英特尔H10存储器威胁服务器市场,三星与 SK 海力士也将推新品

英特尔H10存储器威胁服务器市场,三星与 SK 海力士也将推新品

日前,处理器大厂英特尔推出结合 DRAM 及 NAND Flash 优点于其中的  Intel Optane 存储器 H10,期望凭借着英特尔本身在服务器处理器上的市占率优势,将 H10 推广到服务器当中,进一步挑战目前服务器存储器中三星与 SK 海力士的地位。

而对于来势汹汹的英特尔,三星与 SK 海力士随即表示,将推出相类似的产品以抗衡英特尔。因此,服务器存储器大展进入一触即发的状态。

根据韩国媒体《ETnews》的报导,英特尔日前推出将 Intel Optane 与 Intel QLC 3D NAND 技术结合在一个 M.2 模块当中的 Intel Optane 存储器 H10。虽然英特尔宣称,H10 将适用于轻薄的笔记型计算机上,以及某些空间受限的桌上型计算机,提供了当今传统 Triple Level Cell (TLC) 3D NAND SSD 无法满足的更高效能,并且减少对于第 2 颗资料储存设备的需求。

但是,因为 H10 具备着融合了 DRAM 与 NAND Flash 的优点,那就是虽然在 DRAM 的存储器速度比过去传统的存储器稍慢,却有着价格上的优势,而且具有 NAND Flash 断电后资料依旧能保存,成为另外储存空间的优点。而且,因为英特尔与美光多年来所开发的 3D XPoint 技术,可以将 NAND Flash 的速度提高 1,000 倍,而且延长持续使用时间的情况下,更使其适合在服务器内所使用。因此,对于当前服务器存储器的两大厂商──三星与 SK 海力士来说的确造成威胁,使得三星与SK海力士也宣布将推出相类似的产品应战。

报导表示,英特尔的 H10 被称之为下一代的存储器储存装置,而且采用 Intel Optane 存储器 H10 的第 8 代 Intel Core U 系列行动平台,将于本季稍晚透过主要 OEM 厂商推出。透过这些平台,日常用户将能够在多工处理时,达到启动文件档案的速度提高 2 倍,或者游戏启动速度提高 60%,以及打开媒体档案的速度提高 90% 的效能。

而随着笔电使用的 H10 问世,未来英特尔在服务器方面的相关产品也将会很快地推出,而凭借着英特尔在服务器上的高市占率优势,未来将会影响到三星与 SK 在服务器存储器上的市占率。因此针对次此一市场,三星与海力士也将推出相类似的产品竞争,不让英特尔专美于前。

应对存储器市场变化,SK海力士宣布停产部分产品

应对存储器市场变化,SK海力士宣布停产部分产品

4月25日,SK海力士公布截至3月31日的2019年第一季度财报。财报显示,今年第一季度,SK海力士营收为6.77万亿韩元,营业利润1.37万亿韩元,净利1.10万亿韩元。

为应对存储器市场的变化,SK海力士在财报中表示要强化技术开发,并作出相应布局。

DRAM领域,SK海力士表示将逐渐扩大第一代10纳米(1X)产量,并从下半年起,将主力产品更换为第二代10纳米(1Y)产品。与此同时,为支援新款服务器芯片的高用量DRAM需求,将开始供给64GB模块产品。

NAND Flash部分,SK海力士将专注于改善收益。SK海力士将停止生产成本较高的36层与48层3D NAND,同时提高72层产品的生产比重。

今年下半年,SK海力士将通过96层4D NAND巩固公司在SSD与移动市场的地位。

SK海力士是存储器大厂,全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)提供的数据显示,2018年第四季度,SK海力士DRAM市占率为31.2%,全球排名第二,NAND Flash市占率为11.2%,全球排名第五。

