将越来越低，利基市场大概每年维持差不多的比重。

根据全球内存供需状况分析，2020年Demand bit Growth预计增长17.6%、Supply Bit Growth预计增长12.2%，Sufficiency ratio则有0.5%的增长，价格有可能会反转；今年价格跌了将近50%-60%，这是因为目前供过于求将近5.4%，对市场来讲是十分严峻的。

以PC DRAM DDR4 8GB产品为例，今年年初价格为50元，到今年年底预计价格只剩24元，价格下跌近一半。郭祚荣认为，明年第一季度内存价格呈现小跌的可能性较高，但这并不影响明年下半年的价格趋势，毕竟供给真的有所减少，其预估内存价格在明年第二季度会开始反弹，一直延续到年底，但明年全年可能也只涨20%-30%。

具体到各类别产品，郭祚荣预估明年涨幅最高的内存产品应该是PC DRAM和Graphic DRAM，其次是服务器内存；移动设备方面，相对其他的产品要平稳一些，是5大类别产品里面涨幅最小的，另外一个涨幅较小的是利基型产品。

整体而言，郭祚荣预估全部产品的利润明年至少有20%的上涨、甚至可能有机会达到30%，但最重要的还是取决于市场需求状况。对于价格，郭祚荣的结论是，明年价格会上涨，最快第二季度可以看到，但不会涨得非常凶或者非常高，将呈现缓涨趋势。

集邦咨询于2019年11月27日成功举办2020存储产业趋势峰会（MTS 2020），在此特别感谢金邦科技、芝奇国际、宏旺半导体、时创意电子、金泰克半导体、紫光存储、厦门银行等企业对本次会议的大力支持。

PS：本次峰会集邦咨询分析师演讲讲义现已对外分享，如有需要请关注“全球半导体观察”微信公众号并回复分析师名字即可领取，如“叶茂盛”、“郭祚荣”。同时，欢迎识别下方二维码或在微信公众号回复”峰会”观看峰会完整视频回放。

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比尔·盖茨(Bill Gates)在1999年出版的《未来时速》（Business @ the Speed of Thought）一书中描绘了一种“数字神经系统(Digital Nervous System)”，并把它比作为一个跨越时空界限的互联世界。基于“数字神经系统”这一必要条件，他又提出了如何以思维速度（Speed of Thoughts）经营企业的想法。这在当时看来似乎是不可能的事，但如今科技的快速进步已经让这个预言成为可能。超高速存储器半导体的时代已经来临，IT技术正向人类大脑的思考速度发起挑战。

TSV技术：解锁HBM无可比拟的“容量和速度”

各大制造商已经纷纷引进了高带宽存储器 (High Bandwidth Memory, 简称HBM），采用硅通孔（Through Silicon Via, 简称TSV）技术进行芯片堆叠，以增加吞吐量并克服单一封装内带宽(Bandwidth)的限制。在这一趋势下，SK海力士早在2013年便率先开始了HBM的研发，以尝试提高容量和数据传输速率。SK海力士现已充分发挥了最新HBM2E的潜能，通过TSV将8个16Gb芯片纵向连接，从而实现了16GB传输速率。

TSV由一个电路芯片和一个“Interposer”（即位于电路板和芯片之间的功能包）上方的多层DRAM组成。简单来说，TSV可以比喻成一幢公寓式建筑结构，建筑地基（Interposer）上方是社区活动中心（逻辑芯片），再往上是层层叠加的公寓房间（DRAM）。与传统方法不同，TSV技术就好比在芯片上钻孔，然后一个一个地堆叠起来。作为一种封装技术，它通过这些孔内的导电电极连接芯片，由此数据可以垂直移动，仿佛安装了一台数据电梯。与传统的采用金线键合技术生产的芯片相比，这种技术连接更短，因而信号路径更短，具有更低功耗的高速性能。另外，与传统方法相比，穿透芯片可以在芯片之间形成更多通道。

从HBM到HBM2E的进化

相比依赖于有线处理的DRAM封装技术，HBM在数据处理速度方面显示出了高度的改良。不同于金线缝合的方式，通过TSV技术，HBM可将超过5,000个孔钻入相互纵向连接的DRAM芯片中。在这样一个快速崛起的行业趋势下，SK海力士于2019年8月开发出了具有超高速性能的HBM2E。这是目前行业中拥有最高性能的一项技术。与之前的HBM2标准对比，HBM2E将提高50%的数据处理速度。由于这一高度改良，它将成为新一代HBM DRAM产品。

