无锡日报消息显示，3月25日SK海力士二工厂项目银团贷款签约仪式在无锡举行。由国家开发银行江苏分行牵头，携手农业银行江苏分行、建设银行江苏分行、中国银行江苏分行、工商银行江苏分行、进出口银行江苏分行组建银团，为该项目提供35亿美元的贷款支持。
据悉，这是江苏省有史以来单体最大的外汇银团贷款项目。此次牵头者国家开发银行是直属国务院领导的政策性银行以及无锡打造中国微电子南方基地的主力融资银行，已连续三次以牵头行身份向海力士提供了银团贷款服务。
SK海力士是江苏省单体投资规模最大的外商投资企业，2005年正式落户无锡，此前与银团已多次牵手。2017年6月，SK海力士二工厂项目正式开工，项目总投资86亿美元，目前一期工程已进入机电安装收尾阶段，计划今年4月竣工投产。
待二工厂项目全部建成后，SK海力士无锡工厂将成为拥有月产18万张10纳米级晶圆的大规模半导体制造基地。
根据韩联社消息，3月27日，SK海力士在首尔都市圈建设半导体集群的计划获得批准，这得益于政府决定取消该地区的发展法规。
该项目价值120万亿韩元 (约合1360亿美元)。上个月，韩国贸易、工业和能源部请求国土交通运输部，放松对该地区工业区总规模的限制。
该规划将在首尔以南的龙仁市建造4座半导体制造厂，预计将创造约17万个就业岗位。此外，超过50家分包商也计划进入集群，为整个地区的经济注入活力。
韩国经济部表示，将计划向SK海力士提供一切必要的支持，以确保投资能够及时推进。另外还表示，政府将继续努力推动来自私人部门的大规模投资项目，尤其是芯片行业这类韩国经济的主要支柱产业。
该集群项目预计将在2021年第三季度进行破土动工，预计将于2024年第四季度完成。
在芯片集群项目完工之后，龙仁市将作为SK海力士的DRAM和下一代存储芯片的基地。而位于首尔以南80公里的利川市将作为研发和DRAM中心，距离首都137公里的清州市区将成为其NAND闪存芯片中心。
近日，在加利福尼亚州圣何塞的开放计算项目会 (OpenComputeProject, OCP) 中，SK海力士展示了应用于数据中心的 Zoned Namedspaces (ZNS) SSD。
SK海力士指出，与以往的SSD产品相比，新款ZNS SSD在速度和可靠性上均提高了30％，寿命也更长了。值得关注的是，它还具备数据分类存储的功能。
普通SSD在存储音乐、照片及视频等资料时，一般不考虑数据类型。而得益于海力士自主研发的ZNS数据管理技术，新型的ZNS SSD可以根据使用的类型和频率，对不同类型的数据进行分组储存。
图源：SK Hynix
SK海力士表示，ZNS SSD的开发预计将在2019年年底完成，商用版SSD将于2020年上半年正式发布。该产品将采用72层512Gb 3D TLC NAND，符合NVMe1.2.1规范，支持PCIe Gen3传输速度，M.2 22110，容量高达2TB。
SK海力士发言人在接受韩国先驱报采访时表示：“随着人工智能和大数据时代的到来，数据中心运营商对优化版SSD的需求在不断增加。得益于30%的速度提升以及更长的寿命，预期此次推出的ZNS SSD将能满足厂商的需求。”
source: 全球SSD
近日，在加利福尼亚州圣何塞的开放计算项目会 (OpenComputeProject, OCP) 中，SK海力士展示了应用于数据中心的 Zoned Namedspaces (ZNS) SSD。
SK海力士指出，与以往的SSD产品相比，新款ZNS SSD在速度和可靠性上均提高了30％，寿命也更长了。值得关注的是，它还具备数据分类存储的功能。
普通SSD在存储音乐、照片及视频等资料时，一般不考虑数据类型。而得益于海力士自主研发的ZNS数据管理技术，新型的ZNS SSD可以根据使用的类型和频率，对不同类型的数据进行分组储存。
图源：SK Hynix
SK海力士表示，ZNS SSD的开发预计将在2019年年底完成，商用版SSD将于2020年上半年正式发布。该产品将采用72层512Gb 3D TLC NAND，符合NVMe1.2.1规范，支持PCIe Gen3传输速度，M.2 22110，容量高达2TB。
SK海力士发言人在接受韩国先驱报采访时表示：“随着人工智能和大数据时代的到来，数据中心运营商对优化版SSD的需求在不断增加。得益于30%的速度提升以及更长的寿命，预期此次推出的ZNS SSD将能满足厂商的需求。”