考虑到目前的需求量,SK海力士指出,韩国清州新M15工厂量产速度将比原计划慢,同时,SK海力士今年NAND晶圆投入量也会比去年减少10%以上。

营益泻69%!SK海力士:今年 NAND 投片量将减 1 成

营益泻69%!SK海力士:今年 NAND 投片量将减 1 成

存储器循环暴起暴落,价格重挫和需求降温,让 SK 海力士(SK Hynix)第一季营益惨摔近 70%,为 2016 年第三季以来最糟表现。

SK 海力士 25 日新闻稿称,今年第一季营收为 6.77 兆韩圆,季减 32%、年减 22%。营益为 1.37 兆韩圆(约 12 亿美元),季减和年减幅度均为 69%。净利为 1.10 兆韩圆,季减 68%、年减 65%。

Source:SK 海力士

Pulse 报导,市场原本估计营益为 1.6 兆韩圆。

DRAM 部分,受到季节趋势和服务器采购保守影响,DRAM 位元出货量季 减8%、平均售价下滑 27%。NAND Flash 部分,由于库存水位仍高,供应商竞争加剧,位元出货量季减 6%,平均售价减少 32%。

SK海力士将加强研发,因应颓靡市况。今年下半,该公司会逐步提高 1Xnm 比重,并开始出售 1Ynm 产品。据悉,1Xnm 是指 16~19 纳米产品,1Ynm 是 14~16 纳米;另外,1Znm 是 12~14 纳米。

SK 海力士将专注提高 NAND Flash 获利,已停产成本相对较高的 36 层和 48 层 3DNAND,并将提高 72 层 NAND 的生产比重。下半年要以 96 层 4D NAND,强化在 SSD(固态硬盘)和行动市场地位。

考量到需求,SK 海力士的南韩清州 M15 厂,增产速度将低于预期,估计今年 NAND 晶圆投片量将年减 10% 以上。

抢逻辑芯片代工!SK 海力士欲购并MagnaChip部分8寸产能

抢逻辑芯片代工!SK 海力士欲购并MagnaChip部分8寸产能

根据《路透社》引用知情人士的消息报导指出,韩国存储器大厂 SK 海力士正在考虑收购部分逻辑芯片制造商美格纳(MagnaChip)的产能,用于扩大其 8 寸晶圆的生产线。

报导指出,与存储器龙头三星相同,SK 海力士由于近来全球存储器市场需求放缓,开始加强发展手机核心处理器、图像传感器和汽车芯片等逻辑芯片的市场。因此,对于逻辑芯片的产能需求提升。

报导进一步指出,根据半导体产业的消息来源指出,SK 海力士正在考虑拿下 MagnaChip 在南韩清州市的晶圆代工厂。而清州市刚好是 SK 海力士半导体生产的重要基地,如果拿下 MagnaChip 的清洲厂,可以强化 SK 海力士的 8 寸晶圆厂产能,还可以就近产生群聚效应。不过,对此 SK 海力士和美格纳都拒绝发表评论。

而根据资料显示,MagnaChip 原母公司为 LG 半导体,于 2004 年被 SK 海力士联合其他财团收购,之后再从 SK 海力士的非存储器事业部门拆分独立出来,并于 2011 年在纽约证交所上市,为全球客户提供从 0.8 微米到 0.11 微米制程的晶圆代工技术和服务。而 MagnaChip 目前在南韩有 5 座晶圆厂,其中的清洲厂月产能为 13 万片。

事实上,由于图像传感器和汽车芯片等逻辑芯片产品的市场,随应用增加而供不应求,使得许多当前许多晶圆代工厂的 8 寸厂产能位处于满载的状态。而为了应付市场的需求,除了 SK 海力士期望自 MagnaChip 取得 8 寸厂产能之外,日前晶圆代工龙头台积电也在时隔 15 年后,在南科再开设 8 寸晶圆厂。

刚刚,无锡SK海力士二工厂宣告竣工

刚刚,无锡SK海力士二工厂宣告竣工

无锡博报报道,4月18日,SK海力士半导体(中国)有限公司无锡工厂举行扩建(C2F)竣工仪式。

作为江苏单体投资规模最大的外商投资企业,无锡SK海力士二工厂项目于2017年10月签约,总投资86亿美元,其中16亿美元用于新建33000平米洁净厂房及其附属配套设施,70亿美元用于购买全球最先进的半导体生产设备。

