韩媒:SK海力士已开始测试国产高纯度氟化氢

韩媒:SK海力士已开始测试国产高纯度氟化氢

近期,日本对韩国提出贸易制裁,令韩国业者伤透脑筋。据报导,韩国第二大存储器芯片大厂SK海力士(SK Hynix)已开始测试从国内采购的高纯度氟化氢,以应对日本的半导体材料供应禁令。

韩媒《Business Korea》报导,SK海力士正在测试的高纯度氟化氢是由韩国公司SoulBrain提供,生产原料来自中国。此外,三星电子(Samsung Electronics)也已在部份半导体制程中,使用国内采购的高纯度氟化氢。

为开辟更多进口来源,韩国半导体制造商也考虑从俄罗斯进口关键性化学原料。日本对韩国实施外销限制的半导体材料包括光阻剂(用于半导体及面板制程)、高纯度氟化氢(在芯片制程中用来蚀刻芯片)、氟聚醯亚胺(OLED面板材料)。其中,作为半导体制程必备材料的高纯度氟化氢,韩国对日本的进口依赖度将近100%。

另外,三星最近已向中国西安和美国德州的化学材料制造商投下大笔订单,采购高纯度氟化氢。

韩联社日前报导,三星集团掌门人李在熔结束为期6天的访日行程,上周六(7月13日)他在高层特别会议上表示,已紧急调度三种关键高科技材料,目前安全库存无虞,能顺利避免供应中断而生产停摆的难题。

目前尚不清楚三星取得三种高科技材料的数量和方式,但消息人士表示,这足以让三星在一段时间内,运用现有库存避免生产中断危机。产业人士研判,三星不会直接向日本企业进口,而是绕过日本政府禁令,寻求其他管道购买这类材料。

法新社7月13日报导,根据韩亚金融经营研究所(Hana Institute of Finance)的数据,三星和SK海力士是苹果、华为和亚马逊等科技巨头的主要供应商,在全球芯片市场拿下近三分之二的市占率。

韩国半导体产业协会(Korea Semiconductor Industry Association)副会长Ahn Ki-hyun指出,韩国在芯片制造领域处于领先地位,而日本是芯片关键原料的全球领导者,随着贸易争端爆发,两国都失去了最好的合作伙伴,很难在短时间内找到更好的选择。他续指,这将导致芯片技术停滞甚至倒退,芯片可能供不应求,导致价格上涨。

韩国经济研究所(Korea Economic Research Institute,KERI)研究员Cho Kyeong-yeop先前预估,若韩国企业生产半导体所需的材料供应量下降30%,将导致韩国国内生产毛额(GDP)成长率降至2.2%。

SK海力士重庆芯片封装项目二期或于9月投产

SK海力士重庆芯片封装项目二期或于9月投产

重庆晨报报道,据SK海力士半导体(重庆)有限公司对外协力总监姜真守透露,目前,SK海力士重庆芯片封装项目二期工程正进行设备搬入,将在9月前后陆续投产。

据悉,二期工程投产后,SK海力士重庆项目产能将扩至现在的2.5倍,年生产芯片将有望接近20亿只。届时,SK海力士重庆公司芯片年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上,成为其全球海外最大的封装测试基地。

2013年5月,SK海力士在重庆西永微电园设立SK海力士半导体(重庆)有限公司,投资建设NAND Flash存储芯片封装测试生产线。该项目一期投资3亿美元,占地面积500亩,2014年正式投产,目前,一期工程年产能在9.6亿只芯片左右。

2017年,该公司与重庆市政府签订了10亿美元的二期投资协议,2018年7月,SK海力士半导体二期工程正式开工。目前,外墙主体等施工已经全部结束,在6月消防验收合格后,正有序进行生产设备的搬入。

重庆晨报报道,该项目投产后,一期工程和二期工程合并产能将是现有产能的2.5倍。届时,重庆公司芯片年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上,成为其全球海外最大的封装测试基地。

“目前,封装和测试均在一期工程内完成,二期工程建成后,一期工程将专事测试、二期工程则专事封装。”姜真守表示。

据了解,SK海力士半导体(重庆)有限公司位于重庆西永综合保税区,占地28万平方米,累计注册资本达4亿美金,是SK海力士在重庆投资建设的半导体后工序(封装测试)工厂,包括半导体产品的探针测装、封装、封装测试、模块装配和模块测试等半导体后工序服务,以及半导体产品和同类产品的研发设计。