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根据外媒Business Wire昨日消息，赛普拉斯 (Cypress) 和 SK 海力士新成立了一家名为 SkyHigh Memory Limited的合资公司，目前已获得反垄断监管部门的批准。新公司预计将于2019年4月1日开始启动全面运营。
早在去年10月25日，赛普拉斯和SK海力士就宣布将会成立一家新的合资公司。SkyHigh Memory的设立旨在为消费者、网络、工业及汽车市场客户提供稳定的优质NAND产品供应。
SkyHigh Memory总部设立于香港，公司将负责其SLC NAND产品的生产、分销和技术支持，同时负责下一代NAND产品研发的相关投资。
“对于我们的事业来说，这是一个激动人心的时刻，因为SkyHigh Memory将推动NAND技术的进步，并在全球范围内提供领先的SLC NAND存储解决方案，”SkyHigh Memory Limited首席执行官Gihyun Bae在一份新闻稿中提到。
他还表示，“作为一家以客户为中心的公司，SkyHigh Memory致力于通过提供优质内存解决方案成为世界一流的领导者，为我们服务的所有市场客户提供最优质的技术支持。”
韩国存储器大厂 SK 海力士（SK Hynix）日前宣布，将在未来预计大规模建厂的南韩京畿道利川市和忠清北道清州市基地旁，兴建天然气发电厂，以因应未来当地 SK 海力士自家半导体厂量产后的用电需求。
根据 SK 海力士的规划，将自 2022 年开始，斥资 120 兆韩圆（约 1,070 亿美元）资金，在南韩境内京畿道利川市和忠清北道清州市占地约 450 万平方公尺的基地，兴建 4 座半导体工厂。另外，预计搭配未来 10 年也将投资 55 兆韩圆（约 490 亿美元）扩产的 2 座既有半导体工厂，建成全球最大的半导体集群。
为了因应大规模半导体集群用电需求，韩国媒体《Business Korea》报导指出，SK 海力士宣布，将在此半导体聚落的旁边兴建天然气发电厂，以因应半导体工厂量产的供电需求。SK 海力士表示，由于生产设施增加，包括新工厂建设，预计未来电力需求也将稳定成长。SK 海力士需要长期稳定的电力供应，因此计划建设以液化天然气为燃料的火力发电厂，以达成电力供应多样化。
SK 海力士新半导体厂最快 2026 年投产，发电厂建设预计先一步完成，对未来 SK 海力士的大半导体集群供电稳定，可提供完整的解决方案。
日前，海辰半导体（无锡）有限公司所承担的新建8英寸非存储晶圆厂正式封顶，SK海力士的晶圆代工业务布局提速。
工程承包商十一科技发布新闻稿，海辰半导体新建8英寸非存储晶圆厂房项目于2月27日举行封顶仪式，SK海力士系统集成电路株式会社首席执行官金俊镐、无锡产业发展集团有限公司董事局主席蒋国雄等共计100多人出席。
资料显示，海辰半导体成立于2018年2月，是由SK海力士旗下晶圆代工厂SK海力士System IC公司与无锡产业发展集团有限公司合资建立，其中SK海力士System IC出资占比50.1%。报道称，该合资公司主要由SK海力士System IC提供8英寸晶圆生产设备等有形与无形资产，无锡产业集团则主要提供厂房、用水等必要基础设施。
据悉，海辰半导体新建8英寸非存储晶圆厂项目又被SK海力士称为“M8项目”，因为SK海力士计划将其原位于韩国清川M8厂搬迁至无锡，预计于2021年底前分批将清川M8厂的生产设备移入海辰半导体，但核心研发仍将留在韩国，海辰半导体主要负责生产。
海辰半导体项目是无锡市的重大投资项目之一，计划月产能为10万片8英寸晶圆。该项目于2018年5月23日开工，由太极实业控股子公司十一科技负责建设项目工程总承包，随着主厂房的封顶这一重要节点的到来，随后项目将进入机电安装和洁净厂房施工阶段，预计今年年底工艺设备搬入。
众所周知，SK海力士为全球前列的存储器生产商，却为何要在无锡新建一座非存储晶圆厂？SK海力士方面表示，此举旨在吸引韩国以外的晶圆代工客户，植根中国本土、实现本地化发展。
2017年7月，SK海力士宣布正式分拆旗下晶圆代工业务并成立新子公司，命名为SK海力士System IC公司，主要专注于晶圆代工业务，服务对象为没有晶圆厂的IC 设计商。SK海力士当时表示，分拆的主要目的为强化晶圆代工业务的竞争力。
业界分析认为，在存储器领域，SK 海力士除了三星电子等国际竞争对手外，还将面临正在发展的中国存储企业的潜在挑战，且技术革新需要投入巨大的成本，SK海力士或是未雨绸缪，欲在强化晶圆代工业务的同时充分利用其产线，以降低运营成本、开源节流。