项目建成后,无锡SK海力士二工厂将形成月产18万片12英寸晶圆的产能,年销售额也计划达到33亿美元。

据悉,SK海力士与无锡已有15年的合作,一直在无锡重点推进半导体前道工序和后道工序相关事业,接下来将与江苏省包括无锡市及高新区全面战略合作。

唱响产业强市“新锡剧” 无锡产业大项目显现“溢出效应”

唱响产业强市“新锡剧” 无锡产业大项目显现“溢出效应”

唱响产业强市“新锡剧”,带动的不仅是城市经济硬实力,还有民生幸福“无锡景”。

春天是播种的季节,绿色孕育着希望。江苏省无锡今年首批重大项目集中开工的鼓声擂响后,一季度市级重点项目推进总体情况报表说明:无锡高新区(新吴区)以71.4%的开工率,再次走在全市前列。

值得一提的是,华虹无锡集成电路研发和制造基地一期工程(华虹七厂)各关键建设节点均较计划提前完成;SK海力士半导体(中国)有限公司(下简称SK海力士)二工厂将于4月18日举办竣工仪式。

伴随着项目快速推进,稳健成长的产业项目正逐步显现“溢出效应”。以SK海力士为例,自2005年落子无锡,14年累计投资额将达200亿美元。在锡产业链布局不断扩大的同时,海力士医院、海力士学校、海力士幸福基金会等一系列民生配套相继落户无锡,此外,还带火了东亚风情街、集聚了半导体配套企业。

持续扩大在锡产业链布局,SK 海力士将从“三个全省之最”迎来“三个全球之最”。

SK海力士正持续扩大在无锡的产业链布局

SK海力士半导体(中国)有限公司法人长徐根哲接受记者采访时表示,将整个半导体产业链条放在无锡,是SK海力士与无锡市委市政府及无锡高新区共同努力的目标。在过去十多年中,SK海力士在无锡重点推进半导体前道工序和后道工序相关事业,2018年开始推进部署将韩国总部的8英寸系统芯片项目迁到无锡。此外,还将把原本设在上海的中国销售总部迁移到无锡。

自2005年在无锡设立投产以来,SK海力士已成为江苏省单体投资规模最大、技术水平最高、发展速度最快的外资投资企业,更成为韩国高科技企业在中国、江苏投资合作经营的成功典范。

在采访中得知,SK海力士二工厂项目建成完全达产后,SK海力士无锡公司将形成月产18万片12英寸晶圆的产能,年销售额也计划达到33亿美元。待二工厂项目全部建成投产后,公司占有中国存储芯片市场份额也将从35%提高至45%,使其成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10纳米级存储芯片产品生产基地。

不新增用地投资86亿美元,二工厂项目18日举行竣工仪式

“无锡高新区是SK海力士中国事业战略发展基地,我们的成长离不开无锡市委市政府以及无锡高新区的信任与支持!”SK海力士半导体(中国)有限公司无锡经营企划部部长金大澈,参与并见证了SK海力士在无锡的发展全过程。追溯往事,他用“信任”二字来为双方的合作背书。

为保证SK海力士二工厂项目的顺利推进,无锡市政府成立“812项目协调推进领导小组”,集全市之力,为项目提供全方位支持。

在项目签约后,“812工作小组”牵头协调无锡市供电公司、自来水公司、蒸汽公司等相关单位,保障SK海力士二工厂项目所需的基础设施配套,为保证项目按时如期推进提供了有力支撑。

新吴区政协副主席、无锡高新区招商发展中心主任金燕接受采访时表示,投资达86亿美元的二工厂项目,从谈判、签约、项目落地建设到18日举办竣工仪式,推进速度如此之快,得益于政企双方高层积极推动,以及双方多年来信任互惠的合作基础。

从做产业到衍生医院、学校、基金等一系列项目,呈现“溢出效应”