目前,其适用于移动终端的闪存产品NAND Flash,已成为华为、vivo、OPPO、小米等手机制造商和联想笔记本等企业的主力供货商。

姜真守表示,未来SK海力士还将以重庆二期项目为契机,引进先进集成电路的封装、测试、生产、管理和技术,同时培养一大批具有技术创新能力、国际化经营管理能力、能参与产业相关国际事务的生力军,打造世界领先的集成电路封装测试企业。

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传SK海力士欲收购英特尔大连NAND工厂?成局可能性有待观察

传SK海力士欲收购英特尔大连NAND工厂?成局可能性有待观察

近日,市场传出韩国存储器大厂SK海力士计划收购处理器大厂英特尔(Intel)位于中国大连的Fab 68工厂,目前进展是SK海力士正在跟英特尔进行谈判中。

对此,截至发稿前,SK海力士和英特尔双方均未作出回应。不过业内人士分析,由于日韩贸易战事件目前仍属短期影响,加上SK海力士与英特尔采用技术架构不同,SK海力士也已有新厂规划,因此,倘若传闻是真的,该收购案最终能否实现依然还有待观察。

首先,有传言称,SK海力士欲收购英特尔大连NAND工厂是源自于日韩贸易战后的考量,然而,日韩材料事件属短期影响,难以成为吸引力。

其次,从SK海力士的产能规划来看,SK海力士已有NAND新厂规划,产能规模并不小于英特尔大连厂,加上考量NAND Flash市场供需短中期仍处于供过于求,且长江存储明年也将加入战局,对SK海力士而言,这个时间点收购英特尔大连厂反而增添负担。

另外,从技术方面来看,SK海力士和英特尔在3D NAND 技术架构并不相同,SK海力士收购此厂未必能衔接。加上SK海力士和英特尔在eSSD 是竞争对手,买入英特尔大连厂并持续提供Flash 给英特尔并不适宜。相较之下,SK海力士可能比较希望得到英特尔 3D XPoint技术,以强化自身在新世代存储器或Storage Class Memory (SCM)的布局。

最后,就财务面而言,SK海力士已面临NAND Flash的亏损,而其DRAM也同样面临价格持续下跌的压力,对SK海力士而言,保留现金或许是更佳的选择。

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官宣!SK海力士量产业界首款128层4D NAND芯片

官宣!SK海力士量产业界首款128层4D NAND芯片

SK海力士26日正式宣布,已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前,该公司宣布了96层4D NAND芯片。

 source: SK Hynix 

这款128层的1Tb NAND闪存芯片实现了业界最高的垂直堆叠,拥有3600多亿个NAND单元,每个单元在一个芯片上存储3位。为了实现此工艺,SK海力士在自家的4D NAND技术上应用了大量创新技术,包括“超均匀垂直蚀刻技术”、“高可靠性多层薄膜细胞形成技术”和超快速低功耗电路设计等。

新产品实现了TLC NAND闪存业界最高的1Tb密度。许多存储器公司已经开发了1Tb QLC NAND产品,但SK 海力士是第一个将1Tb TLC NAND商业化的。TLC在NAND市场中占有85%以上的份额,具有良好的性能和可靠性。

SK海力士的4D NAND最大的优势是芯片尺寸小,这使得超高密度NAND闪存得以实现。此前,该公司在2018年10月宣布了创新的4D NAND,是一款结合了3D CTF (电荷陷式Flash) 设计与PUC (Peri Under Cell) 技术的产品。

在相同的4D平台和工艺优化下,SK海力士在现有96层NAND的基础上又增加了32层,使制造工艺总数减少了5%。与以往技术迁移相比,96层向128层NAND过渡的投资成本降低了60%,大大提高了投资效率。

相较于SK 海力士的96层4D NAND,新的128层1Tb 4D NAND可使每块晶圆的位产能提高40%。SK海力士将从今年下半年开始发货128层4D NAND闪存,同时继续推出各种解决方案。

由于该产品采了单芯片四平面架构,数据传输速率在1.2V时可以达到1400mbps,可以支持高性能、低功耗的移动解决方案以及企业SSD。

SK海力士计划明年上半年为主要旗舰智能手机客户开发下一代UFS 3.1产品。凭借128层1Tb NAND闪存,相较于512Gb NAND,1Tb产品所需的NAND数量将减少一半。海力士也将为客户提供一个能在1毫米薄的封装中,功耗降低20%的移动解决方案。 