不同于传统结构采用模块形式封装存储芯片并在系统板上进行连接，HBM芯片与芯片与图像处理器(Graphics Processing Unit, 简称GPU)和逻辑芯片等处理器紧密地相互连接。在这样一个仅有几微米单元的距离下，数据可被更快地进行传输。这种全新的结构在芯片之间创造了更短的路径，从而更进一步加快了数据处理速度。

随着数据不断增加，对于高性能存储器的需求将在第四次工业革命中持续增长。HBM已经在GPU中被使用。HBM2E或将成为包括新一代GPU、高性能计算机处理、云计算、计算机网络、以及超级计算机在内等高性能装置中的一种高端存储器半导体，以满足这些装置对于超高速运作这一特性的要求。除此之外，HBM2E也将在一些高科技行业中扮演重要角色，例如机器学习和AI系统等。另外，随着游戏产业中对图形应用的日益扩大，HBM技术的采用也相应增加，以此可以处理大屏幕下更多像素的需求。通过更高的计算机处理速度，HBM也为高端游戏提供了更好的稳定性。

10月24日 – SK海力士今日宣布截止2019年9月30日的2019年第三季度财务报告。第三季度结合并收入为6.84万亿韩元，营业利润为4726亿韩元，净利润为4955亿韩元。本季度的营业利润率为7%，净利润率为7%。

第三季度，由于出现恢复需求的动向，收入环比增长6%，但在收益性方面，尽管DRAM的单位成本降低，但市场价格下降幅度却没有完全抵消，营业利润环比下降26%。

对于DRAM，公司积极响应移动新产品，并随着一些数据中心客户的购买量也所增加，DRAM比特出货量(bit shipments)环比增加23%，但价格持续疲软，平均销售价下降了16%。但是，平均销售价下降幅度比上一季度有所减少。

对于NAND闪存，公司积极应对持续需求复苏的高容量移动和SSD等解决方案市场，但由于公司减少上一季度暂时增加的单品销售，导致比特出货量环比下降1%。但由于减少了价格相对较低的单品销售比重，平均销售价格环比增长了4%。

SK海力士计划，在满足日益增长的客户要求的同时，并有效应对外部不确定性引起的需求波动，将根据市场情况灵活调整生产和投资。

SK海力士正在其利川M10厂的一部分生产线转换为批量生产CMOS图像传感器(CIS)的生产线，同时减少2D NAND闪存的生产量。结果，于去年相比，明年的DRAM和NAND闪存的生产容量预计将减少。于今年相比，明年的投资额也将相当减少。

另外，SK海力士计划，持续开发新一代微细工程技术，并通过扩大高容量附加值产品的销售来扩展其他产品组合，以在市场改善时实现更大的增长。

SK海力士计划将第二代10纳米(1Y)DRAM的生产比重到明年末提高至10%初，并计划对最近开发的第三代10纳米(1Z)工程的产品进行批量生产。此外，该公司计划积极应对LPDDR5和HBM2E市场。预计这些产品将于明年被客户积极采用。

公司将把96层4D NAND闪存产品的生产比重到年末扩大到10%中后半，并推进128层 4D NAND闪存的批量生产和销售准备。此外，公司重点攻略高配置智能手机和SSD市场，预计SK海力士的NAND闪存销售额中SSD所占的比重在第四季度将增加到30%。

SK海力士攸关者表示 :“我们将基于这次市场低迷的经验，将把事业的波动性最小化。同时，加大努力实现可持续成长。”

■ 2019财年第三季度业绩                         

10月21日，SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16Gb（Gigabits）DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。

这款实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。于第二代1Y产品相比，该产品的生产效率提高了27%，并且可以在不适用超高价的EUV（极紫外光刻）曝光工艺的情况下进行生产，结果具有成本竞争力。

该款1Z纳米 DRAM还稳定支持最高3200Mbps的数据传输速率，这是DDR4规格内最高速度。 功耗也显着提高，与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比，将功耗降低了约40％。

特别是，第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料，将DRAM操作的关键要素静电容量（Capacitance）最大化。此外，还引进了新的设计技术，提高了动作稳定性。

DRAM 1Z 开发事业TF长 李廷燻表示：“第三代10纳米级DDR4 DRAM拥有业界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最适合于购买高性能/高容量DRAM的客户需求变化。计划年内完成批量生产，从明年开始正式供应， 积极应对市场需求。”

另一方面，SK海力士计划对于下一代移动DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多种应用领域扩大适用第三代10纳米级微细工程技术。