基于在无锡高新区良好的产业基础,SK海力士开始在其他领域进行尝试——在高新区签约建设海力士医院、海力士学校等民生配套。

海力士学校计划在2021年下半年建成开学,致力于建设无锡最顶尖的名牌民办学校,为该公司员工、新吴区及该市其他地区的孩子提供优质教育资源:一期计划招收小学生1000名;二期将建设初中,计划招收500名学生。

海力士医院项目计划在2022年建成开院,致力于建设全球顶尖医疗水平的综合医院,为社会提供优质的医疗服务。

除以企业之力建学校、医院外,SK海力士还成立了“SK海力士幸福基金会”,联手无锡市第八人民医院,推出配备X光、心电图、B超等一系列诊疗设备的“幸福巴士”,在企业与社区提供公益服务。与此同时,举办相关论坛开展半导体人才培训。

SK海力士的“溢出效应”,还体现在拉动服务业及集聚相关半导体配套产业。受此项目辐射带动,大批韩国员工来锡就业,带火无锡高新区东亚风情街的日韩餐饮业;与半导体相关的配套企业也纷纷落户于此,形成集聚效应。

 

无锡SK海力士二工厂将于18日竣工

无锡SK海力士二工厂将于18日竣工

《联播无锡》消息显示,无锡SK海力士二工厂将于4月18日迎来竣工投产。报道称,SK海力士二工厂项目投资86亿美元,2017年6月正式开工,将于本月18日正式举行竣工仪式。该项目建成完全达产后,将形成月产18万片12英寸晶圆的产能。

据悉,SK海力士与无锡已有15年的合作,一直在无锡重点推进半导体前道工序和后道工序相关事业,接下来将与江苏省包括无锡市及高新区全面战略合作。SK海力士半导体(中国)有限公司总裁徐根哲表示,SK海力士与无锡市新吴区政府一直在协商将整个半导体产业链条放在本地的事情。

2018年,SK海力士开始推进将韩国总部的8英寸系统芯片项目迁到无锡,随后还决定把中国销售总部迁至无锡,接下来SK海力士还将在无锡建设学校项目和医院项目。SK海力士学校项目计划于2021年下半年建成开学,一期规模计划招收小学生1000名,二期将建设初中,计划招收500名学生;SK医院项目计划在2022年建成开院。

SK海力士、华润微电子等上榜,重庆公布2019年重大项目

SK海力士、华润微电子等上榜,重庆公布2019年重大项目

上游新闻报道,近日重庆市发布《关于做好2019年市级重大项目实施有关工作的通知》,首度公布了2019年市级重点项目清单。

2019年重庆市级重大项目包括743个年度建设项目和216项前期准备项目,多个芯片项目上榜这份清单。

其中,2019年市级重大建设项目名单中,就有联合微电子项目、SK海力士项目(二期)、华润微电子基板级扇出封装项目、年产300万片半导体芯片项目、聚力成氮化镓外延片产业化和芯片产线项目(一期)、平伟实业6英寸碳化硅芯片线平台项目等上榜。

其中,联合微电子项目、SK海力士项目(二期)、华润微电子基板级扇出封装项目与平伟实业6英寸碳化硅芯片线平台项目还是重庆市2019年百项重点关注项目。

2019年市级重大前期规划研究项目名单中,上榜的芯片项目有超硅半导体二期项目、两江半导体产业园、华润12吋晶圆项目等。

SK海力士无锡新厂将于本月全面投入运营

SK海力士无锡新厂将于本月全面投入运营

根据外媒BusinessKorea最新消息,SK海力士位于中国无锡的扩建晶圆厂 (二厂) 将于本月全面投入运营。一旦这个耗资95亿韩元的扩建项目完工,海力士无锡工厂的产能将增加至每月180,000片晶圆。

然而,SK海力士表示,公司扩大生产线目的单纯是为了引入DRAM的微制造,而不是增加其产能。这意味着海力士将继续控制芯片供应量,来缓解市场供给过剩的现状。
 
SK海力士一位内部人士表示,“初次生产的晶圆片在今年初就已进入工厂,而这次,产量已达到了标准。” 等未来设备全部安装完善时,SK海力士无锡工厂将拥有每月180,000片的10纳米级DRAM晶圆的产能。
 