此外,公司计划于明年上半年开始量产一款2TB的客户端SSD,带有内部控制器及软件。16TB和32TB用于云数据中心的NVMe SSD也将于明年发布。

“SK海力士凭借这款128层4D NAND芯片,确保了其NAND业务的基本竞争力,”海力士执行副总裁兼全球营销主管Jong Hoon Oh表示,“凭借这款产品以及业界最上乘的堆积与密度,我们将在合适时间为客户提供多种解决方案。” (编译:Kevin)

联手SK海力士等企业,江苏省打造半导体人才培养平台

联手SK海力士等企业,江苏省打造半导体人才培养平台

江苏中企教育科技股份有限公司(以下简称“江苏中企教育”)官微消息显示,5月13日江苏省工信厅与SK海力士集团联合发起的“打造江苏省半导体人才培养平台”签约仪式在无锡SK海力士集团总部举行。

据介绍,江苏省半导体人才培养平台由江苏省工信厅牵头,联合以SK海力士为首的半导体知名企业、江苏省内高校,共同搭建半导体产业人才培养、评价、就业、交流的平台,计划用3年时间为江苏半导体产业培养卓越工程师100名、精英技术骨干人才250名,帮助产业解决高端人才急缺、招人难、用人难的问题,也为省内高校生提供更多的行业实践及就业机会。

签约仪式现场,江苏中企教育作为该计划的组织方和运营、实施方,代表省工信厅与SK集团签订了平台打造的合作协议。在培养人才过程中,江苏中企教育将组织半导体企业、高校等各方实现产学研深度融合,形成良好循环的合作关系,最终实现多方的共赢,助力江苏半导体产业的发展。

众所周知,中国半导体产业在迅速发展的同时亦面临着巨大的人才缺口,江苏省作为全国半导体产业大省、无锡亦为国家微电子产业南方基地,江苏省是半导体人才最紧缺的地区之一,近年来华虹无锡、SK海力士等重大项目的落户,更是加剧了该省的人才供给紧张情况。

为缓解人才紧张,江苏省正通过与半导体企业、高校等合作培养人才。此前SK海力士曾与东南大学、南京大学分别与无锡高新区、签订有关集成电路人才培养合作协议,江苏省工信厅副厅长李强表示,希望通过此次与SK海力士的合作,共同推动江苏半导体产业人才的培养。

江苏省打造半导体人才培养平台  3年培养工程师100名、技术骨干250名

江苏省打造半导体人才培养平台 3年培养工程师100名、技术骨干250名

江苏中企教育科技股份有限公司(以下简称“江苏中企教育”)官微消息显示,5月13日江苏省工信厅与SK海力士集团联合发起的“打造江苏省半导体人才培养平台”签约仪式在无锡SK海力士集团总部举行。

据介绍,江苏省半导体人才培养平台由江苏省工信厅牵头,联合以SK海力士为首的半导体知名企业、江苏省内高校,共同搭建半导体产业人才培养、评价、就业、交流的平台,计划用3年时间为江苏半导体产业培养卓越工程师100名、精英技术骨干人才250名,帮助产业解决高端人才急缺、招人难、用人难的问题,也为省内高校生提供更多的行业实践及就业机会。

签约仪式现场,江苏中企教育作为该计划的组织方和运营、实施方,代表省工信厅与SK集团签订了平台打造的合作协议。在培养人才过程中,江苏中企教育将组织半导体企业、高校等各方实现产学研深度融合,形成良好循环的合作关系,最终实现多方的共赢,助力江苏半导体产业的发展。

众所周知,中国半导体产业在迅速发展的同时亦面临着巨大的人才缺口,江苏省作为全国半导体产业大省、无锡亦为国家微电子产业南方基地,江苏省是半导体人才最紧缺的地区之一,近年来华虹无锡、SK海力士等重大项目的落户,更是加剧了该省的人才供给紧张情况。

为缓解人才紧张,江苏省正通过与半导体企业、高校等合作培养人才。此前SK海力士曾与东南大学、南京大学分别与无锡高新区、签订有关集成电路人才培养合作协议,江苏省工信厅副厅长李强表示,希望通过此次与SK海力士的合作,共同推动江苏半导体产业人才的培养。