有独无偶，SK海力士的竞争对手三星电子已于2017年5月宣布将晶圆代工业务部门分拆独立出来，以抢食晶圆代工市场。然而，在晶圆代工市场台积电已然一支独大，中国大陆企业也在逐渐崛起，SK海力士、三星电子等能否抢夺市场仍有待进一步观察。
如今随着海辰半导体的封顶，SK海力士的晶圆代工业务发展步伐加速，尽管目前8英寸晶圆需求持续增长、产能紧张，但中国大陆晶圆代工产业亦发展迅猛，其8英寸晶圆厂能否从中争得蛋糕仍是未知数。
去年第4季DRAM供应商总营收较前一季下滑18.3%，其中三星的位元出货在3大原厂中下滑最多。（彭博资料照）
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，DRAM报价于2018年第4季开始反转向下，造成DRAM整体产业营收下滑。DRAM供应商的位元出货（sales bit）大幅季减，去年第4季DRAM总营收较前一季下滑18.3%。
厂商报价策略更积极
DRAMeXchange指出，2019年1月份合约价格持续走跌，就一线PC-OEM大厂订价来看，主流8GB模块1月均价已滑落至50美元，且2、3月在月合约（monthly deal）议定下，价格持续下探，预估整体第1季跌幅约在20~25%。此外，DRAM供应商于2018年第4季的生产位元（production bit）远高于位元出货，导致库存压力加剧，因此为加速去化库存，厂商在报价策略上将更为积极。
从营收角度来观察，产业龙头三星在服务器存储器出货大减的冲击下，第4季位元出货在3大原厂中下滑最多，营收较上季下滑25.7%，来到94.5亿美元，市占则跌至41.3%。而SK海力士的位元出货仅下滑约2%，营收季减12.3%，至71.4亿美元，市占突破3成，来到31.2%。
美光仍旧维持第3，虽较上季下滑9.2%，但在3大原厂中表现最佳，市占率上升到23.5%，营收来到53.7亿美元。
台系厂商部分，南亚科第4季受到标准型存储器市况不佳影响，位元出货下跌超过20%，营收较前一季大幅衰退30.8%。
力晶科技本身DRAM营收较上季成长10.3%，但若涵盖DRAM代工业务，营收则下滑近双位数。华邦DRAM营收下滑16.8%，产品价格跌幅不到5%，但位元出货仍因整体拉货动能疲弱，季减逾10%。
据《路透社》报导，SK海力士近日表示，计划在韩国建设一个半导体工业区，2022年之后将投资120万亿韩元（约1,070亿美元），在首尔以南40公里的龙仁市建设4座晶圆厂。
集邦咨询认为，SK海力士在韩国龙仁市宣布打造半导体园区，可能基于以下考量:
1) 龙仁和现有的大型半导体厂如利川 (SK海力士DRAM厂)、清州 (SK海力士NAND厂)、平泽 (三星DRAM/NAND厂)等有地利之便，有助于吸引人才，且半导体园区有助于水电资源的集中布建，对产业带来群聚效应；
2) SK海力士中国无锡厂扩厂计划暂缓，增加韩国当地的投资，可减少受到全球经济大环境不确定因素的影响；
3) 即使该投资计划对近2-3年的DRAM市况不会产生影响，不过对SK海力士长期的发展属正面，亦有利韩国当地的设备/材料商，韩国政府应会给予补助支持。
根据《路透社》的报导，韩国存储器大厂 SK 海力士 21 日表示，将斥资 120 兆韩圆（约1,070亿美元）以兴建 4 家晶圆厂。而 SK 海力士的该项计划，主要目的是要在中国力图成为芯片制造领先国家的前提之下，继续保持在存储器产业上的竞争优势。
报导指出，SK 海力士新的存储器制造工厂选的位置，将是在韩国首尔以南一块 450 万平方公尺的土地上，预计 2022 年开始兴建。而 SK 海力士的这些新工厂，将与现有南韩境内的 2 座工厂相辅相成。而 SK 海力士针对两座既已的工厂，也将在未来 10 年内继续投资超过 55 兆韩圆（约 490 亿美元）来持续发展。
报导还进一步引用韩国券商 Mirae Asset Daewoo 分析师 Kim Young-gun 的说法，表示因为未来在 5G 网络正式商转之后，预计将有更多存储器的市场需求，也将为 SK 海力士创造更多的存储器商机，因此 SK 海力士决定砸大钱投资。
报导还指出，DRAM 以及下一代存储器工厂的兴建计划，将会为 SK 海力士因应 5G 和人工智能等新技术需求的大幅提升做好准备。同时，这个计划还加剧了全球最大存储器出口国韩国与中国之间的产业竞争。因为过去一直以来，中国始终希望在存储器制造上大幅成长，这也威胁到韩国的厂商。
不过，虽然 SK 海力士决定在韩国境内持续扩产。但是，针对 SK 海力士目前在中国无锡市的工厂，现阶段尚未确定是否也将一并有产能提升的计划。