在无锡工厂的扩建上,SK海力士已经获得资金支持。今年3月25日,SK海力士与中国开发银行牵头组建了一批中资银行的银团贷款举行了签字仪式。贷款金额估计高达35亿美元,是江苏省外币贷款历史上最大的一笔。
 
在无锡扩建工厂全面投入运营之前,SK海力士副董事长朴成旭于3月29日访问了无锡,并会见了无锡市委书记李小敏。 “随着第二工厂项目的完成,SK海力士已经在无锡工厂投资了140亿美元,”朴成旭在会上提到。“经过14年的合作,海力士与无锡的关系与橡树一样强劲。”
 
行业观察人士也正密切关注着无锡扩建工厂将给DRAM的供给和价格带来什么影响。
 
根据DRAMexchange (集邦咨询半导体研究中心) 最新数据,3月份DDR4 8Gb DRAM的合约价较上月下降了 11.1% 至 4.56 美元。

这与2016年12月的4.19美元的价格接近,当时正是存储器行业刚开始蓬勃发展的时期。相应地,美光也宣布将分别削减DRAM和NAND闪存产量的5%。

存储器产业不景气,三星与 SK 海力士仍持续增加投资

存储器产业不景气,三星与 SK 海力士仍持续增加投资

根据韩国《朝鲜日报》的报导指出,虽然 2018 年下半年开始,存储器的价格开始走跌,也预告 2019 年存储器产业会呈现不景气的状态。但相关业者认为,以高附加价值产品来应对当前的状况,其中研发(R&D)方面的投资将是不可或缺的关键。

报导指出,三星电子在 2018 年对 R&D 的投入达到 18.66 兆韩圆,这和 2017 年的 16.81 兆韩圆相比,增加了 11%。而且,其不论金额或成长幅度,都是继 2017 年后再创历史新高。至于,另一家存储器大厂 SK 海力士也是相似的状况,2018 年的 R&D 投资达到 2.89 兆韩圆,与 2017 年的金额相比,也增加 16%以上,同样创下历史新高纪录。

事实上,韩国业界人士表示,在启动 5G 服务之后,未来将需要处理的信息量大增,也能使得促进机器效能提高的半导体需求也将会增加。因此,即便当前市场较之前有所萎缩,但也是强化 R&D、积累技术的时机。

报导进一步指出,存储器价格惨跌的情况至今仍没有缓解的迹象。以三星与 SK 海力士的主要产品 DRAM 颗粒现货价格来说,DDR4 8G (1G*8)  的产品已经从 2018 年 3 月份的 9.1 美元,跌到 2019 年 2 月份的 4.56 美元,跌幅将近一半,而 NAND Flash 快闪存储器的价格,在相同期间内也下跌 30%。

而对于存储器价格的走跌,三星与 SK 海力士不仅认为研发新产品重要,而且两公司为使存储器产业复甦,也大幅增加工厂建设、设备投资。2018 年三星仅在半导体部门就投资 23.72 兆韩圆,和前一年的 27.34 兆韩圆相较,仅减少了 13%。但与 2016 年的 13.15 兆韩圆相比,增加了 10 兆韩圆左右。

目前三星正在南韩京畿道平泽市建设半导体第 2 工厂,还在中国西安建设半导体工厂。市场人士解读,观察三星存储器的状况,三星认为相较增加短期能提高产量的设备投资情况,不如从长期角度出发来建设工厂。另外,SK 海力士 2018 年也投资 17.75 兆韩圆,占了总营收的 44%,相较前一年 10.64 兆韩圆的金额来说,也增加了 67%。

SK 海力士在 2018 年 10 月,于南韩的忠清北道清州市的 M15工厂竣工,12 月时则是位于京畿道利川市的新 DRAM 生产线 M16 开工。SK 海力士认为,以人工智能、虚拟实境为代表的第 4 次产业革命正式开启后,存储器供给量就会增加,因此得维持一定规模以上的存储器投资,未来才有能力应对。