SK海力士重庆二期存储芯片封测项目将于Q3投产

SK海力士重庆二期存储芯片封测项目将于Q3投产

日前,重庆西永微电园消息称,SK海力士位于重庆的二期存储芯片封装测试项目将于今年第三季度投产。

2013年5月,SK海力士在重庆西永微电园设立SK海力士半导体(重庆)有限公司,投资建设NAND Flash存储芯片封装测试生产线。该项目一期投资3亿美元,2014年正式投产。2017年9月,SK海力士与重庆签署有关二期项目的谅解备忘录,二期追加注册资本2.5亿美元,累计投资额将达12亿美元,2018年上半年开工。

据重庆西永微电园透露,SK海力士二期1.6万平方米主体建筑已建成,预计6月中旬进行设备安装,三季度陆续投产。投产后,项目合计产能是现在的2.5倍,芯片年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上, 成为SK海力士全球海外最大封装基地。

韩国半导体产业求变,存储器厂商加大逻辑芯片布局

韩国半导体产业求变,存储器厂商加大逻辑芯片布局

市场传出海力士有意收购MagnaChip韩国清洲厂,若此交易成真,除海力士能借此提升自身8寸晶圆制造实力,增加自己于8寸晶圆代工市场的重要性外,MagnaChip也将以此资金持续开发新技术,甚至转型为专注芯片设计研发能力的半导体设计厂商。

存储器厂商加大逻辑芯片布局

全球半导体产业格局瞬息万变,半导体产品应用中占比最大的存储器产品,经前几年高度成长后于2019年回档下滑;而韩国半导体产业中,因其存储器产品的重要性不言而喻,普遍被外界认为会在2019年受到不小冲击,因此韩国存储器大厂相继提出与逻辑芯片相关之政策。

在海力士传出有意出手MagnaChip厂房后,三星也刻意于近日对外公告集团将大手笔投资133万亿韩元于System LSI及晶圆代工事业,规划在2030年内成为逻辑芯片领域的领头羊。

不难想象,韩国半导体产业过度依赖存储器产品之议题,将在2019年不断被产业界内外,甚至是国家政府提起与关注。

MagnaChip或于未来转型专业芯片设计厂商

MagnaChip先是在2018年将LCD显示驱动芯片事业,自Display-SPG(Standard Product Group)转移至芯片制造部门FSG(Foundry Service Group),又于2019年2月对外公告并暗示,将针对FSG进行「策略性」进化。

事实上,受惠于全球电源相关的半导体需求不断提升,以及AMOLED面板显示驱动芯片需求急遽成长,MagnaChip对此二产品线的重视程度自然有增无减。

由于MagnaChip的制造工艺尚停留8寸节点,随着上述两条产品线往12寸制造工艺迈进,MagnaChip也只能向外寻找其他12寸晶圆制造厂商为其代工。

此外,Fab 4清洲厂占MagnaChip总产能高达7成左右,若MagnaChip当真计划于未来脱手Fab 4清洲厂及FSG部门,推测MagnaChip正是在收敛方向及重新配置资源,集中投资芯片开发及设计能力的提升,往Fabless半导体厂商的方向前进。

SK海力士出货96层 1Tb QLC 4D NAND 样品

SK海力士出货96层 1Tb QLC 4D NAND 样品

3D NAND 堆栈发展至 96 层,这是接下来一段时间内的市场主流。

2018 年底,SK Hynix(SK海力士)发表 96 层堆栈快闪存储器,是为 TLC 类型、单一裸晶容量 512Gb(64GB)产品,还特地取了个有意思的 4D NAND 名词(本质和 3D NAND 相仿)。SK Hynix 当时曾预告,在 2019 年也就是今年的某个时间点,自家 96 层堆栈产品技术发展将进入另一个阶段,容量会倍增至 1Tb(128GB)。

SK Hynix 刚实现了这点,官方宣布 96 层、1Tb 样品已经备妥,正陆续出货提供给予主要的控制器、固态硬盘制造商。不过首波 1Tb 样品属于 QLC 类型,基于 4D NAND 架构设计具有 4 个平面(Plane)、区块容量 64KB,这数量规划 2 倍于典型快闪存储器(2 plane、32KB 之类规格),SK Hynix 强调这是确保性能的关键。

此外,SK Hynix 自己也投入 QLC 所适用控制器与韧体等开发,计划在 2020 年推出自有品牌企业级固态硬盘。SK Hynix 将致力于提升储存密度,除了以追上硬盘 16TB 之类容量作为目标,更希望能够吸引企业舍硬盘就固态硬盘。